Контрольные вопросы

1. Какие операции определяет понятие «обращение к ЗУ»?

2. Какие единицы измерения используются для указания емкости запоминающих устройств?

3. В чем отличие между временем доступа и периодом обращения к запоминающему устройству?

4.Чем вызвана необходимость построения системы памяти по иерархическому принципу?

5. Что включает в себя понятие «локальность по обращению»?

6.Благодаря чему среднее время доступа в иерархической системе памяти опре­деляется более быстродействующими видами ЗУ?

7.Что в иерархической системе памяти определяют термины «промах» и «попадание»

8.На какие вопросы необходимо ответить, чтобы охарактеризовать определен­ный уровень иерархической памяти?

9. Какие виды запоминающих устройств может содержать основная память?

10. Охарактеризуйте возможные варианты построения блочной памяти.

11. Какие возможности по сокращению времени доступа к информации предоставляет блочная организация памяти?

12. Чем обусловлена эффективность расслоения памяти?

13. Какая топология запоминающих элементов лежит в основе организации полу­проводниковых ЗУ?

14. Какое минимальное количество линий должен содержать столбец ИМС памяти?

15. Поясните назначение управляющих сигналов в микросхеме памяти.

16. Чем отличаются страничный, быстрый страничный и пакетный режимы досту­па к памяти?

17.Чем обусловлена необходимость регенерации содержимого динамических ОЗУ?

18. Охарактеризуйте основные сферы применения статических и динамических ОЗУ.

19. Какое влияние на асинхронный режим работы памяти оказывает синхронный характер работы контроллера памяти?

20. В чем состоит особенность подхода, применяемого в микросхемах ОЗУ типа KDRAM и SLDRAM?

21. Какой вид ПЗУ обладает наиболее высокой скоростью перепрограммирования?

22. Какими методами обеспечивается энергонезависимость ОЗУ?

23. В чем состоит различие между режимами стандартной и запаздывающей записи в статических ОЗУ?

24. В чем проявляется специфика ОЗУ, предназначенных для видеосистем?

25. Каким образом в многопортовых ОЗУ разрешаются конфликты при одновременном доступе к памяти?

26. Какую функцию выполняет система семафоров в многопортовой памяти?

27. Для каких целей предназначена память типа FIFO?

28. Какая идея лежит в основе систем обнаружения и коррекции ошибок?

29. Какие ошибки может обнаруживать схема контроля по паритету?

30. От чего зависят возможности выявления и коррекции ошибок с использонием кода Хэмминга?

31. Поясните назначение и принцип формирования кода синдрома в системе коррекции ошибок.

32. Чем объясняется тенденция размещения стека в области старших адресов основной памяти?

33. Какая информация хранится в указателе стека?

34. Поясните назначение маски в ассоциативном запоминающем ЗУ.

35. Как реализуется запись новой информации в ассоциативное ЗУ?

36. Какие виды поиска можно осуществлять в ассоциативном ЗУ?

37. Поясните назначение и логику работы кэш-памяти.

38. Какие проблемы порождает включение в иерархию ЗУ кэш-памяти?

39. Чем обусловлено разнообразие методов отображения основной памяти на кэш­ память?

40. Какому требованию должен отвечать «идеальный» алгоритм замещения содержимого кэш-памяти?

41. Какими методами обеспечивается согласованность содержимого основной и кэш-памяти?

42. Чем обусловлено введение дополнительных уровней кэш-памяти?

43. Какие факторы влияют на выбор емкости кэш-памяти и размера блока?

44. Как соотносятся характеристики обычной и дисковой кэш-памяти?

45. Какими средствами обеспечивается виртуализация памяти?

46. Существует ли ограничение на размер виртуального пространства?

47. Что определяет объем страничной таблицы?

48. Какими приемами достигают сокращения объема страничных таблиц?

47. Какие алгоритмы замещения используются при загрузке в основную память новой виртуальной страницы?

47. Поясните назначение буфера быстрого преобразования адреса (TLB).

48. Чем мотивируется разбиение виртуальных секторов на страницы?

47. Какая часть виртуального адреса остается неизменной при его преобразовании в физический адрес?

47. Чем обусловлена необходимость защиты памяти?

1¹ В полупроводниковых ЗУ применяются запоминающие элементы на основе: биполярных транзисторов приборов со структурой «металл-окисел-полупроводник» (МОП-транзисторов); приборов со структурой «металл-нитрид-окисел-полупроводник» (МНОП); приборов с зарядовой связью (ПЗС); транзисторов с изолированным затвором и др.

2Диаграмма Венна — это графическое представление операций над множествами, где множества обозначаются замкнутыми областями, содержащими внутри себя все элементы этих множеств. Диаграмма используется для отображения логических отношений между элементами множеств. Так, заштрихованная