Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Elektronika_--_shpory.doc
Скачиваний:
33
Добавлен:
14.03.2016
Размер:
2.27 Mб
Скачать

В

Идеализированная выходная характеристикя в активном режиме имеет вид:. Рабочий участок – прямая хар-ка. По вых. Хар-кам можно определить вых. Проводимость по пост. И перемен. Току.

ыходная характеристика в схеме ОЭ представляет собой зависимость.

Qвых~<Qвых-. Если проводимость маленькая, I=const, БТ может выполнять функцию стабилизатора тока.

Различие сопротивлений БТ по постоянному и переменному току на входе и на выходе объясняется нелинейностью его статических хар-к.

8. Биполярные транзисторы. Система h-параметров. Основные и предельные параметры.

Дифференциальные параметры показывают связь между вх. и вых. хар-ками 4-х полюсников.

С

1) ΔUбэ=h11*ΔIб+h12*ΔUкэ –связь между I и U. Для вх. харки.

2), для вых. хар-ки

истема h параметров для схемы с ОЭ:

Входное сопротивление БТ по переменному току:

Коэффициент обратной связи по напряжению:

Коэффициент передачи тока (коэф-т усиления по току):

Выходная проводимость БТ по переменному току:

Основные физические параметры БТ: 1)β=ΔIк/ΔIб – коэф.усил.по току.β зависит от абс. знач. Iк. Β=f(Iк):

Практически по этой характнристики можно определить оптимальное значение рабочего тока коллектора Iкр.опт при кот. коэф. усил. будет опт.

β =α/(1-α), где α-коэф. передачи тока в схеме с ОБ.

2) Iко – обратный ток коллектора, характерезует не идеальность БТ, является вредным параметром, зависит от степени очистки исходного п/п, и влияет на степень закрытия транзистора в импульсном режиме, также зависит от температуры (Ge>Si).

3)fβ-граничная частота усиления, частота при кот. β уменьшается в √2 раз., по сравнению с наилучшими частотами. Хар-ет быстродействие тр-а

Предельно допустимые параметры БТ:

1)Iк.макс – максимально допустимый Iк, обеспечивающий длительную работу

Iк.и.макс – максимальный импульсный ток коллектора (при t = const)

2)Uкэ.макс – максимально допустимое напряжение между К-Э. Uкб.макс – К-Б

3)Pк.макс – максимально допустимая мощьность рассеиваемая на коллектор транзистора(Pк.м≠ Iк.м*Uк.м)

9. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. Принцип действия, статические характеристики, основные и предельные параметры.

П

Условия работы: 1)К каналу основного п/п р типа подключается источник внешнего напряжения Uси между стоком и истоком. 2)На затвор относительно истока подключается обратное напряжение Uзи запирающее p-n переход затвор-канал. А)При отсутствии управляющего напряжения Uзи=0 образуется в p канале максимальный ток стока Iс=Ic.макс, определяемый сопротивление проводника и площадью сечения канала. У границы p-n перехода создается слой обедненный носителями, имеющий небольшой размер. Б)При подаче управляющего напряжения Uзи>0 граница запирающего слоя расширяется и уменьшается площадь проводящей части канала. Ток стока Iс при этом уменьшается.

олевые транзисторы изготавливаются на основе только Si и разделяются на 2 вида ПТОП и МОП. Особенности ПТ – 1) Ток образуется только за счет движения зарядов только одного типа.2) управления выходным током осуществляется за счет изм-ния эл. тока затвора, а не входного тока. Принцип действия ПТУП.

При определенном достаточно большом запирающим напряжении на затворе канал закрывается полностью и ток стока прекращается. Uзи=Uотсеч след. Iс=0. Сток затворная хар-ка ПТУП:

Зависимость обратная, нелинейная. Рабочий участок наиболее прямой участок.

КП101, КП102, КП201 КП307, КП302, КП314,

КП303

В

Основные параметры ПТУП: 1)Iс.нач. – начальный ток стока это Ic при Uзи=0. 2) S=ΔIс/ΔUзи – крутизна харак-ки, определяет усилительные св-ва. Нормируется при S=Iс.нач S=tgγ 3) Uотс – напряжение на затворе, когда Iс=0.

