5)А)электронная пушка

-электронно-оптич. система, формирующая электронный пучок. Практически Э. п. наз. системы,формирующие высокоинтенсивные пучки с большим первеансом; системы, образующие узкиенеинтенсивные пучки - электронные лучи, используемые в разл. электронно-лучевых приборах, чаще наз.электронными прожекторами (см. Электронно-лучевые приборы).

Формирование интенсивных электронных пучков (с первеансом >=10^-⁷ А/В ³^/²) системой электронных линззатруднительно, т. к. собств. пространств. заряд электронов пучка существенно искажает фокусирующиеполя линз. Кроме того, само понятие "фокусировка" условно для интенсивных пучков, т. к. такие пучкипринципиально невозможно свести в точку (фокус). Поскольку интенсивный пучок в свободном от электpич. имагн. полей пространстве неограниченно расширяется, формирование устойчивого интенсивного пучкаопредел. конфигурации возможно лишь при условии компенсации расталкивающей силы пространств.заряда электронов пучка противоположно направленными силами, создаваемыми внешними (по отношениюк пучку) электрич. и магн. полями. Поэтому Э. п. должна содержать электроды, создающие вблизи границыпучка распределение потенциала, обеспечивающее равенство нулю нормальной к границе пучкасоставляющей напряжённости электрич. поля. Кроме того, для устойчивости пучка необходимо, чтобы присмещении электронов с границы пучка в любую сторону возникала сила, возвращающая их на границу пучка.

б) Электронная пушка состоит из катода, управляющего электрода (модулятора), ускоряющего электрода, и одного и более анодов. При наличии двух и более анодов, за первым анодом закрепляется термин фокусирующий электрод

С ускоряющим электродом вблизи катода

В некоторых случаях, когда требуется снимать с катода большие токи, применяется другой принцип построения прикатодной части пушки. Перед катодом располагается ускоряющий электрод, имеющий положительный потенциал в несколько вольт, далее — управляющий электрод, имеющий более высокий потенциал. В результате, для формирования пучка используются электроны, испущенные со всей активной поверхности катода, а не только с центральной области напротив диафрагмы модулятора, как в обычной пушке. Управление током луча осуществляется изменением положительного потенциала на управляющем электроде, играющем роль модулятора. При этом в цепи управляющего электрода протекает ток, не превышающий 100 мкА.

С магнитной фокусировкой луча

Электронная пушка с магнитной фокусировкой луча состоит из катода, модулятора, ускоряющего электрода и анода, фокусирующий электрод отсутствует.Главная фокусирующая линза создаётся магнитным полем аксиально-симметричной катушки, надеваемой на горловину ЭЛТ. Точная фокусировка электронного пучка осуществляется регулировкой постоянного тока фокусирующей катушки. Такая пушка обеспечивает больший ток пучка по сравнению с пушкой, имеющей электростатическую фокусировку. Это связано с тем, что её анод не имеет диафрагмы, и для формирования пучка используется весь ток катода, а не его часть, как в пушках с электростатической фокусировкой (0,1—0,5).

Другим преимуществом магнитной фокусировки является меньший размер электронного пятна на экране. Это связано с большим диаметром фокусирующей катушки по сравнению с диаметром электродов электростатической линзы. Чем больше отношение диаметра электронной линзы (катушки или электрода) к диаметру пучка, проходящего через линзу, тем выше качество фокусировки.

6) Сущность изобретения: фокусирующая система для СВЧ прибора "О" типа содержит пушечный 1 и коллекторный 2 полюсные наконечники из магнитомягкого материала /армко/, закрепленные на торцах немагнитной оболочки 3 с расположенной в ней соосно электродинамической системой 4, профилированную втулку 5 из магнитомягкого материала, расположенную в центральном отверстии торцевой стенки пушечного полюсного наконечника 1, профилированную втулку 6 из магнитомягкого материала, расположенную в центральном отверстии торцевой стенки коллекторного полюсного наконечника 2, пушечный и коллекторный радиально намагниченные кольцевые магнитные блоки 7, установленные на пушечном 1 коллекторном 2 полюсных наконечниках, магнитный элемент 8, расположенный коаксиально внутри пушечного полюсного наконечника 1. Внутри пушечного полюсного наконечника расположен также катод 9. Торец пушечной профилированной втулки 5, ближний к торцу пушечного полюсного наконечника 1, смещен вдоль оси внутрь торцевой стенки полюсного наконечника 1 на величину _п , а торец коллекторной профилированной втулки 6 выступает вдоль оси из торцевой стенки коллекторного полюсного наконечника 2 в сторону средней части рабочей области прибора на величину _к , что обеспечивает улучшение выходных и эксплуатационных параметров прибора за счет создания плавно нарастающего от пушечного к коллекторному полюсному наконечнику магнитного фокусирующего поля. 2 ил.

Магнитная фокусирующая система для СВЧ-прибора О-типа, содержащая радиально намагниченные кольцевые магнитные блоки, немагнитную оболочку, на торцах которой закреплены пушечный и коллекторный полюсные наконечники с центральными отверстиями в их торцевых стенках, магнитный элемент, расположенный коаксиально внутри пушечного полюсного наконечника, отличающаяся тем, что, с целью улучшения выходных и эксплуатационных параметров за счет создания плавно нарастающего от пушечного к коллекторному полюсному наконечнику магнитного фокусирующего поля в центральных отверстиях торцевых стенок пушечного и коллекторного полюсных наконечников соосно им установлены профилированные втулки из магнитномягкого материала, торцы которых, обращенные к средней части прибора, смещены вдоль оси магнитной системы относительно торцов соответствующих полюсных наконечников в сторону пушечной части прибора, при этом внутренние поверхности втулок имеют форму частично в виде усеченных конусов, расширяющихся в сторону коллекторной части прибора, и частично в виде цилиндров, а геометрические размеры выбраны из соотношений

7)Данную тему в курсе «Вакуумные и плазменные приборы и устройства» не проходили,в научной литературе информации нет!

8) Важный свойством поверхностных электромагнитных волн является наличие электромагнитного поля над поверхностью полупроводника. Это приводит к уменьшению их затухания по сравнению с объемными волнами,принципиально облегчает их возбуждение внешними полями, заряженными частицами .

Переходное излучение зарядом поверхностных электромагнитных волн (трехмерных плазмонов) на границе раздела вакуум-полупровод-шв рассматривалось в работах/к^?/ . Для нерелятивистсиой частицы энергии излучения поверхностной и объемных волн сравнимы по величине.

В ограниченных полупроводниках ( тонких пластинах, планках , слоистых структурах и т.д. ) могут создаваться специфические условия для возбуждения и распространения как объемных,так и по -верхностных волн.

Малые поперечные размеры ограниченных полупроводников делают их практически прозрачными для быстрых заряженных частиц и создают условия для проявления размерных квантовых эффектов.В связи с углублением наших знаний о природе этих эффектов и быстрым развитием технологии возникает возможность создания перспективных приборов, работа которых непосредственно связана со специфи

1 / 31 2 3 > Следующая >>>