voud2 / VOUD_ESAU
.doc
$$$ 54
Температураның өсуімен жартылай өткізгіштегі қоспа диффузия процесінің өту жылдамдығы:
А) Өседі.
В) Азаяды.
С) Өзгермейді.
D) Процестің өту уақытына байланысты өседі.
Е) Динамикалық түрде өседі.
F) Процестің өту уақытына және енгізетін қоспалардың (акцепторлық немесе донорлық) түріне байланысты өседі.
G) Const.
H) Секірісті түрде өзгереді.
$$$ 55
Тоғыспаған р-жартылай өткізгіштің Ферми деңгейі мына жерде орналасады:
А) Тыйым салынған аймақтың ортасында.
В) Тыйым салынған аймақта, өткізгіштік аймақтың төменгі бөлігінде.
С) Тыйым салынған аймақта,валенттік аймақтың жоғары бөлігіне жақын.
D) Өткізгіштің аймағының ішінде.
Е) Валенттік аймақтың ішінде .
F) Тыйым салынған аймақтан валенттік аймақтың максимальды мәніне дейінгі аралық.
G) Валенттік аймақтың ішінде.
H) Ферми деңгейі болмайды.
$$$ 56
Суретте шартты-графикалық белгілену келтірілген:
A) Түзеткіштің активті жүктемеге жұмыс істеу сұлбасы.
B) Кернеу бөлгіш.
C Операциялық күшейткіш.
D) Бір жарты периодты түзеткіш.
E) Төменгі жиілікті түзеткіш сұлбасы.
F) Стабилизатор сұлбасы.
G) Қоректену көзі сұлбасы.
H) Екі жарты периодты күшейткіш.
$$$ 57
Жартылай өткізгіштің теориялық түрінен ВАС-ның айырмашылығына алып келетін факторлар:
A) Жартылай өткізгіштердегі генерация және рекомбинация топтары.
B) Түйісулердің нашар изоляциясының болатын токтың.
C) Р-n ауысу өлшемдерінің тәуелдігі.
D) Р-n ауысуынан бөлек жартылай өткізгіштердегі электрлік өрістің болуы.
E) Температураға тәуелділігі.
F) Р-n ауысу шекараларының қисаюы,олар шын мәнінде жазық болмайды.
G) Барлық жауабы дұрыс болып саналады.
H) Келтірілген жауаптардың ішінде дұрысы жоқ.
$$$ 58
Р-п ауысудың кері кернеуінің өсуі (модуль бойынша) кезінде барьерлік сыйымдылықтық өзгерісі:
A) Экспоненциалды заң бойынша өседі.
B) Сызықты заң бойынша өседі.
C) Квадраттық заң бойынша өседі.
D) Сызықты заң бойынша азаяды.
E) Азаяды.
F) Өзгермейді.
G) Сыйымдылықтың басқа түрлеріне түрленеді.
H) Сол кернеудің модулі бойынша сәйкесінше азаяды.
$$$ 59
Жартылай өткізгішті диодтың төменде көрсетілгеннің ішінен электрлік тесілуі:
A) Ауысу арқылы тура ток мәнінің өсуі кезінде р-п ауысудағы кернеудің жылдам өсуі.
B) Ауысу арқылы кері ток мәнінің өсуі кезінде р-п ауысудағы кернеудің жылдам өсуі.
C) Ауысу арқылы тура кернеу мәнінің өсуі кезінде р-п ауысудағы токтың жылдам өсуі.
D) Ауысу арқылы кері кернеу мәнінің өсуі кезінде р-п ауысудағы токтың
жылдам өсуі.
E) Ток пен кернеудің қысылшаң мәндерінің жоғарылауы, соның әсерінен диод істен шығады.
F) Осы диод мәні үшін қысылшаң болатын кері кернеуге жету кезінде диод арқылы кері токтың жылдам өсу құбылысы.
G) Бұл ішкі кедергінің индуктивтілік өзгерісіне алып келетін өзгерістер.