Удельно допустимые параметры ПТУП:

1)Iс.макс – макс. Допуст ток стока

2)Uси.макс – макс. Допуст. U сток-исток

3)Uзи.макс – макс. Допуст. U затвор-исток

4) Pc.макс – макс. Допуст. Мощн. Рассеиваемая на стоке

5)Tмакс – макс. Допуст. температура

ыходные характеристики

10. ПТ с изолированным затвором. Принцип действия, статические характеристики, особенности применения.

На металлической подложке размещается кристалл, кот. легирован примесями n-типа малой концентрации. У поверхности кристалла размещены два кармана заполненные п/п противоположного типа в кот. подведены электроны сток-исток У поверхности кристалла между карманами создается свой диэлектрик SiO2. Над диэлектриками напыляется тонкий слой металла (АС) образующий затвор.

При отсутствии управляющего напряжения на затворе Uзи=0, внутри кристалла и во внешней цепи ток отсутствует, т.к. закрыт один из p-n переходов между карманом и основным кристаллом.

П

Вых. хар-ки: Мпор-пороговое напряжение, соответствующее Uзи при кот. образуется Ic.

ри увеличении напряжения на затворе под действием Эл. поля на затворе элетроны(-) из кристалла затягиваются в зону между стоком и истоком. Когда их концентрация под затвором превышает концентрацию дырок, образуется проводящий канал n типа между стоком и истоком , во внешней цепи создается ток стока. Велечина его нарастает с увеличением управляющего напряжения Uзи.

Сток-затворная характеристика МОП транзисторов:

М

Вых. хар-ки

:

Данный тип транзистора – идеальный усил. элемент, кот. не требует доп. U на входе для создания рабочей точки.

ОП транзисторы со встроенным каналом: В этих транзисторах за счет конструктивного исполнения образован канал проводимости т.о. что уже при Uзи=0 протекает ток стока Ic.нач. При подаче на затвор напряжения одного знака кол-во носителей в канале увеличивается, Ic нарастает. При изменении знака Uзи часть носителей выталкивается из канала, Iс и проводимость канала уменьшается. Сток-затвор. Х-ка

Особенности применения МОП: 1) т.к. толщина слоя диэлектрика под затвором мала (0,4-0,6 мкм) то для пробоя затвора достаточно U=20-30В. Они могут разрушаться за счет статического эл-ва рук. Должны применяться спец. Меры при хран., монтаже и эксплуатации. При хран. все выводы закорачиваются между собой с пом. фальги. При монтаже использовать низковольтный паяльник, с заземленным корпусом. Заземлять кисти рук. 2)При эксплуатации должен придусматриваться резистор(10-50мОм) утечки между З-И. Т.к. затвор изолирован от каналов ток затвора мал, а вх. сопротивление оч. велико, из-за этого МОП применяются с высоковольтными источниками сигнала. 3) Структура МОП удобна для интегральных тех-гий и позволяет разместить большое число эл-ов на ед. площади. Прим-ся в ИС. Силовые МОП-Т – КП810А(U=1300В, Iс=7А) , КП958В(U=60В, Iс=30А).

11. Тиристоры / тринисторы. Вольтамперные характеристики, режимы работы, схема включения, основные и предельные параметры, условия выбора тринистора.

Тиристоры применяются в автоматизированном электроприводе для регулирования скорости двигателей пост. и перемен. тока, а также в различных регуляторах технологических пар-ов. Они имеют 4-х слойную стр-ру p-n-p-n. Изготавливаются на основе Si.

Термин тиристор происходит от “tira-дверь”. Он объединяет целую группу 4-х слойных приборов. Динистор – два вывода и односторонняя проводимость. Тринистор – три вывода и односторонняя проводимость. Синистор – три вывода и двусторонняя проводимость.Фототиристор – упр-е световым сигналом.

ВАХ-тринистора.

Тринистор имеет два режима работы:

  1. Упр-е по аноду осущ-ся при Iy-Iy1=0; Uak=Uar .При увеличении напряжения м/у анодом и катодом Uak до опр-го зн-я, то ток анода Ia растёт незначительно: Ia≈0, тиристор закрыт – это участок ОА. При достижении на аноде напряжения включения Uak=Uвкл происходит лавинообразное нарастание тока анода и тиристор открывается –участок ABC. Тиристор переходит на ВАХ обычного диода (BC), при этом ток анода Ia ограничивается только сопротивлением нагрузки Rн. Время включения тиристора мало и составляет 2-20 мкс.

