ЛЕКЦИЯ 26. ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ. НАНОЭЛ-КА–НОВЫЙ ИСТОР. ЭТАП Р-ИЯ ЭЛЕКТРО

26.3. Технологические особенности формирования наноструктур и элементы наноэлектроники.

Чрезвычайно важно отметить, что при поперечных размерах квантовых проводников порядка 20Ǻв них з а счет поперечного квантования электронов значительно уменьшается рассеяние энергии и, следовательно, резко повышается быстродействие. При размерах полевого транзистора, приведенного на рис. 26.6, д, его быстродействие лежит в терагерцовом диапазоне.

Отметим еще одну принципиальную особенность отечественной нанотехнологической установки. С ее помощью можно наращивать на подложке не только продольные квантовые проводники, но и последовательно формировать трехмерные элементы. Это открывает практически неограниченные возможности разрешения проблемы «тирании» проводников. На основе трехмерных связей могут быть реализованы не только апробированные в микроэлектронике элементы, но и весьма экзотические нейроструктуры.

Магистральным путем решения проблемы повышения производительности однозондовых нанотехнологических установок является создание многозондовых машин.

Формирование электрических сигналов с временем фронта 10–14 с и распространение их по двухпроводным нанопроводникам, являющимся металлооптическими волноводами, обеспечивает реальную интеграцию в единой среде всей гаммы электронных и оптоэлектронных схем.

Высокая степень интеграции наноэлектронных структур, быстродействие, трехмерная сборка элементов и уменьшенное энергорассеяние закладывают фундамент для приоритетного развития на их основе быстродействующих устройств обработки информации. В частности, уже в ближайшие годы могут быть промышленно реализованы элементы памяти со сверхвысокой плотностью (1012 бит/см2) записи информации, что в тысячи раз превосходит плотность записи на традиционных лазерных дисках.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Учитывая резкий рост публикаций по нанотехнологиям, структурам и приборам и широчайший характер практических направлений исследований, можно с уверенностью сказать, что наноэлектроника стала логическим продолжением развития микроэлектроники.

Нанотехнологии обеспечивают не только успехи в развитии элементной базы электроники. Уже в настоящее время нанотехнологические разработки используются в медицине, робототехнике, машиностроении, атомной энергетике, оборонных системах и многих других областях. Не случайно в подавляющем большинстве развитых стран огромное внимание уделяется поддержке национальных программ по нанотехнологиям. Начало XXI в. характеризуется бурным развитием нанотехнологий вообще и

наноэлектроники в частности.

 Электроника. Конспект лекций

-329-

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1.Гуртов, В. А. Твердотельная электроника: учеб. пособие / В. А. Гуртов. – 2-е изд., доп. – М.: Техносфера, 2005. – 408 с.

2.Степаненко, И. П. Основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов / И. П. Степаненко. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Лаборатория базовых знаний, 2001. – 488 с.

3.Драгунов, В. П. Основы наноэлектроники: учеб. пособие / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин. – Новосибирск: Изд-во НГТУ,

2000. – 332 с.

4.Пасынков, В. В. Полупроводниковые приборы: учеб. для вузов / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. – 6-е изд., стер. – СПб.: Лань, 2002. – 480 с.

5.Россадо, Л. Физическая электроника и микроэлектроника / Л. Россадо. – М.: Высш. шк., 1991. – 352 с.

6.Ефимов, И. Е. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность: учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов / И. Е. Ефимов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 1986. – 464 с.

7.Зи, С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи. – изд. 2-е

перераб. и доп. – М.: Мир, 1984. – Т. 1. – 456 с.; Т. 2. – 456 с.

8.Тилл, У. Интегральные схемы: материалы, приборы, изготовление / У. Тилл, Д. Лаксон. – М.: Мир, 1985. – 504 с.

9.Блейкмор, Д. Физика твердого тела / Д. Блейкмор. – М.: Мир, 1988. –

608 с.

10.Сугано, Т. Введение в микроэлектронику / Т. Сугано, Т. Икома,

Е. Такэиси. – М.: Мир, 1988. – 320 с.

11.Смит, Р. Полупроводники / Р. Смит. – М.: Мир, 1982. – 560 с.

12.Каганов, М. И. Электроны, фононы, магноны / М. И. Каганов. – М.,

1979. – 192 с.

13.Кэррол, Дж. СВЧ-генераторы на горячих электронах: пер. с англ. / Дж. Кэрролл. – М.: Мир, 1972. – 382 с.

14.Жеребцов, И. П. Основы электроники / И. П. Жеребцов. – 5-е изд., перераб. и доп. – Л.: Энергоатомиздат. Ленинградское отделение, 1990. – 352 с.: ил.

 Электроника. Конспект лекций

-330-