H) Бұл ішкі кедергінің сыйымдылық өзгерісіне алып келетін өзгерістер.
$$$ 60
Биполярлық транзистордың активті жұмыс істеу режимінде p-n ауысудың дифференциалдық кедергілері келесі түрде сипатталады:
A) Эмиттерлік ауысудың кедергісі, аз ал коллекторлық ауысудікі көп.
B) Эмиттерлік ауысудың кедергісі көп, ал коллекторлық ауысудікі аз.
C) Екі ауысудың да кедергілері көп.
D) Екі ауысулардың да кедергілері аз.
E) Олардың шамаларынан тәуелсіз эмиттерлік ауысудың кедергісі, коллекторлық ауысудың кедергісінен әрқашан көп.
F) Эмиттерлік және коллекторлық диодтарды ауыстырудың сызықсыз динамикалық моделінен алынған, БТ аз сигналды сұлбасындағы кернеумен тоқтың аз ғана өсімшелерінің арасындағы байланыс.
G) Rэ=dU/dI((T/Iэ).
H) N-p ауысуларда кедергілер жоқ .
$$$ 61
Транзистордың
ток беру коэфиценттерінің 
және 
арасындағы өзара байланыс:
-
. -
. -
. -
. -
1/
. -
күшейту
коэффициенті транзистордың тегіне
байланысты және әдетте 10-300 аумағында
жатады,ал 
болады. -
болғанда. -
.
$$$ 62
ОБ немесе ОЭ қосылу сұлбаларында,токты тура беру коэффициенті жиілігіне қатты тәуелді:
-
& ОЭ қосылу сұлбасында.
-
ОБ қосылу сұлбасында.
-
Екі сұлбада да бірдей.
-
Бұл температураға байланысты.
-
Бұл жасалу материалына байланысты.
-
Токты қайталағыш сұлбасында токты тура беру коэффициенті жиілігіне ғана тәуелді.
-
Ток бойынша, кернеу бойынша және қуат бойынша коэффициенттері өте жоғары сұлба, токтың тура беру коэффициенті жиілігі аса тәуелді.
-
Эмиттерлік қайталағыш сұлбасында.
$$$ 63
ОЭ немесе ОБ қосылу сұлбаларында, токты тура беру коэффициенті жиілігіне аз ғана тәуелді:
-
ОЭ қосылу сұлбасында.
-
ОБ қосылу сұлбасында.
-
Екі сұлбада да бірдей.
-
Бұл температураға байланысты.
-
Бұл жасалу материалына байланысты.
-
Токты қайталағыш сұлбасында токты тура беру коэффициенті жиілігіне тәуелді.
-
Тек кернеу және қуат бойынша кушейту беретін сұлбада.
-
Эмиттерлік қайталағыш сұлбасында.
$$$ 64
Һ11 көрсеткішінің анықтамасы:
-
Һ11
. -
Һ11
. -
Һ11
. -
Һ11
. -
Һ11
. -
Кіріс кедергі.
-
Кірістегі кернеудің кірістегі токқа қатынасын көрсететін көрсеткіш.
-
Шығыстағы кернеудің кірістегі токқа қатынасын көрсететін көрсеткіш.
$$$ 65
Коллекторлық кернеумен базаның қалыңдығын модуляциялау дегеніміз:
-
Коллекторлық ауысудың енінің өзгеру салдарынан коллекторлық өзгерген кезде базаның қалыңдығының өзгерісі.
-
База шықпасының аймаңында коллекторлық кернеудің қалыңдығына әсер етуі.
-
Коллекторлық кернеудің эмиттерлік ауысудың еніне әсер байланысты базаның қалыңдығының өзгерісі.
-
Коллекторлық кернеудің базадағы жылжымалы заряд тасушы шоғырына әсер етуіне байланысты базаның қалыңдыңғының өзгерісі.