  2. После включения, напряжение на аноде открытого тиристора незнач-ую величину Uотк=1-2 В. Управление по управляющему электроду осуществляется при изменении тока упр-я Iy=var, а напряжение на аноде закрытого тиристора должно выбираться меньше, чем Uвкл. Uak закр=Uпит<Uвкл для того, чтобы тиристор не открылся при отсутствии сигнала упр-я Iy=0. В этом случае при отсутствии сигнала упр-я тиристор закрыт. При подаче сигнала управления Iy=Iy2, тиристор открывается, при малом Uak, а при большом Iy=Iy2=Iyот – тиристор сразу переходит в открытое состояние.

Основные пар-ры тринистора:

1)Iyот – открывающий ток упр-го электрода

2)Uyот – открывающее напряжение (2-5 В)

3)tвкл , tвыкл

4)Uотк – падение напряжения на аноде открывающий тиристор (вред. пар-р 2-3 В)

Предельно-допустимые пар-ры тиристора:

1)Iотк max – max доп-ый постоянный ток анода в откр. состоянии.

2)Uпр зак – max доп-ое прямое напряжение на аноде в закрытом состоянии.

3)Uпр max – max доп-ое откр. напряжение на аноде

5)Tmax – max доп-ая температура.

12. Усилительные устройства. Разновидности, применение, принцип действия усилительного каскада.

Классификация усилителей.

Устройство, предназначенное для усиления электрических сигналов, называется электронным усилителем.

Основной классификацией усилителей является классификация по диапазону усиливаемых частот.

  1. Усилители низкой частоты (УНЧ) - диапазон усиливаемых частот от 10Гц до 100кГц.

  2. Усилители высокой частоты (УВЧ) - диапазон усиливаемых частот от 100кГц до 100МГц.

  3. Усилители постоянного тока (УПТ). Они могут усиливать постоянный ток. Диапазон усиливаемых частот от 0Гц до 100кГц.

  4. Импульсные усилители (ИУ) - широкополосные импульсные- и видеоусилители. Ча­стотный диапазон усиливаемых частот от 1кГц до 100кГц.

Избирательные, или резонансные усилители - это усилители, работающие в узком диапазоне частот.

Широкое применение нашло в САУ, измерительной технике, в аналоговых выч. машинах в качестве ОУ в различных ф-х устр-ах.

В САУ усилитель явл-ся обязательным эл-ом функ-ой схемы. Он беспечивает повышение точности регулирования. В современных усилительных уст-ах используются БТ и ПТ, как отдельный прибор, так и в составе ИС.

Простейший усилительный каскад содержит 3 эл-та:

  1. Управляющий эл-т (УТ) – БТ иПТ

  2. Резистор внутренней нагрузки(R)

  3. Источник питания (ИП)

Упр-ие Uвых и мощностью в нагрузке осуществляется за счёт изменения вых-го сопротивления УЭ под действием малого вых-го сигнала ИП. Т.к. УЭ и резистор R включены послед-но, то напряжение питания перераспределяется на R и УЭ. Усиление вх-го сигнала основано на преобразовании энергии ИП в энергию вых-го сигнала выделяемую на внутренней или внешней нагрузках при изменении вых-го сопротивления УЭ.

13. Многокаскадные усилители. Основные показатели и виды межкаскадных связей. Определение общего коэффициента усиления.

Для повышения коэф-та усиления используют многокаскадные усилители, в кот-ых общий коэф-т усиления равен Ku=Ku1*Ku2*…*Kun,, где n – число каскадов. Обоснование этого–равенство вых-го напряжения предыдущего каскада, и вх-го напряжения последовательного каскада. В этом случае между каскадами, а также между входом усилителя и источником сигнала или же между выходом усилителя и нагрузкой могут суще­ствовать следующие виды межкаскадных связей.

1) Резисторно-ёмкостная связь

Резисторно-ёмкостная связь является наиболее широко распространённой в усилителях пере­менного напряжения.

2) Трансформаторная связь

Трансформаторная связь позволяет осуществить оптимальное согласование между каскадами путём подбора коэффициента трансформации трансформатора. Недостатки:

• Сравнительно большие габариты и вес трансформаторов.

• Большие частотные искажения, так как сопротивления обмоток трансформатора зависят от частоты Xl =ω•L, поэтому трансформаторная связь применяется на низких частотах и в узком диапазоне.

