Эквивалентная схема транзистора

- дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода включенного в прямом направлении

- емкость эмиттерного перехода

-сопротивление области базы, базовому току (100Ом-1кОм)

-сопротивление коллекторного p-n перехода, включенного в обратном направлении (100кОм)

-емкость коллектора (Барьерная емкость)

- генератор тока, показывающий, что весь ток со входа будет переходить на выход

>на порядок

уменьшается быстрее, чем при повышении частоты.

Рассмотрим, какая из емкостей оказывает более сильное влияние на работу транзистора на ВЧ.

Ёмкость C_э, имеющая величину на порядок большеC_к, шунтирует очень маленькое сопротивление эмиттерного перехода. Частотаw, на которой сопротивлениеC_эбудет меньшеR_эдолжна быть очень высокой. С_кшунтирует большое сопротивление (до МОм) обратно смещённого коллекторного перехода. В связи с этим частота, на которой будет проявляться шунтированиеR_к, т.е. сопротивлениеC_кменьшеR_к, более низкая, чем в первом случае. Поэтому при анализе работы транзистора на ВЧ учитывается влияние только С _к.

На НЧ практически весь ток будет протекать через нагрузку, т.к. R_квелико иX_{С к} тоже велико.

На ВЧ X_Смало и часть тока будет перераспределяться с цепи, состоящей изR_н+R_Б, в цепь, состоящую из С _к. Ток в нагрузке уменьшается, уменьшается коэффициент усиления по току и напряжению, а следовательно, и по мощности.

Коэффициент передачи тока в схеме с общей базой ВЧ и при обратном импульсном сигнале

Рассмотрим в начале процесс восстановления тока ипри включении напряжения, предположив, чтоувеличивается скачком, и т.к. процесс в эмиттерном переходе практически безинерционны и ток эмиттера увеличивается скачком.

Наличие интервала времени в течение которого происходят нарастания объясняется тем, что дырки диффундирующие в базу имеют свои тепловые скорости и в начале только часть дырок подходят к коллекторному переходу, а затем их количество увеличивается и становится постоянным в течение действия определенногона входе,

В это время будет изменяться коэффициент по току: где- коэффициент передачи по току на низкой частоте

Инерционность движение дырок в базе сказывается и в случае работы транзистора в режиме усиления синусоидального сигнала ВЧ. Если время движения дырок от эмиттерного перехода к коллекторному в p-n-p транзисторе сравнимо с периодом усиления сигнала, то закон изменения концентрации дырок в Б инжектированных Э не будет убывать от Э к К.

Если в какой-то момент времени амплитуда переменного сигнала будет увеличивать постоянное напряжение задающее прямое смещение на эмиттерном переходе , то поток дырок увеличивается ,т.к. высота барьера уменьшается.

Пусть в течении полупериода дырки дойдут до середины базы, полярность синусоидального сигнала изменится, величина прямого смещения уменьшится, поток инжектированных из Э дырок уменьшится.

В следствии этого в базе на ряду с диффузионным движением дырок по направлению к коллекторному переходу возникает диффузионное движение электронов, это приведет к уменьшению и к уменьшению коэффициента. Инерционность процессов в базе приводит к фазовому сдвигу между токамиистановится комплексной величиной.

Предельная частота

- это такая частота , на которой модуль коэффициента передачи по току уменьшается враз или 3дБ по сравнениюна низкой частоте.

Это из рассмотренного ранее видно, что частотные и импульсные свойства транзистора могут быть улучшены за счет уменьшения ширины базы и увеличения .

, можно увеличить за счет увеличения

Коэффициент передачи в схеме с помощью схеме с общим эмиттером более существенна зависит от частоты чем. Причина заключается в более большом различии фазовых сдвигов между входными и выходными токами.

Угол более сильно зависит от частоты.

,

- это частота при которой величина уменьшается враз.

Величина <<

Постоянная времени установления тока в коллекторной цепи больше

в схеме с ОЭ не зависит от ширины Б. И для её увеличения необходимо использовать материалы с высокой подвижностью носителей.

Для схемы с ОК зависимость коэффициента передачи по току приблизительно такая же.

Максимальная частота генерации.

- это частота на которой транзистор еще может служить усилителем и генератором уменьшится до единицы

- коэффициент

- та часть объемного сопротивления базы, через которую протекает ток заряда емкости

- постоянная времени цепи обратной связи

Учитывая, что можно получить зависимость частотыот физических параметров:

увеличивается при уменьшении ширины базы, ,и увеличении.

Фактор качества транзистора: