5. Выбор корпуса

В качестве корпуса для размещения полученного кристалла был выбран корпус DIP-6.

Рис.16 - Корпус DIP-6

Рисунок 5.Габаритный чертёж DIP-6

Конструкцией корпуса обеспечивается устойчивость к воздействию линейного ускорения и одиночных ударов, пониженного и повышенного атмосферного давления, ударной прочности (многократные удары).

6. Топология ис

В соответствии с рассчитанными размерами элементов ИС, технологическими зазорами была спроектирована топология ИМС:

Рисунок 6.Топология интегральной схемы

Рисунок 7. Скрытый n+ слой

Рисунок 8. Разделительный слой

Рисунок 9. Базовый слой n-p-n транзистора

Рисунок 10. Эмиттерный слой n-p-n транзистора

Рисунок 11. Контакты

Рисунок 12. Слой металлизации

Рисунок 13. Защитный слой

Заключение

В курсовом проекте рассчитаны физико-топологические параметры компаратора напряжений, произведено его моделирование в среде OrCAD. В проекте рассчитаны размеры основных элементов (биполярных транзисторов, резисторов). Рассмотрена технология производстваD-триггера. Выбран корпус прибора. Разработаны топологический чертеж кристалла, чертежи конструкции ИМС и схемы электрической принципиальной.

Список литературы

1. Гребен, А.Б. Проектирование аналоговых интегральных схем./А.Б. Гребен. Пер. с англ. М., Энергия, 1976.

2. Калниболотский, Ю. М. Расчет и конструирование микросхем/ Ю. М. Калниболотский, Ю.В Королев, Г.И. Богдан, – Киев: Вища школа, 1983.

3. Коледов, Л.А. Конструкция и технология микросхем, курсовое проектирование/ Л.А. Коледов – М.: Высшая школа, 1984.

4. Матсон, Э.А. Справочное пособие по конструированию микросхем / Э.А. Матсон, Д. В. Крыжановский. - М.: Вышэйшая школа, 1982.

5. Пономарев, М.Ф. Конструкции и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА: учебник для вузов. / М.Ф. Пономарев. – М.: Радио и связь, 1982.

6. Степаненко, И. П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов / И.П Степаненко.-М.: Лаборатория базовых знаний, 2001.