-
Температураның әсер етуіне байланысты базаның қалыңдығына.
-
Коллекторлық токтың эмиттерге әсер етуі азайған кездегі өзгерісіне.
-
Теріс коллектор-база кернеуін ұлғайтқан кездегі шығыс сипатының көтерілуі, бұл кезде коллектор тогы артады.
-
Теріс коллектор-база кернеуін ұлғайтқан кездегі шығыс сипатының көтерілуі,бұл кезде коллектор тогы азаяды.
$$$ 66
Құйма мен бастаудың n+облысын қалыптастыратын қоспалар:
А) Фосфор,бор.
В) V топтың элементтері.
С) Бор,индий.
D) Жартылай өткізгішке қарағанда бір топқа үлкен элементтер.
E) Сүрме,мышьяк.
F) Алтын,платина.
G) Диэлектриктер.
H) IV топтың элементтер.
$$$ 67
Заряд тасымалдаушылардың өткізетін арнаға өтуін жүзеге асыратын электрод:
A) Тиек.
B) База.
C) Құйма.
D) Арнадағы негізгі тасымалдаушыладың инжекцияланатын транзистор облысы.
E) Эмиттер.
F) Коллектор.
G)Төсем. . H) Қосымша таcымалдаушылар өтетін ұзындықты байланыстыратын облыс.
$$$ 68
Арнаның ұзындығы:
A) N-текті немесе p-текті бастау және құйма облыстарының ара қашықтығы.
B) бастау мен құйма облыстарының ұзындықтарын қосқандағы ара қашықтық және олардың арасындағы аралық қашықтық . C) Құйма облысының ұзындығы . D) Тиекпен басқарылатын төсеме бөліктегі арнаның ара қашықтығы.
E) Тиектің ұзындығы. F) Эмиттер ұзындығы.
G) Қорек шинасының ара қашықтығы. H) Қосылатын сымдар мен түйіндердің ара қашықтығы.
$$$ 69
Тиектегі кернеу оң болатын процесстің түсіндірілуі:
A) Электрондар Si-SiO2 бөлімінің жазығынан тебіле бастайды.
B) Кемтіктер Si-SiO2 бөлімінің жазығынан тебіле бастайды.
C) Электрондар мен кемтіктер Si-SiO2 бөлімінің жазығынан тебіле бастайды.
D) Тиек n-арналы транзистордың теріс кернеуімен басқарылады.
E) Тиек n-арналы транзистордың оң кернеуімен басқарылады.
F) Бастау арнаның кернеуін басқарады.
G) Құйма арнаның кернеуін басқарады.
H) N-арналы транзисторға қорек дұрыс берілген.
$$$ 70
Табалдырықтық кернеу:
A) Si-SiO2 жазығының қасындағы электрондар концентрациясы төсемдегі кемтіктер концентрациясынан 2 есеге көп кезіндегі кернеу.
B) Si-SiO2 жазығының қасындағы электрондар концентрациясы төсемдегі кемтіктер концентрациясына тең кезіндегі кернеу.
C) ) Si-SiO2 жазығының қасындағы электрондар концентрациясы төсемдегі кемтіктер концентрациясынан аз кезіндегі кернеу.
D) Бұл индукцияланған арналы оқшауланған тиекті транзистор үшін тиек-бастау кернеуі,онда құйма тоғы берілген мәнге жетеді.
E) Бұл қондырылған арналы оқшауланған тиекті транзистор үшін тиек-бастау кернеуі,онда құйма тоғы берілген мәнге жетеді.
F) Айрықшаланған құйма тогы көрінетін тиек кернеуі.
G) Айырықшаланған тиек тогы көрінетін тиек кернеуі.
H) Айырықшаланған құйма тогы көрінетін құйма кернеуі.
$$$ 71
Суретте көрсетілген сипаттама:
A) P-n ауысыуымен басқарылатын транзистордың құйма-тиектік сипаттамасы.
