Копия Шпора

Оценка параметров сигнала. Если параметр сигнала  — случайная величина с априорной плотностью вероятности, то задачей оценки параметра сигнала является определение значения этого параметра с наименьшей погрешностью. Если требуется оценить несколько параметров сигнала, то такая задача называется совместной оценкой параметров сигнала. Для оценки параметра α мы располагаем только выборкой X из наблюдаемой реализации х (t) . Оценка параметров сигнала часто возникает в радиолокации, радионавигация и других областях радиотехники.

Оценка параметров устройств синхронизации. Для нормального функционирования телекоммуникационных систем, а, следовательно, высокого качества предоставляемых услуг связи, необходима четкая синхронизация работы их составляющих. Это обеспечивается оборудованием синхронизации, которое включает первичные эталонные и вторичные задающие генераторы, устройства распределения сигналов, а также сервера точного времени, позволяющие получать сигнал через спутник GPS и передавать его по протоколу в локальную сеть для синхронизации работы всех станций и серверов в данном сегменте. Таким образом, с помощью оборудования синхронизации достигается единое время во всех устройствах сети и его согласованность с универсальным временем.

Параметры и основные характеристики биполярного транзистора, выходная (коллекторная) характеристика, входная характеристика. Эквивалентные схемы транзисторов. Основные параметры: Коэффициент передачи по току, Входное сопротивление, Выходная проводимость, Обратный ток коллектор-эмиттер, Время включения, Предельная частота коэффициента передачи тока базы, Обратный ток коллектора, Максимально допустимый ток, Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером. Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, не зависимо от схемы его включения. В качестве основных собственных параметров принимают: коэффициент усиления по току α; сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току rэ, rк, rб, которые представляют собой: rэ — сумму сопротивлений эмиттерной области и эмиттерного перехода; rк — сумму сопротивлений коллекторной области и коллекторного перехода; rб — поперечное сопротивление базы. Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора и, вследствие его нелинейности, справедливы только для низких частот и малых амплитуд сигналов. Для вторичных параметров предложено несколько систем параметров и соответствующих им эквивалентных схем. Основными считаются смешанные (гибридные) параметры, обозначаемые буквой «h». Входное сопротивление — сопротивление транзистора входному переменному току при коротком замыкании на выходе. Изменение входного тока является результатом изменения входного напряжения, без влияния обратной связи от выходного напряжения. h11 = Um1/Im1 при Um2 = 0. Коэффициент обратной связи по напряжению показывает, какая доля выходного переменного напряжения передаётся на вход транзистора вследствие обратной связи в нём. Во входной цепи транзистора нет переменного тока, и изменение напряжения на входе происходит только в результате изменения выходного напряжения. h12 = Um1/Um2 при Im1 = 0. Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току) показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. h21 = Im2/Im1 при Um2 = 0. Выходная проводимость — внутренняя проводимость для переменного тока между выходными зажимами. Выходной ток изменяется под влиянием выходного напряжения. h22 = Im2/Um2 при Im1 = 0. Статические характеристики транзисторов бывают двух видов: входные и выходные. Входные характеристики – это зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении. Для схемы с общей базой IЭ = f (UБЭ) при UБК = const. Входные характеристики представляют собой прямую ветвь открытого p-n перехода. При увеличении выходного напряжения UКЭ носители заряда быстрее пролетают базу, рекомбинируют, следовательно, и ток базы уменьшается. Поэтому характеристика при UКЭ > 0 будет проходить ниже. Резистором R1 изменяется напряжение база-эмиттер, а резистором R2 поддерживается постоянным UБК. Обычно входные характеристики измеряются при двух значениях постоянного напряжения UБК. Выходная характеристика – это зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе. Для схемы включения с общей базой IК = f (UБК) при IЭ = const. Выходные характеристики представляют собой прямые линии, почти параллельные оси напряжения. Это объясняется тем, что коллекторный переход закрыт независимо от величины напряжения база-коллектор, и ток коллектора определяется только количеством носителей заряда, проходящих из эмиттера через базу в коллектор, т. е. током эмиттера. Существует и другая форма представления взаимосвязи входных и выходных характеристик в виде эквивалентных схем, когда реальные процессы в нелинейных устройствах можно заменить на набор активных (источники тока и напряжения) и пассивных (резисторы, емкости) элементов, адекватно описывающих взаимосвязь входных и выходных параметров. Основные пассивные элементы (сопротивления r_э, r_к, r_б, емкости коллекторного С_Б и эмиттерного С_Д переходов), активные элементы (генератор тока αI_э в коллекторной цепи, источник ЭДС μ_экU_к в эмиттерной цепи, отражающей обратную связь между эмиттером и коллектором) изображены на эквивалентной схеме

