Шарапов А.В.Аналоговая схемотехника_пос

190

rБ – омическое сопротивление области базы (3.4) СЭ – емкость эмиттерного перехода (3.4)

СК – емкость коллекторного перехода (3.4)

h11 – входное сопротивление четырехполюсника при коротком замыкании на выходе (3.6)

h12 – коэффициент ОС по напряжению четырехполюсника при холостом ходе на входе (3.6)

h21 – коэффициент передачи тока четырехполюсника при коротком замыкании на выходе (3.6)

h22 – выходная проводимость четырехполюсника при холостом ходе

f –	на входе (3.6)
	частота, на которой падает на 3 дБ (3.6)
f	f	– частота, на которой падает на 3 дБ (3.6)
	1

Uотс – напряжение отсечки полевого транзистора (3.9) IСнач – начальный ток стока полевого транзистора (3.9)

S

IС

IС

– крутизна характеристики полевого тран-

UЗИ

UЗИ

UС U0

зистора (3.9)

UСИ

R

UСИ

– внутреннее сопротивление полево-

i

I

С

IС

UЗИ UЗИ0

го транзистора (3.9)

U

СИ

UСИ

U

ЗИ

UЗИ

IС I0

– статический коэффициент усиления по

напряжению полевого транзистора (3.9)

R – сопротивление выходной цепи каскада постоянному току (4.2)

R~

– сопротивление выходной цепи каскада переменному току (4.2)

U0

– напряжение в точке покоя транзисторного каскада (4.1)

I0

– ток в точке покоя транзисторного каскада (4.1)

в

– постоянная времени усилительного каскада в области верхних

частот (4.5)

– постоянная времени коэффициента усиления тока базы (4.5)

IТ – температурное смещение выходных характеристик транзистора

(5.1)

UТ– температурное смещение входных характеристик транзистора

(5.1)

191

S' и S'' – коэффициенты температурной нестабильности тока коллектора (5.1)

n W2 – коэффициент трансформации трансформатора (10.1)

W1

тр – коэффициент полезного действия трансформатора (10.1)

ξ– коэффициент использования по току (10.1)

ψ– коэффициент использования по напряжению (10.1)

Sрад – суммарная поверхность пластинчатого радиатора (10.1)

Rпк – тепловое сопротивление участка «переход-корпус» транзисто-

ра (10.1)

LS – индуктивность рассеяния трансформатора (10.3)

eдр Uвых – дрейф нуля, приведенный ко входу УПТ (11.1)

Ke

rсф – входное сопротивление синфазному сигналу (11.1)

Kсф – коэффициент передачи синфазного сигнала (11.1)

Мсф – коэффициент подавления синфазного сигнала (11.1)

Uсм – напряжение смещения ОУ (12.1)

Uсм – дрейф напряжения смещения ОУ (12.1)

	Iвх I I										– разность входных токов ОУ (12.1)
	Iвх – дрейф разности входных токов ОУ (12.1)
	Uвыхсдв – выходное напряжение сдвига ОУ (12.1)
	Uвыхдр					– выходное напряжение дрейфа ОУ (12.1)
	K							K			– относительная погрешность коэффициента переда-
						1 K
				чи каскада на ОУ за счет нестабильности коэффициента уси-
				ления ОУ (12.1)
	R1, R2								–		относительная погрешность коэффициента передачи
				каскада на ОУ за счет нестабильности сопротивлений рези-
				сторов в цепи ООС (12.1)
	оу	К					2 f1 – постоянная времени ОУ (12.1)
	f1	– частота единичного усиления ОУ (11.1)
	f0					1				– резонансная частота контура (13.1)
				2				LC
	Q		R0			– добротность контура (13.1)

R0 – резонансное сопротивление контура (13.1)

														192
						1
0L											L		– волновое сопротивление контура (13.1)
					0C						C
Y			0						0 0							2	– относительная расстройка
	0											0				0

частоты (13.1)

Qэкв Rэкв – эквивалентная добротность каскада (13.1)

ρ

Аг – амплитуда колебаний генератора (14.1)

г – частота колебаний генератора (14.1)

kсв = M – коэффициент связи двух магнитно-связанных кату-

L Lос

шек (14.2)

– угол отсечки (14.7)

Кст – коэффициент стабилизации по напряжению (15.2)

КНU			Uвых		100	Uвх , % В – коэффициент нестабильности по
			Uвых
		напряжению (15.6)
КНI		Uвых		100		Iвых	, % – коэффициент нестабильности по току
			Uвых			Iвых

(15.6)

АХ – амплитудная характеристика (1.7)

АЧХ – амплитудно-частотная характеристика (1.4) АЦП – аналого-цифровой преобразователь (Введение) БИС – большая интегральная схема (Введение)

ВАХ – вольт–амперная характеристика (3.1) дБ – децибел (1.3)

КПД – коэффициент полезного действия (1.8)

ЛАЧХ –логарифмическаяамплитудно-частотная характеристика(2.7) МОП – полевой транзистор со структурой «металл-окисел-

полупроводник» (3.8)

МДП – полевой транзистор со структурой «металл-диэлектрик- полупроводник» (3.8)

ОЭ – общий эмиттер (3.1) ОБ – общая база (3.1)

ОК – общий коллектор (3.1)

ООС – отрицательная обратная связь (2.1) ОУ – операционный усилитель (11.3)

ПСН – преобразователь сопротивления в напряжение (12.11) ПОС – положительная обратная связь (2.1)

РТ – рабочая точка (1.9)

193

СБИС – сверх большая интегральная схема (Введение) ТКН – температурный коэффициент напряжения (15.5) ТКС – температурный коэффициент сопротивления (12.12) УГО – условное графическое обозначение УПТ – усилитель постоянного тока (11.1)

УНЧ – усилитель низкой частоты (13.1)

УПЧ – усилитель промежуточной частоты (13.1) УВЧ – усилитель высокой частоты (13.1)

ФЧХ – фазочастотная характеристика (1.4) ФВЧ – фильтр нижних частот (13.4) ФНЧ – фильтр верхних частот (13.4)

ЦАП – цифроаналоговый преобразователь (Введение) ЭДС – электродвижущая сила (6.2)