B) МТЖ-текттік өрістік транзистордың құйма-тиектік сипаттамасы.
C) P-n ауысыуымен басқарылатын транзистордың құймалық сипаттамасы.
D) Токсыз кернеу бейнеленген p-n ауысыуымен басқарылатын транзистордың құйма-тиектік сипаттамасы.
E) МДЖ-текттік өрістік транзистордың құйма-тиектік сипаттамасы.
F) МДЖ-текттік өрістік транзистордың басқарушы сипаттамасы.
G) P-n ауысыуымен басқарылатын транзистордың басқарушы емес сипаттамасы.
H) Тиекпен оқшауланған ӨТ шығыс (құймалық) сипаттамасы.
$$$ 72
Кедейленген қабат қалындығының үлкеюнің болуы:
A) Тиек пен төсем,құйма мен бастау арасында туындайтын екі электрлік өрістердің бір-бірінен әсерінен.
B) Тиектегі кернеудің азаюынан.
C) тиек пен бастау арасында пайда болатын электрлік өрістің өзара әсерінен.
D) Арнаның қалыңдығы мен қиғаш кесуітиектегі кернеудің өзгерісінен.
E) Тиектегі кернеудің өсуінен.
F) Құйма тогының өзгеруі,яғни жүктеме тізбегіндегі ток қуатты корек көзіне қатысты да өзгеруін.
H) Const болып қалатын тиектегі кернеуінен.
$$$ 73
Биполярлық транзистордың өрістік транзистордан ерекшелігі:
A) Биполярлық транзисторда заряд тасымалдаушылары болмайды.
B) Екі транзисторда өріспен басқарылады.
C) Екі транзисторда да өткізетін арна болады.
D) Өрістік транзистордағы тиекті кернеумен жасалатын электрлі өрістік тогына «перпендикулярлы» әрекет нәтижесінде өзгеретін ток.
E) Екі транзисторда да токпен басқарылады.
F) Сипаттамалары әр түрлі.
G) Сипаттамалары бірдей болады.
H) Бірдей жұмыс істеу режимдері болады.
$$$ 74
Бастаудан құймаға дейн арнасы болатын аспаптың жұмыс параметрінің облысы:
A) Қанығу облысы.
B) Сызықтық облыс.
C) Бастапқы облысы.
D) Сыртқы тиектік облыс.
E) КЗО (кеңістік заряд облысы).
F) Басқару облысы.
G) Токсыз облыс.
H) Жүгіріс облыс.
$$$ 75
Графикке қарап транзистор сипаттамаларының тегі:
A) P-n ауысуымен басқарылатын өрістік транзистордың құймалық және құйма-тиектік сипаттамалары.
B) Индукциялы арналы МДЖ өрістік транзистордың құймалық және құйма-тиектік сипаттамалары.
C) Қондырылған арналы МДЖ өрістік транзистордың құймалық және құйма-тиектік сипаттамалары.
D) P-n ауысуымен басқарылатын өрістік транзистордың басқарушы сипаттамалары.
E) Биполярлық транзистордың шығыс сипаттамалары.
F) Өрістік транзистордың негізгі сипаттамалары.
G) Варикаптың вольт-фарадтық сипаттамалары.
H) Күшейткіштің беріліс сипаттамалары.
$$$ 76
Арнаның қимасы өрістік транзистор кернеуінің Uкб шамасына тәуелді немесе тәуелді еместігі:
A) Тәуелді емес, өйткені ауысудың ені қойылған кернеумен ғана анықталады.
B) Тәуелді, өйткені арнадағы кернеудің түсуі ауысудағы кернеуді, сонымен қатар оның енін анықтайды.
C) Тәуелді емес, өйткені арнадағы кернеудің түсуі әрқашан тұрақты және құйма-бастау кернеуіне тәуелді емес.
D) Тәуелді, өйткені транзистордың Uкб өзгеруі кезінде тасымалдаушылар инжекциясының деңгейі өзгереді.
