Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

TESTY_GOTOVYE_TPEMV_1sem2014-ok

.docx
Скачиваний:
69
Добавлен:
09.02.2016
Размер:
1.31 Mб
Скачать

В) 0,4м.

С) 0,54м.

Д) 0,7м.

Е) 0,5м

8.

Функция Гамильтона свободной релятивистской частицы следует из:

А)

В)

С)

Д)

Е)

9.

Импульс и энергия частицы образуют 4-х мерный импульс:

А)

В)

С)

Д)

Е)

10.

Уравнение Гамильтона-Якоби для свободной частицы выражается:

А)

В)

С)

Д)

Е)

$$49$$

1.

Формулой Лоренц-Лоренца, применимой к диэлектрикам любого класса, является:

А)

В)

С)

Д)

Е)

2.

Закон преобразования плотности заряда следует из:

А)

В)

С)

Д)

Е)

3.

Пространственно-временные компоненты тензора связаны с плотностью импульса электромагнитного поля выражением:

А)

В)

С)

Д)

Е)

4.

Поле излучения на больших расстояниях для скалярного потенциала можно положить:

А)

В)

С)

Д)

Е)

5.

Проводники в сверхпроводящем состоянии являются:

А) Идеальными диамагнетиками, т.е. внутри них всегда B=0.

В) Парамагнетиками.

С) Идеальными проводниками или проводниками с бесконечной проводимостью.

Д) Идеальными диамагнетиками

Е) Идеальными проводниками

6.

Сила, действующая на электрический диполь:

А)

В)

С)

Д)

Е)

7.

"След" тензора энергии-импульса электромагнитного поля:

А)

В)

С)

Д)

Е)

8.

Поперечный эффект Доплера выражается:

А)

В)

С)

Д)

Е)

9.

Уравнение непрерывности в четырехмерной форме:

А)

В)

С)

Д)

Е)

10.

Уравнение движения заряда в постоянном однородном электрическом поле:

А)

В)

С)

Д)

Е)

$$50$$

1

Формула, выражающая закон полного тока:

А)

В)

С)

Д)

Е)

2.

Зависимость магнитной восприимчивости ферромагнетиков (χф) от температуры в области выше температуры Кюри (Т0):

А) χф~1/(Т-Т0)

В) χф~Т/Т0

С) χф0/T

Д) χф~1/(Т-Т0)2

Е) χф~(Т-Т0)

3.

Формула, выражающая величину силы, действующей на элемент тока в магнитном поле с индукцией :

А)

В)

С)

Д)

Е)

4.

Логарифмический декремент затухания:

А) логарифм относительного изменения амплитуды колебаний за один период

В) логарифм изменения амплитуды колебаний за единицу времени

С) логарифм относительного изменения показателя затухания

Д) логарифм показателя затухания колебаний

Е) логарифм изменения амплитуды

5.

Уменьшение величины сопротивления нагрузки R, подключенного к источнику ЭДС с внутренним сопротивлением r<R, приводит в этой нагрузке к:

А) увеличению мощности

В) уменьшению количества выделенной теплоты

С) уменьшению мощности

Д) неизменности мощности

Е) увеличению напряжения

6.

Напряженность электрического поля вне металлической сферы, в центре которой находится заряженный шар, создается:

А) полем индуцированного положительного заряда внешней поверхности сферы

В) полем положительного заряда шара

С) полем индуцированного отрицательного заряда внутренней поверхности сферы

Д) рана нулю

Е) полем отрицательного заряда шара

7.

Электрон-вольт:

А) энергия, приобретаемая электроном при прохождении напряжения в 1 В

В) скорость, приобретаемая электроном при прохождении напряжения в 1В

С) энергия, приобретаемая электроном в поле напряженностью в 1В/м

Д) скорость, приобретаемая электроном в поле напряженностью в 1В/м

Е) импульс, приобретаемый электроном в единичном поле

8.

Зависимость вектора поляризации полярных диэлектриков от дипольного момента их молекул:

А) квадратичная

В) линейная

С) кубическая

Д) экспоненциальная

Е) логарифмическая

9.

Напряженность электрического поля в центре тонкой нити в продольном направлении, если на ее длине равномерно распределен заряд q:

А) 0

В)

С)

Д)

Е)

10.

Напряженность электрического поля, создаваемая положительно заряженными бесконечными параллельными пластинами с поверхностной плотностью 1 и 2, соответственно, слева от первой пластины:

А)

В)

С)

Д)

Е)

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]