Параметри напівпровідникових приладів

Таблиця А.1

Параметри біполярних транзисторів

Тип транзистора	fгр, МГц	h21е	Uке нас, В	Uбе нас, В	Uке доп, В	Iк доп, мА	Pк доп, мВт
	Транзистори n-p-n
КТ312А	80	10-100	0,8	1,1	20	10	225
КТ312Б	120	25-100			35
КТ312В	120	50-280			20
КТ315А	250	20-90	0,4	1,1	25	100	150
КТ315Б		50-350			20
КТ315В		20-90			40
КТ315Г		50-350			35
КТ315Д		20-90			40
КТ315Е		50-350			35
КТ3102А	–	100-250	–	–	50	100	250
КТ3102Б		200-500			50
КТ3102В		200-500			30
КТ3102Г		400-1000			20
КТ3102Д		200-500			30
КТ3102Е		400-1000			20
КТ815А	3	40	0,6	–	40	1,510^3	1010^3
КТ815Б		40			50
КТ815В		40			70
КТ815Г		30			100
КТ817А	3	20	1	–	40	310^3	2010^3
КТ817Б		20			50
КТ817В		20			70
КТ817Г		15			100
КТ819А	3	15	2	–	40	1010^3	6010^3
КТ819Б		20			50
КТ819В		15			70
КТ819Г		12			100
	Транзистори p-n-p
КТ209А	–	20-60	0,4	1,5	15	300	200
КТ209Б		40-120			15
КТ209В		80-240			15
КТ209Г		20-60			30
КТ361А	250	20-90	0,4	–	25	50	150
КТ361Б		50-350	0,4		20
КТ361В		20-90	0,4		40
КТ361Г		50-350	0,4		35
КТ361Д		20-90	1		40
КТ361Е		50-350	1		35
КТ3107А	200	70-140	0,2	0,8	45	100	300
КТ3107Б		120-220			45
КТ3107В		70-140			25
КТ3107Г		120-220			25
КТ3107Д		180-460			25
КТ3107Е		120-220			20
КТ814А	3	40	0,6	–	40	1,510^3	1010^3
КТ814Б		40			50
КТ814В		40			70
КТ814Г		30			100
КТ816А	3	20	1	–	40	310^3	2010^3
КТ816Б		20			50
КТ816В		20			70
КТ816Г		15			100
КТ818А	3	15	2	–	40	1010^3	6010^3
КТ818Б		20			40
КТ818В		15			70
КТ818Г		12			90

Примітка:f_гр–гранична частота коефіцієнту передачі за струмом; h_21е–коефіцієнт передачі за струмом в схемі із загальним емітером; U_{ке нас}–напруга насичення колектор-емітер; U_{бе нас}–напруга насичення база-емітер; U_{ке доп}–допустима напруга колектор-емітер; I_{к доп}–допустимий струм колектора; P_{к доп}–допустима потужність розсіювання на колекторі.

Таблиця А.2

Параметри напівпровідникових діодів

Тип діода	tвос, нс	Сд макс, пФ	Uзвор макс, В	Iпр макс, мА	Iпр і макс, мА
Д220А	500	15	70	50	500
Д220Б	500	15	100	50	500
КД503А	10	5	30	20	200
КД503Б	10	5	30	20	200
КД509А	4	4	50	100	1000
КД510А	4	4	50	200	1500
КД512А	1	1	15	20	200
КД520А	4	3	15	20	50
КД522А	4	2	30	100	1500
КД522Б	4	2	50	100	1500

Примітка:t_вос–час відновлення зворотного опору діода; С_{д макс}–загальна ємність діода;U_{звор макс}–максимально допустима зворотна напруга;I_{пр макс}–максимально допустимий прямий струм;I_{пр і макс}–максимально допустимий прямий імпульсний струм.

Таблиця А.3