3) Гальваническая (непосредственная) связь

14. Обратные связи в усилителях. Виды и типы ОС, их влияние на показатели усилителя.

Виды обратной связи. Обратной связью в усилителе (в целом) и и же в отдельно взя­том каскаде называется такая связь между входом и выходом, при которой часть энергии уси­ленного сигнала с выхода передаётся на вход.

По способу своего возникновения обратная связь может быть внутренней, паразитной и ис­кусственной.

Внутренняя ОС возникает за счёт внутренних свойств элементов схемы. Паразитная ОС воз­никает за счёт паразитных ёмкостей и индуктивностей. Стараются внутреннюю паразитную обратную связь возможно сильнее уменьшить.

Искусственная ОС вводится специально для улучшения основных характеристик усилителя. По признаку петлевого усиления различают положительную ОС (ПОС) и ООС. При ПОС сиг­нал на вход усилителя через цепь ОС поступает в фазе со входным сигналом. При ООС сиг­нал, проходя цепь ОС, будет подаваться в противофазе с входным сигналом. В усилителях, в основном, применяется ООС; ПОС применяется в генераторах.

В зависимости от того, каким образом цепь ОС подключается к выходу усилителя, различают ОС по току и по напряжению.

В зависимости от того, каким образом цепь ОС подключается к выходу усилителя, различают параллельную и последовательную ОС усилителя. 4 типа ОС:

1) Послед-но-послед-я ООС (послед-я ООС по току) первое слово для вх., а второе для вых.

Rвх – увелич. +

Rвых – увелич. –

Применяется в одиночном усилительном каскаде

Для стабилизации рабочей точки

2) Послед-но-паралл-я ООС или последовательная ООС по напряжению

Rвх – увелич. +

Rвых – уменьшается –

Самая оптимальная

3) Пар-но-послед-я ООС – пар-я ООС по току

Rвх – уменьшается –

Rвых – увелич. –

4) Пар-но-пар-я ООС

Rвх – уменьшается –

Rвых – уменьшается +

Широко применяется в схемах операционных

усилителей

Влияние ООС на пар-ры усилителя

∆U=Uвх-Uос (1); ∆U=Uвых/k0 (2); Uос=Uвых*Kос (3); подст. (2), (3) в (1)

Uвых/ k0=Uвх-Uвых*kос, преобразуем ku= Uвых /Uвх= k0/(1+ k0* kос)

Где (1+ k0* kос) – глубина ОС, показывает во сколько раз

уменьшится исх-ый коэф-т усиления при введении ОС [Дб].

Резисторы должны выбираться с низким зн-ем ТКС (темпер. коэф-та

сопротивления и номинала из ряда Е96+ 1%

kос=R2/(R2+R1); ku=1/ kос=(R2+R1)/R2=(R1/R2)+1

Rвх=rвх*(1+ k0* kос); Rвых=rвых/(1+ k0* kос)

15. Определение параметров Ku, Rвх, Rвых в усилителе с с последовательно-параллельной ООС.

- знаменатель этой формулы -это глубина ОС – показывает, во сколько раз снижается коэффициент усиления каскада. На практике Кос=0.5…0.01;

При определенном Ко (1000-100000) формула приводится к виду - т.е. при введении глубокой ООС, результирующий коэффициент усиления не будет зависеть от параметров каскада, а только от параметров ОС.

Влияние ОС на входное/выходное сопротивление:

16. Усилительный каскад ОЭ.

Назначение элементов:

Rб – задает напряжение смещения на базе VT1 и выводит транзистор на рабочую точку

Rк – внутренняя нагрузка транзистора – обеспечивает формирование Uвых

Cвых – выходной конденсатор – исключает прохождение постоянного тока с коллектора VT1 на нагрузку.

Режим работы транзистора характеризуется рабочей точкой с четырьмя параметрами: Uк.р, Iк.р, Uбэ.р, Iб.р;

Работу каскада удобно представлять графически, используя выходные и входные характеристики.

Коэффициент усиления можно найти как отношение

Порядок графических построений:

  1. на выходных характеристиках строят линию нагрузки на основе двух уравнений:

Линия нагрузки проводится через две точки:

Наклон линии нагрузки к оси абсцисс определяется выражением:

  1. В середине линии нагрузки выбираем рабочую точку (Р.Т.), координаты которой задают режим работы транзистора по постоянному току (Uкэ.р, Iк.р, Iб.р)

  2. На входных характеристиках находим ту, которая соответствует Uкэ.р. На ней, по известному значению Iб.р находим точку, и соответствующее ей значение Uбэ.р

  3. Входной сигнал строим в виде синусоиды, относительно Uбэ.р. При этом, амплитуда сигнала должна укладываться в прямолинейный участок входной характеристики.