Переходные процессы в схеме с выпрямительным диодом. Разновидности диодов. Выпрями́тельные дио́ды — диоды, предназначенные для преобразования переменного тока в постоянный. Работа выпрямительного диода объясняется свойствами электрического p–n-перехода. Вблизи границы двух полупроводников образуется слой, лишенный подвижных носителей заряда (из-за рекомбинации) и обладающий высоким электрическим сопротивлением, – так называемый запирающий слой. Этот слой определяет контактную разность потенциалов (потенциальный барьер). Если к p–n-переходу приложить внешнее напряжение, создающее электрическое поле в направлении, противоположном полю электрического слоя, то толщина этого слоя уменьшится и при напряжении 0,4 - 0,6 В запирающий слой исчезнет, а ток существенно возрастет (этот ток называют прямым). При подключении внешнего напряжения другой полярности запирающий слой увеличится и сопротивление p–n-перехода возрастет, а ток, обусловленный движением неосновных носителей заряда, будет незначительным даже при сравнительно больших напряжениях. Прямой ток диода создается основными, а обратный – неосновными носителями заряда. Положительный (прямой) ток диод пропускает в направлении от анода к катоду. Область электрического пробоя это когда при небольшом увеличении обратного напряжения ток резко возрастает. Электрический пробой является обратимым явлением. При возвращении в рабочую область диод не теряет своих свойств. Если обратный ток превысит определенное значение, то электрический пробой перейдет в необратимый тепловой с выходом прибора из строя. Диоды бывают электровакуумными , газонаполненными, полупроводниковыми и др. Полупроводниковые диоды используют свойство односторонней проводимости p-n перехода — контакта между полупроводниками с разным типом примесной проводимости, либо между полупроводником и металлом (Диод Шоттки). Ламповые диоды представляют собой радиолампу с двумя рабочими электродами, один из которых подогревается нитью накала. Специальные типы диодов: Стабилитроны -используют обратную ветвь характеристики диода с обратимым пробоем для стабилизации напряжения. Туннельные диоды, существенно использующие квантовомеханические эффекты. Применяются как усилители, генераторы и пр. Варикапы Используется то, что запертый p—n-переход обладает большой ёмкостью, причём ёмкость зависит от приложенного обратного напряжения. Применяются в качестве конденсаторов переменной ёмкости. Светодиоды. В отличие от обычных диодов, при рекомбинации электронов и дырок в переходе излучают свет в видимом диапазоне, а не в инфракрасном. Полупроводниковые лазеры. По устройству близки к светодиодам, однако имеют оптический резонатор, излучают когерентный свет. Фотодиоды. Запертый фотодиод открывается под действием света.Солнечный элемент. Подобен фотодиоду, но работает без смещения. Падающий на p-n переход свет вызывает движение электронов и генерацию тока. Диоды Ганна. Используются для генерации и преобразования частоты в СВЧ диапазоне. Диод Шоттки. Диод с малым падением напряжения при прямом включении. Лавинный диод — диод, основанный на лавинном пробое обратного участка вольт-амперной характеристики. Применяется для защиты цепей от перенапряжений. Лавинно-пролётный диод — диод, основанный на лавинном умножении носителей заряда. Применяется для генерации колебаний в СВЧ-технике. Магнитодиод. Диод, вольт-амперная характеристика которого существенно зависит от значения индукции магнитного поля и расположения его вектора относительно плоскости p-n-перехода. Стабисторы. При работе используется участок ветви вольт-амперной характеристики, соответствующий «прямому напряжению» на диоде. Смесительный диод — предназначен для перемножения двух высокочастотных сигналов. pin диод — содержит область собственной проводимости между сильнолегированными областями. Используется в СВЧ-технике, силовой электронике, как фотодетектор.

Перечислите классы сетей подвижной связи. Сети подвижной связи можно разделить на следующие классы: сети сотовой подвижной связи, сети транкинговой связи, сети персонального радиовызова, сети персональной спутниковой (мобильной) связи.

