- •Вопрос 1
- •Вопрос 81
- •Вопрос 82
- •Вопрос 83
- •Вопрос 84
- •Вопрос 92
- •Вопрос 93
- •Вопрос 94
- •Вопрос 96
- •Вопрос 97
- •Вопрос 98
- •Вопрос 105
- •Вопрос 106
- •Вопрос 107
- •5 Режимов работы (прямого запирания, включения, прямой проводимости, обратного запирания, обратного пробоя).
- •Вопрос 111
- •Вопрос 112
- •Вопрос 114
- •Вопрос 115
- •Вопрос 117
- •Вопрос 118
- •Вопрос 119
- •Вопрос 121
- •Вопрос 122
- •Вопрос 124
- •Вопрос 125
- •Вопрос 126
- •Вопрос 127
- •Вопрос 128
- •Вопрос 129
- •Вопрос 132
- •Вопрос133
- •Вопрос 140
- •Вопрос 164
- •Вопрос 165
- •Вопрос 166
- •Вопрос 167
- •Вопрос 169
- •Вопрос 224
- •Вопрос 225
- •Вопрос 226
- •Вопрос 227
- •Вопрос 230
Вопрос 105
Если осветить p-n- переход диода, то на его контактах возникнет разность потенциалов. Какова будет её полярность?
+ на р
– на p
+ на n
– на n
Вопрос 106
В диоде с p-n- переходом увеличили степень легирования одной из областей. Что произойдет с величиной емкости перехода (при нулевом смещении)?
увеличится
уменьшится
не изменится
Вопрос 107
Какой диод более высокочастотный : АД110 или 3А530?
3A530
АД110
граничные частоты у них одинаковы
№вопрос108
Каковы режимы работы транзистора и чем они отличаются?
инверсный, насыщения, отсечки, активный. Отличаются полярностью напряжений на p-n-переходах
активный и пассивный. Отличаются величиной тока базы
активный, насыщения, отсечки, инверсный. Отличаются величиной тока коллектора.
№вопрос109
Для увеличения быстродействия МДП-транзистора необходимо
уменьшать длину канала
применить подзатворный диэлектрик с меньшей диэлектрической проницаемостью
увеличить толщину подзатворного диэлектрика
№вопрос110
В зависимости от напряжения на аноде и тока протекающего через тиристор выделяют
5 Режимов работы (прямого запирания, включения, прямой проводимости, обратного запирания, обратного пробоя).
2 режима работы (прямого запирания и включения)
7 режимов работы (прямого запирания, включения, активного усиления, насыщения, обратной проводимости, обратного запирания, обратного пробоя).
Вопрос 111
Для увеличения чувствительности фототранзистора следует
увеличить толщину базы и время жизни носителей в базе
уменьшить толщину базы и время жизни носителей в базе
увеличить толщину базы и уменьшить время жизни носителей в базе
Вопрос 112
Оптопара- это
№да
устройство, которое содержит светоизлучатель и фотоприемник, конструктивно связанные через оптическую среду, но развязанные гальванически
устройство, которое содержит светодиод и фотодиод, питаемые с помощью одного источника тока
оптопара – пара оптических приемников
устройство, в котором светоизлучатель и фотоприемник, связаны гальванически через оптическую среду
№вопрос113
При увеличении температуры диода его обратное сопротивление возрастает или падает?
падает
возрастает
не изменяется
Вопрос 114
Обратный ток p-n- перехода при увеличении степени легирования его областей
уменьшиться
увеличиться
не изменится
Вопрос 115
Область пространственного заряда
это область, обедненная подвижными носителями заряда
это область с повышенной концентрацией подвижных носителей заряда
это область, где заряд положительных ионов компенсирован зарядом подвижных электронов
№вопрос116
В реальном p-n-переходе прямой ток больше или меньше чем в идеализированном и по какой причине?
больше, из-за влияния последовательного сопротивления базы
меньше, из-за тока термегенерации, который направлен против прямого тока.
больше, из-за тока рекомбинации электронов и дырок в обедненной области
меньше, из-за эффектов инжекции, экстракции неосновных носителей и их диффузии в нейтральных областях