твердотіла електроніка / презентації лекцій ТТЕ Холод Т.С / 3тя тема БТ
.pdf
При виготовленні потужних БТ використовується сплавна, дифузійно – сплавна (у так званих конверсійних транзисторах), а також планарна технологія. Конфігурація емітера таких транзисторів ускладнюється. З метою збільшення струмів збільшують площу ЕП, а для того щоб струм емітера не витіснявся до краю переходу, емітер виготовляють у формі кілець, смуг, зубців. Для забезпечення нормального тепловідведення використовують радіатори, корпус з’єднують з колектором (на противагу малопотужним БТ, у яких корпус з’єднують з базою).
Основним недоліком потужних високовольтних БТ є низький коефіцієнт передачі струму ( h21E 10 ). Тому для
одержання потужних ключових елементів застосовують складений транзистор (схема Дарлінгтона) – рис. 3.66. Для такої транзисторної структури загальний коефіцієнт передачі струму бази
|
h21EC h21E1h21E2 . |
(3.94) |
|||||
|
h21E |
|
|
|
К |
||
|
|
|
|
||||
|
1 |
|
|
|
|
||
Б |
|
|
|
V1 |
h21E2 |
||
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|||
V2
Е
Рисунок 3.66 – Схема складеного транзистора
Завдяки цьому можна одержати коефіцієнт передачі струму до сотні.
Потужні складені транзистори виготовляються на одному кристалі (рис. 3.67).
91
а) б)
Рисунок 3.67 – Структура однокристального складеного транзистора (а) та його електрична схема (б)
92