Стабилитроны

Назначение - обеспечить стабильное напряжение

Условное обозначение

Принцип действия. При напряжении U_var , большем потенциального барьера, имеет место электрический пробой, вследствие которого напряжение на стабилитроне равно барьеру, остальное падает на резисторе R.

Основные параметры

1.напряжение стабилизации(обратное пробивное) 3U_ст200В

2. максимально допустимый ток 10маI_ст10А

3. динамическое сопротивление R_д= U_ст /I_ст; должно бытьR_д0.

Светодиоды

Назначение - индикация наличия напряжения

Условное обозначение

Принцип действия.Под действием напряжения заряды преодолевают потенциальный барьер. При этом выделяется энергия в виде излучения в видимой (красной , зеленой) или невидимой (инфракрасной) частях спектра

Основные параметры.

1. яркость 10^210^3кд/м^2 2. рабочее напряжение 36 В

3. ток 520 мА цвет зеленый, красный, ИК.

ВАРИКАПЫ

Назначение- бытьемкостью, управляемойнапряжением.

Условное обозначение

Принцип действия.p и n области диода являются обкладками конденсатора, емкость которого зависит от толщины потенциального барьера. Толщина барьера зависит от напряжения, приложенного к диоду

При изучении этой темы следует обратиться 1.к учебнику Промислова електроніка:Підручник/ В.С.Руденко, В.Я.Ромашко, В.В.Трифонюк. – К.: Либідь, 1993. –432 с. Тема изложена на стр. 1219.

2. Специальной литературе из «Библиотеки инженера»: Основы промышленной электроники. – «Техніка», 1976. – 544 с. Тема изложена на стр. 727.

Тема 4 транзисторы

биполярные полевые IGBT

1. Транзисторы биполярные (ВРТ)

Схема(структура p-n-p)Условное обозначение

Справка

эмиссия(лат) - выпуск

коллектор(лат) - собирающий

инжектировать(лат) - бросать внутрь

Принцип действия

1. При отсутствии внешних напряжений существуют потенциальные барьеры на ЭП и КП, полярности которых показаны на рис. (про барьеры см. Тема 2, п.1).

2. При внешнем напряжении U_экполярностьюЭ+, К-ток не идет из-за обратного смещения КП.

3. При появлении напряжения U_эбЭ+, Б- в базу инжектируются дырки из Э. Вследствие этого база насыщается дырками и возникает ток диффузии от ЭП к КП. На КП дырки подхватываются потенциалом КП и вбрасываются в коллектор.

4. Для структуры n-p-nпринцип тот же, но ток не дырок, а электронов.

В р n р потенциальный барьер нет напряжения на транзистореариант принципа действия

То, что в транзисторе ток через базу идет от эмиттера, для принципа действия несущественно

коллектор (К) база (Б) эмиттер (Э)

Структура n-p-nУсловное обозначение

-

-

-

-

-

-

-

-

+

+

+

+

+

+

+

+

n

р

n

Математическая модель.

I_к = I_б + I_кэ0 = h_21эI_б ; I_кэ0 I_к  h_21э .

h_21э- коэффициент передачи тока (индекс «э» – в схеме с ОЭ),

 -коэффициент усиления транзистора,

I_кэ0- ток коллектора приI_б=0.

Характеристики(в схеме включения «с общим эмиттером»)

входная выходная регулировочная

I_Б=0

I_Б1> 0

I_Б2> I_Б1

I_Б3> I_Б2

U_ЭК

I_К

I_кэ0

рабочая область

Из входной характеристики следует: чтобы иметь I_б, необходимо компенсировать _эп (ввести смещение).

Из выходной характеристики следует: при изменении U_кэ I_кпочти не изменяется,

Особенности биполярных транзисторов:

1. Управление током (ток коллекторный управляется током базы).

2. Малое внутреннее сопротивление коллекторному току (сравнительно с полевыми).

3. Малая максимально возможная частота (сравнительно с полевыми) – десятки, сотни кГц.

При большей мощности меньше частота.

ТРАНЗИСТОР ЯВЛЯЕТСЯ ИСТОЧНИКОМ ТОКА