Перечислите преимущества и недостатки беспроводной оптической связи. Все инфракрасные беспроводные сети используют для передачи данных инфракрасные лучи. В подобных системах необходимо генерировать очень сильный сигнал, так как в противном случае значительное влияние будут оказывать другие источники, например, окна. Этот способ позволяет передавать сигналы с большой скоростью, поскольку инфракрасный свет имеет широкий диапазон частот. Инфракрасные сети способны нормально функционировать на скорости 10 Мбит/с. Хотя скорость и удобство использования инфракрасных сетей очень привлекательны, возникают трудности при передаче сигналов на расстояние более 30 м. К тому же такие сети подвержены помехам со стороны сильных источников света, которые есть в большинстве организаций.

Полевой транзистор. Устройство, принцип действия. Полевой транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, в котором управление током между двумя электродами, образованным направленным движением носителей заряда дырок или электронов, осуществляется электрическим полем, создаваемым напряжением на третьем электроде. Электроды, между Которыми протекает управляемый ток, носят название истока и стока, причем истоком считают тот электрод, из которого выходят (истекают) носители заряда. Третий, управляющий, электрод называют затвором. Токопроводящий участок полупроводникового материала между истоком и стоком принято называть каналом, отсюда еще одно название этих транзисторов — канальные. Под действием напряжения на затворе» относительно истока меняется сопротивление канала» а значит, и ток через него. В зависимости от типа носителей заряда различают транзисторы с n-каналом или р-каналом. В n-канальных ток канала обусловлен направленным движением электронов, а р-канальных — дырок. В связи с этой особенностью полевых тран­зисторов их иногда называют также униполярными. Это название подчеркивает, что ток в них образуют носители только одного знака, что и отличает полевые транзисторы от биполярных. Для изготовления полевых транзисторов используют главным образом крем­ний, что связано с особенностями технологии их производства.

Полевые транзисторы МДП-типа. Стоковые характеристики полевых транзисторов. Параметры полевых транзисторов. Этот транзистор имеет структуру металл - диэлектрик - полупроводник и может быть двух типов: с индуцированным каналом и с встроенным каналом. Если основой транзистора является кремний, то диэлектриком может быть слой окиси кремния, поэтому такую структуру чаще всего называют МОП-транзистор (металл - окисел - полу­проводник). Транзистор с индуцированным каналом имеет области истока n+ и стока n+, выводы от которых выполнены путем металлизации через отверстия в двуокиси кремния. На слой двуокиси окиси кремния напыляют слой алюминия, служащий затвором. Можно считать, что алюминиевый затвор и полупроводниковый материал p-типа образуют плоский конденсатор с окисным диэлектриком. Если на затвор подать положительное напряжение, то положительный заряд обкладки затвора индуцирует соответствующий отрицательный заряд в полупроводниковой области канала. С возрастанием положительно­го напряжения этот заряд, созданный притянутыми из глубины p-области проводника электронами, которые являются неосновными носителями, превращает поверхностный слой полупроводника p-типа в проводящий канал n-типа, соединяющий исходные n+-области истока и стока. Поэтому уменьшается сопротивление материала между истоком и стоком, что ведет к увеличению тока стока. Таким образом, благодаря электростатической индукции между истоком и стоком при достижении напряжения UЗИ ПОР происходит инверсия типа проводимости полупроводника. Слой полупроводника p-типа превращается в полупроводник n-типа. До инверсии сопротивление между истоком и стоком определяется сопротивлением закрытого перехода, так как до инверсии имеет место структура n+-р-n+. После инверсии образуется n-проводимость и струк­тура становится n+-n-n+. Меняя напряжение на затворе, можно уп­равлять током стока. Если взять подложку n-типа, то можно построить МДП-транзистор с индуцированным p-каналом, который управляется отрицательным напряжением на затворе. Транзистор с встроенным каналом имеет конструкцию, подобную предыдущей. Между истоком и стоком методом диффузии создают слаболегированный канал c проводимостью n--типа при проводимости подложки p-типа. Возможно другое сочетание. Канал имеет проводимость p-типа, а подложка — проводимость n-типа. В отсутствие напряжения на затворе ток между истоком и стоком опреде­ляется сопротивлением n--канала. При отрицательном напряжении на затворе концентрация носителей заряда в канале уменьшится (канал обедняется носителями) и в нем появляется обедненный слой. Сопротивление между истоком и стоком увеличивается и ток уменьшается. При положительном напряжении на затворе в канале индуцируется дополнительный отрицательный заряд (канал обогащается носителями) и ток стока увеличивается, по­тому что, увеличивается его проводимость. Транзисторы характеризуют рядом параметров. Начальный ток стока - это ток стока при напряжении между затвором и истоком равном нулю и напряжении сток исток равном или превышающем напряжение насыщения. Напряжением насыщения называют напряжение сток-исток, начиная с которого ток стока практически не увеличивается при увеличении напряжения сток-исток при заданном напряжении затвор-исток. Ток утечки затвора - это ток затвора между затвором и остальными выводами транзистора, замкнутыми между собой. Обратный ток перехода затвор-исток при разомкнутом выводе стока - это ток в цепи затвор-исток при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутом выводе стока. Напряжение отсечки полевого транзистора - это напряжение затвор-исток для транзисторов с управляющим p-n переходом и транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом, при котором ток стока достигает заданного значения, обычно 10 мкА.

