- •1.Краткие сведения о резисторах и конденсаторах.
- •2. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Электронно-дырочный n-p переход. Вольт-амперная характеристика.
- •3.Полупроводниковые диоды. Классификация, условия обозначения. Основные свойства и параметры.
- •4.Выпрямители. Определение, классификация. Основные компоненты (структура) полупроводниковых выпрямителей.
- •5.Последовательное и параллельное включение выпрямительных диодов.
- •6.Сглаживающие фильтры выпрямителей. Разновидности. Принцип работы lc-фильтра.
- •7.Транзисторы. Определение. Классификация, условные обозначения (включая полевые транзисторы).
- •2.По структуре:
- •4.По мощности:
- •5.По исполнению:
- •8.Структура и принцип работы биполярного транзистора в режиме усиления.
- •9.Схемы включения биполярных транзисторов в режиме усиления.
- •10.Основные параметры и характеристики биполярных транзисторов.
- •11.Построение динамических характеристик биполярных транзисторов.
- •12.Способы подачи напряжения смещения на базу биполярного транзистора.
- •13.Схемы питания и температурной стабилизации режима работы биполярных транзисторов.
- •14. Электронные усилители. Определение, классификация, основные параметры.
- •15.Режимы (классы) усиления усилителей. Режима класса а. Режима класса в. Понятие рабочей точки и токов покоя.
- •16.Обратная связь в усилителях.
1.Краткие сведения о резисторах и конденсаторах.
Резистор – пассивный элемент электрической цепи, в идеале характеризуемый активным сопротивлением.
Основные параметры резистора:
1.Номинальное сопротивление. Номинальное сопротивление резисторов точностью до 10n,n Є D выбирают из так называемого номинального ряда. Е6,Е12,Е24,Е48,Е96,Е192. Цифра – количество значений в данном ряде. Каждый ряд соответствует определенному допуску в номиналах деталей. 1,0; 1,5; 2,2; 3,3; 4,7; 6,8.
2.Класс точности.
3.Номинальная мощность – это та максимальная рассеиваемая мощность, при которой параметры резистора существенно не меняются и он остается работоспособным длительное время.
Обозначение мощности: Классификация резисторов:
Стандартное обозначение |
| |
|
0,05 Вт |
|
0,125 Вт |
| |
0,25 Вт |
| |
0,5 Вт |
| |
1 Вт |
| |
2 Вт |
|
2.По материалам (проволочные, полупроводниковые). Конденсатор - двухполюсник с определённым значением ёмкости и малой омической проводимостью; устройство для накопления заряда и энергии электрического поля. Конденсатор является пассивным электронным компонентом.
Основные параметры конденсатора:
1.Ёмкость.
2.Удельная ёмкость.
3.Номинальное напряжение.
4.Полярность.
5.Электрическое сопротивление изоляции.
6. Эквивалентное последовательное сопротивление.
7.Эквивалентная последовательная индуктивность.
8.Тангенс угла.
9.Температурный коэффициент ёмкости.
10.Диэлектрическое поглощение.
Классификация:
Конденсаторы вакуумные.
Конденсаторы с газообразным диэлектриком.
Конденсаторы с жидким диэлектриком.
Конденсаторы с твёрдым неорганическим диэлектриком
Конденсаторы с твёрдым органическим диэлектриком
Электролитические и оксидно-полупроводниковые конденсаторы.
Постоянные конденсаторы
Переменные конденсаторы
Подстроечные конденсаторы
В зависимости от назначения можно условно разделить конденсаторы на конденсаторы общего и специального назначения.
2. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Электронно-дырочный n-p переход. Вольт-амперная характеристика.
Полупроводники — это вещества, удельное сопротивление которых убывает с повышением температуры, наличием примесей, изменением освещенности.
В идеальном кристалле ток создается равным количеством электронов и «дырок». Такой тип проводимости называют собственной проводимостью полупроводников. При повышении температуры (или освещенности) собственная проводимость проводников увеличивается.
На проводимость полупроводников большое влияние оказывают примеси. Примеси бывают донорные и акцепторные. Донорная примесь — это примесь с большей валентностью. При добавлении донорной примеси в полупроводнике образуются лишние электроны. Проводимость станет электронной, а полупроводник называют полупроводником n-типа. Акцепторная примесь — это примесь с меньшей валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуется лишнее количество «дырок». Проводимость будет «дырочной», а полупроводник называют полупроводником р-типа.
Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на свойствах р—n-перехода. При приведении в контакт двух полупроводниковых приборов р-типа и л-типа в месте контакта начинается диффузия электронов из n-области в р-область, а «дырок» — наоборот, из р- в n-область. Этот процесс будет не бесконечным во времени, так как образуется запирающий слой, который будет препятствовать дальнейшей диффузии электронов и «дырок».
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) — график зависимости тока через двухполюсник от напряжения на этом двухполюснике. Вольт-амперная характеристика описывает поведение двухполюсника на постоянном токе.