E) Тәуелді емес, өйткені ол тиек-бастау кернеуіне ғана тәуелді.
F) Тәуелді, өйткені тиектегі кернеумен басқарылады.
G) Құйма мен бастаудың дұрыс берілген кернеуіне де байланысты болады.
H) Тәуелді емес.
$$$ 77
Өрістік транзистордың тіктігінің анықтамасы:
-
.
.
.
.
E) 
.
F) Өрістік транзистордың тіктік сипаттамасы биполярлық транзисторға қарағанда 1-2 ретке кем, сондықтан жүктеменің аз кедергісі кезінде өрістік транзистор каскадының күшейту коэффициенті биполярлық транзистордағы осы секілді каскадтың күшейту коэффициентінен аз.
G) S=Sмакс(1- U т•б/U т-з ).
Н) Өрістік транзисторда тіктік сипаттама жоқ.
$$$ 78
Өрістік транзистордың кіріс кедергісінің шамасы:
А) Жүздеген Мом.
В) Ондаған кОМ.
С) Жүздеген Ом.
D) Бірнеше Ом.
E) Бірнеше кОм.
F) Биполярлық транзистордың кіріс кедергісінен әлдеқайда кіші.
G) Үлкен, өйткені құрылымда диэлектрик қабаттары болады.
H) Аз шамада.
$$$ 79
Суретте көрсетілген транзистор:
А) Индукцияланған n-арналы МДЖ-транзистор.
В) P-n ауысуымен басқарылатын және n-арналы өрістік транзистор.
С) қондырылған n-арналы МДЖ-транзистор.
D) P-n ауысуымен басқарылатын және p-арналы өрістік транзистор.
Е) Индукцияланған p-арналы МДЖ-транзистор.
F) Күшейткіш ретінде қолданылатын өрістік транзистор.
G) Диэлектрик қабаты бар транзистор.
Н) Диодтың шартты белгісі.
$$$ 80
Суретте көрсетілген транзистор:
А) Индукцияланған n-арналы МДЖ-транзистор.
В) P-n ауысуымен басқарылатын және n-арналы өрістік транзистор.
С) Қондырылған n-арналы МДЖ-транзистор.
D) P-n ауысуымен басқарылатын және p-арналы өрістік транзистор.
Е ) Индукцияланған p-арналы МДЖ-транзистор.
F) Арна кедергісінің өзгерісімен басқарылмайтын транзистор.
G) Күшейткіш ретінде қолданылмайды.
Н) Спиндік транзистор.
$$$ 81
Суретте көрсетілген транзистордың дұрыс жауабы:
А) Индукцияланған n-арналы МДЖ-транзистор.
В) P-n ауысуымен басқарылатын және n-арналы өрістік транзистор.
С) Қондырылған n-арналы МДЖ-транзистор.
D) P-n ауысуымен басқарылатын және p-арналы өрістік транзистор.
Е ) Индукцияланған p-арналы МДЖ-транзистор.
F) Негізгі заряд тасымалдаушысы кемтіктер болып келетін индукцияланған арналы МДЖ-транзистор.
G) Негізгі заряд тасымалдаушысы кемтік болып келетін индукцияланған арналы МДЖ-транзистор.
Н) Заряд тасымалдаушысы теріс болып келетін индукцияланбаған арналы МДЖ-транзистор.
$$$ 82
Суретте көрсетілген транзистор:
А) Индукцияланған n-арналы МДЖ-транзистор.
В) P-n ауысуымен басқарылатын және n-арналы өрістік транзистор.
С) Қондырылған n-арналы МДЖ-транзистор.
D) P-n ауысуымен басқарылатын және p-арналы өрістік транзистор.
Е) Индукцияланған p-арналы МДЖ-транзистор.
F) Негізгі заряд тасымалдаушысы кемтіктер болып келетін қондырылған арналы МДЖ-транзистор.
G) Негізгі заряд тасымалдаушысы оң болып келетін қондырылған арналы МДЖ-транзистор.