Полупроводниковый диод. Структура, характеристика, основные параметры. Диод – это электропреобразовательный полупроводниковый прибор (ПП) с одним электрическим переходом и двумя выводами (рис). База Б и эмиттер Э с помощью базового БЭ и эмиттерного ЭЭ электродов, обеспечивающих омические контакты с n- и p-областями, соединяются с металлическими выводами В, посредством которых диод включается во внешнюю цепь. Основной характеристикой полупроводниковых диодов служит вольт-амперная характеристика. В отличие от характеристики идеального p-n- перехода , характеристика реального диода в области прямых напряжений U располагается несколько ниже из-за падения части приложенного напряжения на объёмном сопротивлении базы диода r .В зависимости от основного назначения и вида используемого явления в p-n-переходе различают шесть основных функциональных типов электропреобразовательных полупроводниковых диодов: выпрямительные, высокочастотные, импульсные, туннельные, стабилитроны, варикапы. Полупроводниковые диоды отличаются друг от друга материалом полупроводника. Наиболее часто в них используют германий или кремний.

Помехи в каналах связи. Классификация помех.

Понятие фильров в цифровой связи. Цифровой фильтр — в электронике любой фильтр, обрабатывающий цифровой сигнал с целью выделения и/или подавления определённых частот этого сигнала. В отличие от цифрового, аналоговый фильтр имеет дело с аналоговым сигналом, его свойства недискретны, соответственно передаточная функция зависит от внутренних свойств составляющих его элементов. Преимуществами цифровых фильтров перед аналоговыми являются: Высокая точность (точность аналоговых фильтров ограничена допусками на элементы). Стабильность (в отличие от аналогового фильтра передаточная функция не зависит от дрейфа характеристик элементов). Гибкость настройки, лёгкость изменения.Компактность — аналоговый фильтр на очень низкую частоту (доли герца, например) потребовал бы чрезвычайно громоздких конденсаторов или индуктивностей. Недостатками цифровых фильтров по сравнению с аналоговыми являются: Трудность работы с высокочастотными сигналами. Полоса частот ограничена частотой Найквиста, равной половине частоты дискретизации сигнала. Поэтому для высокочастотных сигналов применяют аналоговые фильтры, либо, если на высоких частотах нет полезного сигнала, сначала подавляют высокочастотные составляющие с помощью аналогового фильтра, затем обрабатывают сигнал цифровым фильтром. Трудность работы в реальном времени — вычисления должны быть завершены в течение периода дискретизации. Для большой точности и высокой скорости обработки сигналов требуется не только мощный процессор, но и дополнительное, возможно дорогостоящее, аппаратное обеспечение в виде высокоточных и быстрых ЦАП и АЦП. Различают два вида реализации цифрового фильтра: аппаратный и программный. Аппаратные цифровые фильтры реализуются на элементах интегральных схем, тогда как программные реализуются с помощью программ, выполняемых ПЛИС, процессором или микроконтроллером. Преимуществом программных перед аппаратным является лёгкость воплощения, а также настройки и изменений, а также то, что в себестоимость такого фильтра входит только труд программиста. Недостаток — низкая скорость, зависящая от быстродействия процессора, а также трудная реализуемость цифровых фильтров высокого порядка.

