Темы: Напівпровідникові транзистори

•  За принципом дії транзистори поділяють на

• Біполярні

• Польові

7. Нанотранзистори

• Біполярні транзистори в порівнянні з польовими

• Більш потужні

• Більш високочастотні

5. Мають гірші динамічні характеристики

• Польові транзистори в порівнянні з біполярними

3. Менш потужні

Більш високочастотні

4. Менш високочастотні

6. Мають кращі динамічні характеристики

7. Мають кращі можливості автоматичного регулювання підсилення

• Основним матеріалом для виготовлення транзисторів слугує

•  Кремній

• Германій

• Арсенід галлію

• По типу провідності транзистори поділяють на

3. P-n-p

4. N-p-n

5.  N- канальні

6. P- канальні

• Нормальне ввімкнення p-n-p транзистора приведено на схемі

•  

• Нормальне ввімкнення n-p-n транзистора приведено на схемі

• 

• Інверсне ввімкнення n-p-n транзистора приведено на схемі

2

• Інверсне ввімкнення p-n-p транзистора приведено на схемі

2

• Емітерним переходом являється перехід

•   е-б

5. П1

• Колекторним переходом являється перехід

2. б-к

3. к-б

6. П2

• Вхідним струмом на схемі є

•  Іе

• Вихідним струмом на схемі є

3. Ік

• Згідно з першим законом Кірхгофа для колa

• 

• Коефіцієнт передачі струму n-p-n транзистора, ввімкненого по схемі зі спільною базою

5

• Коефіцієнт підсилення по напрузі n-p-n транзистора, ввімкненого по схемі зі спільною базою

4

• Для сучасних транзисторів коефіцієнт передачі струму

•  h21б = 0,95-0,99

4. h21е = 10-150

• Серед наведених вкажіть вхідні характеристики транзистора

•  

• Серед наведених вкажіть вихідні характеристики транзистора

4

• Серед наведених вкажіть характеристики передачі струму транзистора

2

• Серед наведених вкажіть характеристику зворотного зв’язку транзистора

• 

• Вказати схему ввімкнення зі спільною базою

• 

• Вказати схему ввімкнення зі спільною емітером

2

• Вказати схему ввімкнення зі спільним колектором

3

• Схема ввімкнення транзистора зі спільною базою характеризується

2. підсиленням потужності

3. підсиленням напруги

• Схема ввімкнення транзистора зі спільним емітером характеризується

•  підсиленням струму

•  підсиленням потужності

•  підсиленням напруги

•  Схема ввімкнення транзистора зі спільним колектором характеризується

• підсиленням струму

• підсиленням потужності

4. високим вхідним опором

5. низьким вихідним опором

• Зворотній струм колектора, це

2

• Струм неосновних носіїв заряду в колі колектора при розімкненому колі емітера

• Вхідна характеристика транзистора в схемі зі спільною базою приведена на рисунку

• 

• Вихідна характеристика транзистора в схемі зі спільною базою приведена на рисунку

3

• Вхідна характеристика транзистора в схемі зі спільним емітером приведена на рисунку

3

• Вихідна характеристика транзистора в схемі зі спільним емітером приведена на рисунку

• 

• В схемі зі спільною базою струм колектора визначається співвідношенням

• 

• Про дифузійний характер колекторного струму в схемі зі спільною базою свідчить

2. Велике значення колекторного струму при напрузі на колекторі, рівній нулю

3. Колекторний струм практично не залежить від Uкб

• Коефіцієнт передачі струму в схемі зі спільним емітером

456

• В схемі зі спільним емітером струм колектора

• 

• 

• Пробивна напруга в схемі зі спільним емітером менша, ніж в схемі зі спільною базою тому, що в схемі зі спільним емітером

• зменшується ширина бази внаслідок розширення колекторного переходу при збільшенні зворотної напруги Uке

• зменшується рекомбінація неосновних носіїв в базі

• збільшуються струми бази і колектора

• має місце велика залежність коефіцієнту передачі струму бази від напруги на колекторі

• При аналізі режиму роботи транзистора по схемі

використовують наступні рівняння другого закону Кірхгофа

• 

• Режим роботи транзистора називається динамічним, тому що

• В транзисторі під час проходження сигналу одночасно змінюються всі напруги

• Зміна колекторного струму залежить не лише від зміни струму бази, а від зміни колекторної напруги, яка, в свою чергу, залежить від зміни як базового, так і колекторного струмів

• При побудові навантажувальної прямої значення колекторного струму при напрузі Uке=0 є

• 

• При побудові навантажувальної прямої значення напруги Uке при колекторному струмові   є

2

• Робочою точкою називається

• Точка перетину динамічної характеристики із статичною при заданому вхідному струмові

• Форма і амплітуда вихідного сигналу в схемі зі спільним емітером визначається

• Положенням робочої точки

• Режим, позначений на рисунку І використовується для

2.  підсилення сигналу

• Режим, позначений на рисунку ІІ використовується для

2. перемикання із ввімкненого стану у вимкнений стан

 

• Режим, позначений на рисунку ІІІ використовується для

• 5. перемикання із вимкненого стану у ввімкнений стан

• Режим, позначений на рисунку ІY використовується для

6.  спеціальних типів транзисторів

• Режим, відповідаючий ділянці AF навантажувальної характеристики називається

5. насичення

• Режим, відповідаючий ділянці AG навантажувальної характеристики називається

3. підсилювальним

• Режим, відповідаючий ділянці GH навантажувальної характеристики називається

4. відсічки

• Умовою насичення транзистора є

• 

• 

• Умовою відсічки транзистора є

• 

• 

• Еквівалентна схема польового транзистора при низьких частотах

4

• Еквівалентна схема транзистора, ввімкненого по схемі зі спільним емітером

2

3

• Еквівалентна схема транзистора, ввімкненого по схемі зі спільною базою

• 

• Схема Дарлінгтона приведена на рисунку

• 

• Структура польового транзистора з затвором у вигляді p-n переходу наступна

• 

•  Структура польового транзистора з вбудованим каналом наступна

3

• Структура польового транзистора з індукованим каналом наступна

3

• Структура керованого тиристора наступна

• 

• Вхідна характеристика польового транзистора з p-n переходом

4

• Вхідна характеристика польового транзистора з вбудованим каналом

3

• Вхідна характеристика польового транзистора з індукованим каналом

2

• Вихідна характеристика польового транзистора з індукованим каналом

3

• Вихідна характеристика польового транзистора з вбудованим каналом

3

• Вихідна характеристика польового транзистора з p-n переходом

2

• Схематичне зображення польового транзистора з p-n переходом

• 

• Схематичне зображення польового транзистора з індукованим каналом

3.

• Схематичне зображення польового транзистора вбудованим каналом

4

•  В залежності від технології ІМ поділяють на

• Напівпровідникові

• Плівкові

5. Гібридні

• По характеру виконуваних операцій ІМ поділяють на

6. Аналогові

7.  Цифрові

• Ступенем інтеграції називається

5. Величина K=lgN округлена до більшого цілого числа

•  Аналогові ІС поділяються на

•  Інформаційні

•  Силові