Н) P-n ауысуымен басқарылатын және қондырылған p-арналы МДЖ-транзистор.
$$$ 83
Суретте көрсетілген транзистор:
А) Индукцияланған n- арналы МДЖ-транзистор.
В) P-n ауысуымен басқарылатын және n-арналы өрістік транзистор.
С) Қондырылған p-арналы МДЖ-транзистор.
D) P-n ауысуымен басқарылатын және p-арналы өрістік транзистор.
Е) Индукцияланған p-арналы МДЖ-транзистор.
F) Қондырылған p-арналы МДЖ-транзистор.
G) Қондырылған МДЖ-транзистор, мұнда негізгі заряд тасымалдаушылары болып электрондар саналады.
Н) Қондырылған n-арналы оқшауланған тиекті транзистор.
$$$ 84
Суретте келтірілген транзистор:
A) Индукцияланған n-арналы МДЖ-транзистор.
B) P-n-ауысумен басқарылатын және n-арналы өрістік транзистор.
C) Қондырылған р-арналы МДЖ-транзистор.
D) P-n-ауысумен басқарылатын және р-арналы өрістік транзистор.
E) Индукцияланған р-арналы МДЖ-транзистор.
F) Индукцияланған р-арналы оқшауланған тиекті өрістік транзистор.
G) Негізгі заряд тасымалдаушылары кемтіктер болып саналатын қондырылған арналы МДЖ-транзистор.
Н) Теріс зарядталған заряд тасымалдаушылары бар қондырылған арналы МДЖ-транзистор.
$$$ 85
Тринисторды ауыстырып қосу мезетін басқару іске асады:
A) Базалық аймақтарға тасымалдаушыларды енгізу арқылы.
B) Эмиттердегі кернеуді сақтай отырып, коллектордағы кернеуді өзгерту арқылы.
C) Төрт қабатты құрылымның шеткі аймақтарына токты енгізу арқылы .
D) Эмиттерде токты өзгерту арқылы.
E) Қосылу кернеуінің мәніне дейін жүктемедегі кернеуді жоғарлату арқылы.
F) Дифференциалдық кедергісі нөлге тең мәнге жетуге болатындай, ауыстырып қосу кернеуін өзгерту арқылы.
G) Тиристорды тұрақты жабық күйден, тұрақты ашық күйге ауыстыру үшін анодтағы кернеуді үлкейту керек. H) Басқару электродына кері полярлы импульс беру керек.
$$$ 86
Динисторды сипаттамасындағы ОА тіліміндегі токтың аз мәнінің түсіндірмесі:
A) Құрылымның шеткі ауысулары жабық.
B) Құрылымның ортаңғы ауысуы жабық.
C) Динистордың базалық аймағында негізгі емес заряд тасымалдаушылардың инжекциясы болмайды.
D) Динистордың базалық аймағында негізгі емес заряд тасымалдаушылардың экстракциясы болмайды.
E) Динистордың базалық аймағында негізгі заряд тасымалдаушылардың экстракциясы болмайды.
F) Ортаңғы ауысудың кедергісі аса жоғары.
G) Анодтағы ток көбейе бастайтындай, ауыстырып қосу кернеуі қажетті мәнге жеткен жоқ.
H) Кедергінің мәні аз.
$$$ 87
Тиристордың ауысып қосылуын басқаруды қамтамасыз ететін, сұлба:
A)
.
B)
.
C)
D)
.
E)
.
F)
Бұл оң кернеу полюсі түсірілетін
сұлба.
G) Бұл теріс кернеу полюсі
түсірілетін сұлба.
H) Бұл р-текті басқару
электродына кернеу түсіре отырып,
ауыстырып қосу кернеуін реттеуге болатын
сұлба.
$$$ 88
Тринисторды ауыстырып қосу мезетін басқару... есебінде жүреді:
A) Базалық аймақтарға тасымалдаушыларды енгізу есебінде.