Понятия: информация, сообщения, сигналы. Под информацией понимают совокупность сведений, данных о каких-либо событиях, явлениях или предметах. В отличие от материального и энергетического ресурсов, информационный ресурс не уменьшается при потреблении, накапливается со временем, сравнительно легко и просто с помощью техниче­ских средств обрабатывается, хранится и передаётся на значительные расстоя­ния. Для передачи или хранения информации используют различные знаки (символы), позволяющие выразить (представить) её в некоторой форме. Совокупность знаков, отображающих ту или иную информацию, называют сообще­нием. Передача сообщений (а, следовательно, и информации) на расстояние осуществляется с помощью какого-либо материального носителя (бумаги, магнитной ленты и т.д.) или физического процесса (звуковых или электромагнитных волн, тока и т.д.). Физический процесс, отображающий (несущий) переда­ваемое сообщение, называется сигналом. Сигналы формируются путём измене­ния тех или иных параметров физического носителя в соответствии с переда­ваемым сообщением. Этот процесс (изменения параметров носителя) принято называть модуляцией. Сигнал передаёт (развёртывает) сообщение во времени. Следовательно, он всегда является функцией времени, даже если сообщение (например, неподвижное изображение) таковым не является. Если сигнал представляет собой функцию х(f), принимающую только определённые дискретные значения х (например, 1 и 0), то его называют дискретным или дискретным по уровню (амплитуде). Точно так же и сообщение, принимающее только некоторые определённые уровни, называют дискретным, Если же сигнал (или сообщение) может принимать любые уровни в некотором интервале, то они называются непрерыв­ными или аналоговыми.

Поясните принцип работы системы расширения спектра с (псевдослучайной) перестройкой во времени. Двоичные информационные сигналы имеют биполярное представление, т.е. поляризация псевдослучайной последовательности (ПСП) информационными битами эквивалентна умножению этой последовательности на -1 или +1. На основании выше изложенной можно сделать вывод о том, что ПСП рассматривается в качестве элементарного сигнала, характеризующего один информационный бит, в то время как та же самая последовательность с обратной полярностью представляет собой логическое отрицание бита. Эффект расширения спектра возможен и тогда, когда период псевдослучайной последовательности превышает длительность одного информационного бита.

Пояснить кодовое разделение каналов. CDMA (Code Division Multiple Access) - множественный доступ с кодовым разделением, сообщения от абонентов шифруются и передаются одновременно, этот способ имеет опре­деленные достоинства (например, скрытность информации), но при этом для передачи тре буется довольно широкая полоса частот, что может быть недостатком при ограниченности частотного ресурса. Наиболее широко в оборудовании радиодоступа применяются перечисленные ниже стандарты: СТ-2 (и ее модификации), DECT (PRE-DECT). CDMA (IS-95), D-AMPS. MGW Hopping (MultiGain Wireless).

Предлагаемые пути решения проблем в сотовой связи. В период создание новых поколений систем сотовой связи столкнулось с физическими ограничениями при реализации радиоинтерфейсов и недостатками топологии сотовой связи. Существующие физические ограничения в сотовой связи объективны и принципиально не устранимы, а также сужают рамки возможностей сотовой связи. Применение технологий OFDM и MIMO (WiMAX, LTE) частично снижает негативное влияние многолучевого распространения радиоволн, а недостатки топологии сотовой связи прежде всего затрагивают интересы операторов (а не поставщиков оборудования). Поэтому операторы заинтересованы в поиске новых способов построения систем сотовой связи. UTI, 3GPP проводят работу по по развитию сотовой связи, как например применения интеллектуальных антенн, адаптивных методов модуляции и др.

Преобразование дискретного сообщения в сигнал. Преобразование дискретного сообщения в сигнал обычно осуществляется в виде двух операций — кодирования и модуляции. Кодирование представляет собой преобразование сообщения в последовательность кодовых символов, а модуляция — преобразование этих символов в сигналы, пригодные для переда­чи по каналу. С помощью кодирования и модуляции источник сообщений согласуется с каналом. При кодировании происходит процесс преобразования элементов сообщения в соответствующие им числа (кодовые символы). Каждому элементу со­общения присваивается определённая совокупность кодовых символов, которая называется кодовой комбинацией. Совокупность кодовых комбинаций, отобра­жающих дискретные сообщения, образует код. Правило кодирования может быть выражено кодовой таблицей, в которой приводятся алфавит кодируемых сообщений и соответствующие им кодовые комбинации. Общий принцип модуляции состоит в изменении одного или нескольких параметров несущего колебания (переносчика) f (t, а,β, ...) в соответствии с пе­редаваемым сообщением. Так, если в качестве переносчика выбрано гармони­ческое колебание f(t) = Ucos(ω₀ t + (φ), то можно образовать три вида модуля­ции: амплитудную (AM), частотную (ЧМ) и фазовую (ФМ).

