Кремниевые технологии производства солнечных модулей: поликристаллический кремний (ПКК) и тонкие пленки
|
Кремниевые технологии производства солнечных модулей: |
Необходимое количество Si на 1 модуль: |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
толщина кремниевой |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Трихлорсилан |
|
|
|
|
|
Моносилан |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КРЕМНИЙ |
|
|
|
|
|
|
|
|
пластины ~200 микрон |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Поликремний |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1/600 |
|
кремниевая |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
Мульти/монокристаллический |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
пластина |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
толщина кремниевой |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
кремний |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
пленка |
пленки ~0,3 микрон |
|
|
|
электрод |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
Пластины |
|
|
|
|
|
|
|
|
кремниевая |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
электрод |
|
|
|
|
||||||
|
Фотоэлектрические |
|
|
|
|
|
|
|
|
модуль на базе |
|
||||||||
|
преобразователи (ФЭП) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
модуль на базе |
классической |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
тонкопленочных |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
Солнечные модули |
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ехнологий |
технологии |
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Преимущества «тонкопленочных» модулей: |
|||||||||
|
Солнечные модули |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Производство солнечных модулей по технологии |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
тонких пленок позволяет избежать нескольких |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
переделов (по сравнению с традиционной |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
технологией), что значительно сказывается на |
|||||||
|
Модули, произведенные по |
Модули, произведенные по |
капитальных затратах при строительстве нового |
||||||||||||||||
традиционным технологиям на базе ПКК |
тонкопленочным технологиям |
завода |
|
|
|
|
|||||||||||||
Толщина слоя Si в тонкопленочном модуля в 600 раз |
|||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
Традиционные |
Тонкопленочные |
(!) меньше толщины Si слоя в модуле, |
|
|||||||||||||
|
|
|
произведенном по традиционной технологии, что |
||||||||||||||||
|
|
технологии на базе |
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
технологии |
значительно сказывается на экономии основного |
||||||||||||||||
Эффективность модуля |
|
ПКК |
7% - 10% |
|
|
|
|
сырья при производстве |
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
Большая надежность в жарком климате |
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
Мощность |
|
~150 Вт/м2 |
~120 Вт/м2 |
|
|||||||||||||||
|
Низкий уровень эксплуатационных расходов |
|
|||||||||||||||||
|
|
15% - 17% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
Лучший коэффициент деградации Возможность BIPV использования
Современное состояние развития
использования гелиостанций в России и зарубежом.
Мировое производство модулей (Источник: EPIA)
Соотношение спроса и предложения на солнечные модули
Современное состояние развития использования гелиостанций в России и зарубежом.
в |
России |
|
|
|
в мире |
|
к |
2020 |
г. |
(директива |
||||
Вцелом |
по |
России |
доля |
ЕС: |
20% |
|||||||||
ЕС) |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
электроэнергии, |
вырабатываемой |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
США: |
22% |
к |
2020г. |
(прогноз |
||||||||||
на |
ВИЭ, составляет |
1% (2008г.). |
||||||||||||
Министерства |
|
|
|
|
||||||||||
Распоряжение Правительства РФ |
энергетики |
США) |
|
|
|
|||||||||
В мире: |
380 |
ГВт |
в |
2010г. |
||||||||||
(январь |
2009г.): |
|
к 2020 |
доля |
(прогноз |
IEA) |
|
|
|
|
||||
ВИЭ вырастет до 4,5% (включая |
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
малые |
ГЭС Ключевые |
факторы |
развития |
|
||||||||||
до |
25 |
МВт). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ориентированность государства |
|
на |
развитие |
||||||||||
|
|
ВИЭ: |
|
«России |
необходимо |
|
|
развивать |
||||||
|
|
возобновляемые |
источники |
|
|
энергии»- |
||||||||
|
|
Президент |
РФ |
Медведев |
Д.А. |
(май |
2010 |
г.) |
||||||
|
|
до |
1 |
сентября |
2010 |
|
г. |
принять |
||||||
|
|
|
|
|
меры, |
|
|
|
|
|
|
|
||