  4. Выходной сигнал строится относительно Uкэ.р по соответствующему изменению Uкэ. Амплитуда выходного сигнала определяется по точкам пересечения линии нагрузки с выходными характеристиками Iб1 и Iб2.

Нелинейные искажения:

Для обеспечения максимального динамического диапазона изменения Uвых, рабочую точку (Р.Т.) надо выбирать в середине линии нагрузки исходя из условия Uк.р = 0.5Uп.

1) При правильном выборе Р.Т. искажения в виде симметричного ограничения выходного сигнала будут возникать в случае подачи слишком большого напряжения Uбэ на вход каскада.

2) При неправильном выборе Р.Т. (когда Uк.р > 0.5Uп) сигнал будет обрезаться сверху.

3) При неправильном выборе Р.Т. (когда Uк.р < 0.5Uп) сигнал будет обрезаться снизу.

17 Усилительный каскад с эмиттерной стабилизацией режима работы.

Транзистор управляется разностью потенциалов между его базой и эмиттером. Если возрастает температура, или просто начинает возрастать коэффициент передачи тока β, то, в первый момент, ток коллектора Iк.р. возрастает. Напряжение Uбэ при этом падает, что призакрывает транзистор, уменьшая тем самым ток коллектора. Таким образом осуществляется эмиттерная стабилизация работы каскада. Точность и плавность стабилизации определяется глубиной ООС. Глубина ООС прямопропорциональна значениям β и R3.

Параметры схемы.

- коэффициент усиления на холостом ходу

; где ||; - под нагрузкой

; ||;

Такие каскады используют, в основном, как каскады предварительного усиления в многокаскадных усилителях мощности.

18 Усилительный каскад с общим коллектором.

Особенностью данной схемы является: 1. выходной сигнал формируется на эмиттере транзистора, относительно общего провода; 2. коллектор является общим для протекания входного и выходного токов.

Назначение элементов.

R1 – задает начальный ток базы, задает режим работы по постоянному току.

R2 – играет роль внутренней нагрузки для создания Uвых; создает цепь ООС последовательно-параллельного типа (глубина ОС такая, что весь выходной сигнал поступает во входную цепь и вычитается из входного сигнала).

VT1 – усиливает ток выходного сигнала (управляется разностью сигналов Uвх-Uвых).

С1,С2 – обеспечивают развязку по постоянному току, соответственно, на входе и на выходе.

Параметры каскада.

- основное влияние здесь оказывает коэффициент передачи

||; где ||

||; RЕ – внутреннее сопротивление источника сигнала

ВНИМАНИЕ: этот каскад не является фазоинвертором

>>

<<

<

Поскольку эта схема обладает большим входным сопротивлением, имеет смысл использовать её во входных цепях аппаратуры, а также в выходных цепях, из-за низкого выходного сопротивления.

19 Каскад на комплиментарных транзисторах.

Если каскад должен обладать большой мощностью, то обыкновенные каскады А-класса использовать нельзя, всилу их низкого КПД. Приходится использовать каскады Б-класса, у которых КПД выше примерно в три раза. Поскольку в Б-режиме транзистор может работать только на открывание, то для усиления знакопеременного сигнала приходится создавать каскады на комплиментарных транзисторах.

Характерной особенностью такой схемы является двуполярное питание.

Назначение элементов:

R1,R2 – обеспечивают балансировку каскада (Uвых=0 при Uвх=0)

R3создает небольшое начальное смещение на базах VT1-VT2 и обеспечивает небольшой начальный ток коллектора, что устраняет «ступеньки».

R4 – формирует выходное напряжение Uвых, за счет протекания через себя соответствующего тока. также отвечает за выходное сопротивление схемы.

C1,C2 – обеспечивают высокое входное сопротивление и развязку входного сигнала по постоянному току.

VT1,VT2 – два мощных транзистора, работающих как эмиттерные повторители, собственно, усиливают ток выходного сигнала.

!ВНИМАНИЕ: данная схема не усиливает напряжение – только ток!

Временные диаграммы работы схемы.