B) Эмиттерлердегі кернеулер сақталған кезде коллектордағы кернеудің өзгерісімен.
C) Төрт қабаты құрылымның шеткі аймақтарына ток енгізу арқылы.
D) Эмиттердегі токтың өзгерісімен.
E) Қосылу кернеуінің мәніне дейін жүктемедегі кернеуді жоғарлату арқылы.
F) Базалық аймақтарға тасымалдаушыларды лигерлеу есебінде. G) Базалық аймақтарда заряд тасымалдаушыларды дұрыс ұлғайту есебінде. H) Ауыстырып қосу есебінде.
$$$ 89
Тиристорды жабық күйге басқару тогы арқылы жеткізуге болады ма?
A) Жоқ, болмайды.
B) Болады, егер басқару тогын нөлдік мәнге дейін төмендетсе.
C) Болады, егер басқару электродына теріс импульс берсе.
D) Болады, егер басқару электродына оң импульс берсе.
E) Болады, егер базаны жерге қосса.
F) Болады, егер n- текті базаға басқару импульсінің теріс импульсін берсе.
G) Болады, егер p- текті базаға басқару импульсінің оң импульсін берсе.
H) Болады, егер n- текті анодқа басқару импульсінің теріс импульсін берсе.
$$$ 90
Динистордың сипаттамасының ОА бөлігіндегі ток мәнінің аздығының түсіндірмесі:
A) Құрылымның шеткі ауысулары жабық.
B) Құрылымның ортаңғы ауысулары жабық.
C) Динистордың базалық аймағындағы негізгі емес заряд тасушылардың инжекциясы болмайды.
D) Динистордың базалық аймағындағы негізгі емес заряд тасушылардың экстракциясы болмайды.
E) Құрылымның эмиттерлік ауысуы жабық .
F) Құрылымның коллекторлық ауысуы жабық.
G) Ауыстырып қосу кернеуі шамасы бойынша аз.
H) Базалық аймақтың кедергісі өте үлкен
$$$ 91
Динистордың құрылымының шеткі ауысулары жабық, ал ортаңғы ауысуы ашық болатын кезде, сипаттамадағы аралық:
A) ОА.
B) АВ.
C) ВС. D) ОД.
E) АС.
F) Тиристорда бұл аралықта ток пен кернеу теріс. G) Бұл тиристор ауыстырып қосу функциясын орындамайтын аралық.
H) Тиристорда бұл аралықта ток пен кернеу оң мәнді.
$$$ 92
Атауы грек тілінен (thyra-есік және резистор) алынған, монокристалдағы төрт қабатты құрылымды, екі тұрақты күйі бар, үш немесе одан да көп түзеткіш электронды-кемтіктік ауысуы бар, бір күйден екіншісіне басқару импульсі арқылы ауысып қосыла алатын жартылай өткізгіш аспапты:
А) Тиристор.
В) Динистор.
С) Транзистор.
D) Варактор.
Е) Ауыстырып қосқыш аспап.
F) Варикап.
G) Диод.
H) Стабилитрон.
$$$ 93
Кері қосылған p-n ауысудың потенциалдық тосқауылының төмендеуі ... білдіреді:
А) Ондағы кернеудің азайғанын.
В) Пәрменді көбейту коэффициентінің азайғанын.
С) Транзистордың басқару тоқтарының азайғанын.
D) Ауысу арқылы ағатын тоқтың азайғанын.
Е) Индутивтіліктің азайғанын.
F) Сыйымдылықтың азайғанын.
G) Күшейту коэффициентінің азайғанын.
H) Кедергінің үлкейгенін.
$$$ 94
Динистордың сипаттамасынан теріс дифференциалдық кедергісі бар аралық:
А) ОА.
В) АВ.
С) ВС.
D) ОД.
Е) АС.
F) Бұл базалық аймақтарға негізгі заряд тасушылар енгізілмеген аралық.