- •Теоретическая часть
- •Порядок выполнения работы
- •Обработка результатов
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Рекомендуемая литература
- •Теоретическая часть
- •Порядок выполнения работы
- •Обработка результатов
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Рекомендуемая литература
- •Теоретическая часть
- •Порядок выполнения работы
- •Обработка результатов
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Рекомендуемая литература
- •Теоретическая часть
- •Порядок выполнения работы
- •Обработка результатов
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Рекомендуемая литература
- •Теоретическая часть
- •Порядок выполнения работы
- •Обработка результатов
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Рекомендуемая литература
творе и подложке. При увеличении обратного напряжения на стоке ток достигает насыщения при Uсп >3ϕT .
Если напряжение затвор–исток поддерживается постоянным, то МОП структуру при управлении по подложке можно рассматривать как продольный биполярный транзистор, у которого роль эмиттера выполняет исток, роль коллектора – сток, а базой является подложка. Такой транзистор имеет большой коэффициент усиления при напряжениях база–эмиттер Uбэ (что соответствует напряжению подложка–исток Uпи), меньших напряжения "пятки" (порядка 0,4-0,5 В) обычного кремниевого p-п-перехода, т.е. он обладает хорошими усилительными свойствами в режиме микротоков. Фиксируя различные напряжения на затворе, можно изменять коэффициент усиления продольного транзистора. Второй особенностью такого биполярного транзистора является то, что его выходная характеристика насыщается при напряжениях порядка 3ϕT ≈ 0,075В, т.е. напряжения "нуля" в таком транзисторе всегда
менее 0,1 В.
Порядок выполнения работы
1.Снять стокозатворную характеристику МОП-транзистора в обычном включении.
2.Снять подпороговую стокозатворную характеристику при заземленной подложке и двух значениях напряжения сток–исток (в омической области и области насыщения).
3.Снять входную и выходную ВАХ продольного биполярного транзистора для нескольких фиксированных значений напряжения на затворе.
4.Измерить коэффициент усиления биполярного транзистора для разных значений напряжений подложка–исток и затвор–исток.
Обработка результатов
1.Определить пороговое напряжение МОП-транзистора.
2.Рассчитать изменение напряжения на затворе, требуемое для изменения тока стока в подпороговой области на порядок.
3.Оценить напряжение насыщения продольного биполярного транзистора.
63
4.Построить зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от напряжения подложка–исток для нескольких значений напряжения затвор–исток.
5.Оценить величину времени жизни в приповерхностной области транзистора.
Требования к отчету
Отчет по лабораторной работе должен содержать:
•титульный лист;
•краткое описание порядка выполнения работы;
•экспериментальные зависимости Ic(Uз) в обычном и подпороговом режимах;
•величину порогового напряжения;
•входные и выходные ВАХ продольного биполярного транзистора;
•экспериментальные зависимости коэффициента усиления биполярного транзистора от напряжения подложка–исток для нескольких значений напряжений затвор–исток;
•расчетную величину времени жизни в приповерхностной области.
Контрольные вопросы
1.Какова природа тока стока в подпороговой области?
2.В каких пределах изменяется поверхностный потенциал в подпороговои области?
3.Как зависит коэффициент усиления биполярного транзистора от режима?
4.Что такое потенциал Ферми?
5.Какова связь приповерхностного времени жизни и плотности поверхностных состояний?
Рекомендуемая литература
Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 2.
64