Темы: Напівпровідникові транзистори

1.  За принципом дії транзистори поділяють на

   1. Біполярні

   2. Польові

7. Нанотранзистори

2. Біполярні транзистори в порівнянні з польовими

   1. Більш потужні

   2. Більш високочастотні

5. Мають гірші динамічні характеристики

3. Польові транзистори в порівнянні з біполярними

3. Менш потужні

Більш високочастотні

4. Менш високочастотні

6. Мають кращі динамічні характеристики

7. Мають кращі можливості автоматичного регулювання підсилення

4. Основним матеріалом для виготовлення транзисторів слугує

   1.  Кремній

   2. Германій

   3. Арсенід галлію

5. По типу провідності транзистори поділяють на

3. P-n-p

4. N-p-n

5.  N- канальні

6. P- канальні

6. Нормальне ввімкнення p-n-p транзистора приведено на схемі

   1.  

7. Нормальне ввімкнення n-p-n транзистора приведено на схемі

   1. 

8. Інверсне ввімкнення n-p-n транзистора приведено на схемі

2

9. Інверсне ввімкнення p-n-p транзистора приведено на схемі

2

10. Емітерним переходом являється перехід

1.   е-б

5. П1

11. Колекторним переходом являється перехід

2. б-к

3. к-б

6. П2

12. Вхідним струмом на схемі є

1.  Іе

1. Вихідним струмом на схемі є

3. Ік

14. Згідно з першим законом Кірхгофа для колa

1. 

1. Коефіцієнт передачі струму n-p-n транзистора, ввімкненого по схемі зі спільною базою

5

16. Коефіцієнт підсилення по напрузі n-p-n транзистора, ввімкненого по схемі зі спільною базою

4

17. Для сучасних транзисторів коефіцієнт передачі струму

    1.  h21б = 0,95-0,99

4. h21е = 10-150

18. Серед наведених вкажіть вхідні характеристики транзистора

    1.  

19. Серед наведених вкажіть вихідні характеристики транзистора

4

20. Серед наведених вкажіть характеристики передачі струму транзистора

2

21. Серед наведених вкажіть характеристику зворотного зв’язку транзистора

    1. 

22. Вказати схему ввімкнення зі спільною базою

    1. 

23. Вказати схему ввімкнення зі спільною емітером

2

24. Вказати схему ввімкнення зі спільним колектором

3

25. Схема ввімкнення транзистора зі спільною базою характеризується

2. підсиленням потужності

3. підсиленням напруги

26. Схема ввімкнення транзистора зі спільним емітером характеризується

    1.  підсиленням струму

    2.  підсиленням потужності

    3.  підсиленням напруги

27.  Схема ввімкнення транзистора зі спільним колектором характеризується

    1. підсиленням струму

    2. підсиленням потужності

4. високим вхідним опором

5. низьким вихідним опором

28. Зворотній струм колектора, це

2

1. Струм неосновних носіїв заряду в колі колектора при розімкненому колі емітера

1. Вхідна характеристика транзистора в схемі зі спільною базою приведена на рисунку

   1. 

2. Вихідна характеристика транзистора в схемі зі спільною базою приведена на рисунку

3

31. Вхідна характеристика транзистора в схемі зі спільним емітером приведена на рисунку

3

32. Вихідна характеристика транзистора в схемі зі спільним емітером приведена на рисунку

    1. 

33. В схемі зі спільною базою струм колектора визначається співвідношенням

    1. 

34. Про дифузійний характер колекторного струму в схемі зі спільною базою свідчить

2. Велике значення колекторного струму при напрузі на колекторі, рівній нулю

3. Колекторний струм практично не залежить від Uкб

35. Коефіцієнт передачі струму в схемі зі спільним емітером

456

36. В схемі зі спільним емітером струм колектора

    1. 

    2. 

37. Пробивна напруга в схемі зі спільним емітером менша, ніж в схемі зі спільною базою тому, що в схемі зі спільним емітером

    1. зменшується ширина бази внаслідок розширення колектор­ного переходу при збільшенні зворотної напруги Uке

    2. зменшується рекомбінація неосновних носіїв в базі

    3. збільшуються струми бази і колектора

    4. має місце велика залежність коефіці­єнту передачі струму бази від напруги на колекторі

38. При аналізі режиму роботи транзистора по схемі

використовують наступні рівняння другого закону Кірхгофа

1. 

1. Режим роботи транзистора називається динамічним, тому що

   1. В транзисторі під час проходження сигналу одночасно змінюються всі напруги

   2. Зміна колекторного струму залежить не лише від зміни струму бази, а від зміни колекторної напруги, яка, в свою чергу, залежить від зміни як базового, так і колекторного струмів

2. При побудові навантажувальної прямої значення колекторного струму при напрузі Uке=0 є

   1. 

3. При побудові навантажувальної прямої значення напруги Uке при колекторному струмові    є

2

42. Робочою точкою називається

    1. Точка перетину динамічної характеристики із статичною при заданому вхідному струмові

43. Форма і амплітуда вихідного сигналу в схемі зі спільним емітером визначається

    1. Положенням робочої точки

44. Режим, позначений на рисунку І використовується для

2.  підсилення сигналу

45. Режим, позначений на рисунку ІІ використовується для

2. перемикання із ввімкненого стану у вимкнений стан

 

46. Режим, позначений на рисунку ІІІ використовується для

1. 5. перемикання із вимкненого стану у ввімкнений стан

1. Режим, позначений на рисунку ІY використовується для

6.  спеціальних типів транзисторів

48. Режим, відповідаючий ділянці AF навантажувальної характеристики називається

5. насичення

49. Режим, відповідаючий ділянці AG навантажувальної характеристики називається

3. підсилювальним

50. Режим, відповідаючий ділянці GH навантажувальної характеристики називається

4. відсічки

51. Умовою насичення транзистора є

    1. 

    2. 

52. Умовою відсічки транзистора є

    1. 

    2. 

53. Еквівалентна схема польового транзистора при низьких частотах

4

54. Еквівалентна схема транзистора, ввімкненого по схемі зі спільним емітером

2

3

55. Еквівалентна схема транзистора, ввімкненого по схемі зі спільною базою

    1. 

56. Схема Дарлінгтона приведена на рисунку

    1. 

57. Структура польового транзистора з затвором у вигляді p-n переходу наступна

    1. 

58.  Структура польового транзистора з вбудованим каналом наступна

3

59. Структура польового транзистора з індукованим каналом наступна

3

60. Структура керованого тиристора наступна

    1. 

61. Вхідна характеристика польового транзистора з p-n переходом

4

62. Вхідна характеристика польового транзистора з вбудованим каналом

3

63. Вхідна характеристика польового транзистора з індукованим каналом

2

64. Вихідна характеристика польового транзистора з індукованим каналом

3

65. Вихідна характеристика польового транзистора з вбудованим каналом

3

66. Вихідна характеристика польового транзистора з p-n переходом

2

67. Схематичне зображення польового транзистора з p-n переходом

    1. 

68. Схематичне зображення польового транзистора з індукованим каналом

3.

69. Схематичне зображення польового транзистора вбудованим каналом

4

70.  В залежності від технології ІМ поділяють на

    1. Напівпровідникові

    2. Плівкові

5. Гібридні

71. По характеру виконуваних операцій ІМ поділяють на

6. Аналогові

7.  Цифрові

72. Ступенем інтеграції називається

5. Величина K=lgN округлена до біль­шого цілого числа

73.  Аналогові ІС поділяються на

    1.  Інформаційні

    2.  Силові