Правила по оформлению Вопросов на ГОСы 2012 (ЕС-08):

1. Оформлять в формате .doc (Word2003); в крайнем случае - .docx (Word2007/2010).

2. Установить в файле на листе поля 0.7 см на каждую сторону, ориентация книжная.

3. Должны чётко выделяться абзацы, примерно 1см (Формат\Абзац\Первая строка: Отступ, 1см)

4. Текст упорядочить по ширине, картинки - по центру.

5. ВЕСЬ текст должен быть 14 шрифтом Times New Roman (без уплотнения или разрежения шрифта).

6. Междустрочный интервал – Одинарный, можно варьировать от 0.9 до 1.2 для заполнения страницы (Одинарный = Точно: 16пт).

7. Каждый вопрос желательно должен занимать 1 или 2 страницы текста (с картинками или без), но НЕ БОЛЕЕ 3 (трёх) страниц (если большие картинки).

8. КАЖДЫЙ вопрос должен начинаться с новой страницы, используйте Ctrl+Enter для перехода на новую страницу в Word.

9. Название вопроса с номером выделяется жирным с подчёркиванием, 14 шрифт.

10. В теле вопроса нужные слова (определения) можно выделять жирным, но НЕ курсивом и НЕ подчёркнутым и НЕ РеГиСтРоМ.

11. Вопрос желательно должен занимать оптимальное место на странице, т.е. заполнять страницу полностью. Для этого можно варьировать междустрочный интервал от 0.9 до 1.2 (исходя из установки Одинарный).

12. Обозначения (буквы, символы) на картинке желательно должны быть 14 размера (т.е. как текст в теле вопроса), но НЕ МЕНЬШЕ, чем в 2 раза меньше от 14 размера шрифта.

13. Каждая картинка (рисунок) должна быть подписана.

14. Цвет картинок не играет роли, если в тексте нет привязки к цвету.

15. Картинки должны быть чёткими, иметь читабельные обозначения.

16. Для всех картинок в меню «Обтекание текстом» выбрать «В тексте», в редких случаях (маленький или сильно вытянутый по вертикали рисунок) можно «Вокруг рамки» и придвинуть картинку к левому или правому полю листа.

17. В редких случаях допускается не подписывать название картинки (если маленькая, напр. УГО диода, etc.).

18. Картинка может содержать название рисунка (рис.2.12, последняя страница)

19. Не надо вставлять номера страниц на листы.

20. Тематика найденного материала должна абсолютно совпадать с названием вопроса, много воды лить не надо.

21. Далее приводятся примеры ответов на вопросы по ТТЕ с максимально точным соблюдением этих правил.

Все пункты правил имеют практическую пользу, неоднократно проверялись и являются обязательными; позволят продуктивно редактировать, а в последствии и скатывать собранный нами материал. (подробности? – в личку) by ZX

1.10 Импульсные диоды

Импульсный диод – это полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.

Импульсные режимы – это такие режимы, когда диоды переключаются с прямого напряжения на обратное через короткие промежутки времени, порядка долей микросекунды, при этом важную роль играют здесь переходные процессы. Основное назначение импульсных диодов – работа в качестве коммутирующих элементов. Условия работы импульсных диодов обычно соответствует высокому уровню инжекции, т. е. относительно большим прямым токам. Вследствие этого свойства и параметры импульсных диодов определяются переходными процессами.

Одной из первых была разработана конструкция точечного импульсного диода (рис. 2.11). Точечный диод состоит из кристалла германия, припаянного к кристаллодержателю, контактного электрода в виде тонкой проволоки и стеклянного баллона. Особенностью точечных диодов является большое сопротивление базы, что приводит к увеличению прямого напряжения на диоде.

В связи с недостатками точечных диодов они практически полностью вытеснены импульсными диодами, производство которых основано на современных производительных и контролируемых методах формирования p-n-переходов (планарной технологии, эпитаксиального наращивания). Основным исходным полупроводниковым материалом при этом служит кремний, а иногда арсенид галлия.

Рис. 2.11. Конструкция импульсного диода:

1 – кристалл полупроводника; 2 – кристаллодержатель; 3 – припой; 4 – контактная пружина;5 – стеклянный корпус; 6 – коваровая трубка; 7 – внешние выводы

В связи с недостатками точечных диодов они практически полностью вытеснены импульсными диодами, производство которых основано на современных производительных и контролируемых методах формирования p-n-переходов (планарной технологии, эпитаксиального наращивания). Основным исходным полупроводниковым материалом при этом служит кремний, а иногда арсенид галлия.

Для ускорения переходных процессов в кремниевых импульсных диодах и для уменьшения значения времени восстановления обратного сопротивления этих диодов в исходный кремний вводят примесь золота. Эта примесь обеспечивает появление в запрещенной зоне кремния энергетических уровней рекомбинационных ловушек и уменьшение времени жизни неосновных носителей.

В настоящее время большинство конструкций имеет металлокерамический, металлостеклянный или металлический корпус с ленточными выводами.

Рассмотрим процесс переключения такого диода при воздействии на него прямоугольного импульса (рис. 2.12).

При прямом напряжении на участке происходит инжекция носителей из эмиттерной области в базовую и их накопление там. При смене полярности напряжения на обратную в первый момент величина обратного тока будет значительна, а обратное сопротивление диода резко уменьшится, так как накопленные в базе неосновные носители под действием изменившегося направления напряженности электрического поля начнут двигаться в сторону p-n-перехода, образуя импульс обратного тока. По мере перехода их в эмиттерную область, их количество уменьшится и через некоторое время обратный ток достигнет нормального установившегося значения, а сопротивление диода в обратном направлении восстановится до нормальной величины.

Рис. 2.12. Переходные процессы в импульсном диоде

Процесс уменьшения накопленного заряда в базе называется рассасыванием, а время, в течение которого обратный ток изменяется от максимального значения до установившегося, называется временем восстановления обратного сопротивления. Время восстановления обратного сопротивления – один из важнейших параметров импульсных диодов. Чем оно меньше, тем диод лучше. Для улучшения свойств импульсных диодов исходный полупроводник выбирают с малым временем жизни носителей заряда (для более интенсивного процесса рекомбинации в базе), а сам p-n-переход делают с малой площадью, чтобы снизить величину барьерной емкости перехода.

Выводы:

1. Импульсные диоды работают в режиме электронного ключа.

2. Длительность импульсов может быть очень мала, поэтому диод должен очень быстро переходить из одного состояния в другое.

3. Основным параметром, характеризующим быстродействие импульсных диодов является время восстановления обратного сопротивления.

4. Для уменьшения используют специальные меры, ускоряющие процесс рассасывания неосновных носителей заряда в базе.

5. Требованиям, предъявляемым к импульсным диодам, хорошо удовлетворяют диоды на основе барьера Шоттки, которые имеют очень малую инерционность благодаря отсутствию инжекции и накопления неосновных носителей заряда в базе.