Волков А.Ф., Лумпиева Т.П.

Справочные материалы

3.5.11. Основные физические свойства некоторых полупроводниковых материалов

		Ширина	Подвижность	Подвижность
	Вещество	запрещённой	электронов	дырок
		зоны	μЭ,	μД,
		E, эВ	см2/(В·с)	см2/(В·с)
	Si	1,11	1600	500
	Ge	0,66	3900	1900
	AlAs	2,20	1200	−
	AlP	2,45	50	150
	AlSb	1,63	200	420
	Mg2Ge	0,57	500	100
	GaAs	1,43	8500	420
	GaSb	0,78	4000	650
	GaTe	1,78	4000	650
	InAs	0,36	33 000	460
	InSb	0,18	78000	750
	InP	1,26	4600	150
	InS	1,92	50	−
	PbSe	0,28	0,50	1000
	PbTe	0,32	1730	840
	SnTe	0,18	−	400
	Cd3P2	0,55	3000	−
	ZnTe	2,34	340	110
	AlxGa1-xAs	1,41−2,20
	InxGa1-xAs	1,38−1,97

Плотность

ρ, 103 кг/м3

2,33

5,32

3,60

2,85

4,15

3,09

5,37

5,61

5,61

5,68

5,78

4,79

5,18

8,15

8,16

6,45

5,60

5,68

3.5.12. Спектральные линии атома водорода в видимой части спектра (серия Бальмера)

Переход	Обозначение	Длина волны	Частота	Цвет
ni→nk		λ, м	ν, 1014 Гц
3→2	Нα	656,280	4,571	Красная
4→2	Нβ	486,132	6,171	Зелено-голубая
5→2	Нγ	434,046	6,911	Сине-фиолетовая
6→2	Нδ	410,173	7,313	Фиолетовая
7→2	Нε	397,007	7,557	Ультрафиолетовая

12