Преобразование цифровых потоков в линейные (канальные) сигналы. реобразование цифрового потока осуществляется посредством цифровой модуляции. Модуляция – это процесс изменения каких-либо параметров несущего сигнала под действием информационного потока. Для каждого канала используется в линии своя полоса частот. Для этой цели каждый исходный сигнал преобразуется в модуляторе с помощью несущей частоты fнес.пер. На приемном конце производится обратное преобразование с помощью fнес.пр. На выходе модулятора в общем случае присутствуют несущая и две боковых полосы частот. Различают следующие способы формирования канальных сигналов: Передача двух боковых полос и несущей частоты; Передача двух боковых полос без несущей; Передача одной боковой полосы (ОБП) с несущей; Передача ОБП без несущей.

При каком замирании отдельные составляющие принимаемого сигнала имеют разные амплитуды и сдвиги начальной фазы При частотно-селективных замираниях отдельные составляющие принимаемого сигнала имеют разные амплитуды и сдвиги начальной фазы, но главное, что разброс задержки сигнала (т. е. разность хода лучей по времени) соизмерим со значением 1/F (F – полоса частот передаваемого сигнала) или превышает его. Этот вид замираний приводит к искажению формы спектра и, как следствие, к снижению качества связи. Однако характер замираний на близко расположенных частотах практически одинаков, а степень корреляции сигналов достаточно высока, поэтому искажения начинают проявляться лишь в том случае, если полоса передаваемого сигнала превышает ширину так называемой полосы когерентности канала – B_c (т. е. сигнал «перехлестывает» область частот, в которой отдельные спектральные составляющие коррелированы). Таким образом, чем шире спектр передаваемого сигнала, тем в большей степени он подвержен частотно-селективным замираниям.

При синтезе систем связи для передачи информации через физические каналы мы используем математические модели, которые отображают наиболее важные характеристики среды передачи. Затем математическая модель канала используется для синтеза кодера и модулятора в передатчике и демодулятора и декодера в приёмнике. Ниже мы приводим краткое описание моделей каналов, которые часто используются для отображения многих физических каналов, с которыми мы сталкиваемся на практике. Канал с аддитивным шумом. Самая простая математическая модель для канала связи-это канал с аддитивным шумом, иллюстрируемый на рис. 1.3.1. В этой модели передаваемый сигнал s{t) подвержен воздействию лишь аддитивного шумового процесса n{t). Физически аддитивный шум возникает от посторонних электрических помех, электронных компонентов и усилителей в приёмнике систем связи, а также из-за интерференции сигналов. Если шум обусловлен в основном электронными компонентами и усилителями в приёмнике, его можно описать как тепловой шум. Этот тип шума характеризуется статистически как гауссовскип шумовой процесс. Как следствие, результирующую математическую модель обычно называют каналом с аддитивным гауссовским шумом. Поскольку эта модель применима к широкому классу физических каналов связи и имеет простую математическую интерпретацию, она является преобладающей моделью канала при анализе и синтезе систем связи. Затухание каналов легко включается в модель. Если при прохождении через канал сигнал подвергается ослаблению, то принимаемый сигнал R(t) = as(t)+n(t), где а - коэффициент затухания линейного канального фильтра. Линейный фильтровой канал. В некоторых физических каналах, таких как проводные телефонные каналы, фильтры используются для того, чтобы гарантировать, что передаваемые сигналы не превышают точно установленные ограничения на ширину полосы и, таким образом, не интерферируют друг с другом. Такие каналы обычно характеризуются математически как линейные фильтровые каналы с аддитивным шумом, что иллюстрируется на рис. 1.3.2. Следовательно, если на вход канала поступает сигнал s(t), на выходе канала имеем сигнал r (t) = s(t) *c(t) + n(t) = ∫_∞^∞ c(τ) ··s(t-τ)dτ + n(t), (1.3.2) где c(t) - импульсная характеристика линейного фильтра, а * обозначает свертку.