При положительной полуволне напряжения на входе, открыт транзистор VT1, при отрицательной – VT2. В результате через резистор Rн течет переменный ток и на нем возникает переменное напряжение Uвых.

При нерпавильной регулировке начального тока баз транзисторов VT1 и VT2, в каскаде могут возникать искажения типа «ступенька». Для их устранения надо скорректировать номинал резисторов R1 (если искажения дает VT1) и R2 (если искажения дает VT2).

20 Энергетические показатели каскадов А и В класса.

Каскады класса А – такие, рабочая точка которых расположена на прямолинейном участке входной характеристики, т.е. Uкр=0,5Uп и Iкр=0,5Uп/Rк. Естественно, при таком режиме работы на транзисторе выделяется какая-то часть потребляемой мощности каскада на поддержании рабочей точки. Если это каскад предварительного усиления, то будут выделяться милливатты мощности и проблем не возникнет, но если в данном режиме будет работать оконечный каскад, потери мощности будут очень значительными.

Это можно доказать небольшими вычислениями:

; где

Pнагр – мощность, выделяемая на нагрузке;

Pпотр – мощность, потребляемая каскадом;

Uнагр – максимальное напряжение на нагрузке;

Iнагр – максимальный ток через нагрузку;

Uп – напряжение питания;

Iк.р. – рабочий ток коллектора;

Как видим, КПД каскада класса А не превышает 25%;

Рабочая точка каскадов класса В располагается на границе отсечки коллекторного тока, что вызывает выделение меньшего количества мощности на транзисторе. Подобные каскады используют, как правило, в качестве оконечных. Рассчитаем его КПД:

; где

Iк – максимальный ток коллектора;

Расчеты проводились при условии отсутствия начального тока коллектора (Iк.р.=0), т.е. для идеального каскада. В реальном случае КПД равен 75, а не 78%.

21. Операционные усилители (ОУ) па ИС. Назначение и области применения. Структура и основные параметры ОУ на интегральных микросхемах.

ОУ- многокаскадный усилитель постоянного тока с непосредственной (гальванической) связью между каскадами. Разделительных конденсаторов нет.

Назначение:

1) выполняют математические операции с аналоговыми сигналами ( сложение, вычитание, диф-ние, интегр-е)

2) для усиления сигнала постоянного, переменного тока и построения различных функциональных устройств ( компараторы, активные фильтры, генераторы периодических сигналов, амплитудные детекторы и компенсационные стабилизаторы).

ОУ выпускают в виде интегральных схем (ИС) которые имеют малые габариты, низкую стоимость и высокую надежность работы.

Пример схемы ОУ на ИС К140УД1:

Схема ОУ содержит 3 каскада:

1 – Каскад – дифференциальный ( VT1, VT2, VT3)

Обеспечивает основное усиление по напряжению разности входных сигналов Uвх1 - Uвх2

VT3 – стабилизатор тока эммитеров

2 – Каскад – дифференциальный (ДК2) на транзисторах VT4, VT5, VT6

VT6 – обеспечивает термостабилизацию режима работы. Этот каскад обеспечивает дополнительное усиление по напряжению и согласование с средним каскадом.

3 – Каскад – 2-х тактный усилитель мощности VT7, VT8, VT9

VT8 – стабилизация режима работы.

Каскад предназначен для усиления мощности и согласования ОУ с низкоомной нагрузкой. Входные сигналы Uвх1 и Uвх2, подключаются на базы VT1, VT2. Причем сигнал Uвх1 увеличивает выходное напряжение Uвых, а сигнал Uвх2 уменьшает. Вход «+» - неинвертирующий, «-« -инветирующий

Т.о. выходной сигнал Uвых определяется разностью входных сигналов : Ku(Uвх1 – Uвх2)

Условно-графическое изображение:

Статические характеристики:

Максимальный уровень Uвых ОУ ограничивается + - Uоу max , которое определяется напряжением питания Uоу max= Uп – 1.5

Разное напряжение на выходе обуславливается двумя источниками питания +Uп1 и -Uп2.

Основные параметры ОУ:

Кu – коэффициент усиления;

Uсм – напряжение смещения нуля

ΔUсм/Δt° - температурный дрейф Uсм

Rвх.диф – дифференциальное входное сопротивление

Rвх.син – синфазное входное сопротивление

f1 – частота единичного усиления

Uп – напряжение питания

Uвых - выходное напряжение

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]