12) Сведениями о диодах с накоплением зарядов

У диодов с накоплением заряда концентрация примеси в базе при приближении к p‑n‑переходу уменьшается, в связи с этим неравномерной оказывается и концентрация основных носителей — электронов. Электроны диффундируют в сторону p-n-перехода, оставляя вдали от него нескомпенсированный заряд положительных ионов. Это приводит к возникновению в базе электрического поля, направленного в сторону перехода. Под действием этого поля дырки, инжектируемые в базу при включении диода в прямом направлении, накапливаются у границы p-n-перехода. При переключении диода с прямого направления на обратное эти дырки под действием поля p-n-перехода быстро уходят из базы в эмиттер, т.е. время восстановления обратного сопротивления уменьшается. Еще большим быстродействием обладают диоды Шоттки.

11) Сведениями о диодах на гетеропереходах

Гетеропереходом называют переходный слой с существующим там диффузионным электрическим полем между двумя различными по химическому составу полупроводниками.

Гетеропереходом называется переход, образованный между двумя полупроводниками с различной шириной запрещенной зоны.

Отличает гетеропереход от гомоперехода также и наличие пика на границе зоны проводимости. Это должно приводить к появлению области, обогащенной электронами, слева, и области, обедненной электронами, справа. Протекание тока в зоне проводимости через барьер может осуществляться, по-видимому, двумя путями: туннелированием сквозь зубец и прохождением над зубцом. В механизме прохождения тока через гетеропереход должны играть также весьма существенную роль дефекты на границе раздела: так называемые граничные состояния. Граничные состояния создают на границе раздела большое количество рекомбинационных ловушек. В результате токи рекомбинации через эти ловушки могут оказаться доминирующими.

34) Логический элемент исключающее ИЛИ-НЕ

 «ИЛИ-НЕ» (NOR) – функция выбора (если хотя бы на одном из входов – единица, то на выходе – ноль, в противном случае на выходе всегда будет единица). Как вы поняли, элемент «ИЛИ-НЕ» выполняет функцию «ИЛИ», а потом инвертирует его функцией «НЕ». Самой распространённой микросхемой ТТЛ, выполняющей функцию «2ИЛИ-НЕ», является ИМС К155ЛЕ1, а микросхемами КМОП – К561ЛЕ5 и К176ЛЕ5, внутри которых имеется четыре элемента «2ИЛИ-НЕ».

31) Логический элемент и-не

Элемент имеет ту же функцию что и элемент И, но только сигнал на выходе инвертируется.

«И-НЕ» (NAND) – функция сложения с отрицанием (если на всех входах единица, то на выходе будет ноль, в противном случае на выходе всегда будет единица).

По таблице истинности следует, что на выходе элемента «2И-НЕ» будет логический ноль только в том случае, если на обоих входах будет логическая единица. Если хотя бы на одном входе ноль, то на выходе будет единица.

Самой распространённой микросхемой ТТЛ, выполняющей функцию «2И-НЕ», является ИМС К155ЛА3, а микросхемами КМОП (комплементарный металлооксидный полупроводник) – ИМС К561ЛА7 и К176ЛА7, внутри которых имеется четыре элемента «2И-НЕ».

32) Логический элемент или-не

Этот элемент тоже имеет такую функцию, как и элемент ИЛИ.

«ИЛИ-НЕ» (NOR) – функция выбора (если хотя бы на одном из входов – единица, то на выходе – ноль, в противном случае на выходе всегда будет единица). Элемент «ИЛИ-НЕ» выполняет функцию «ИЛИ», а потом инвертирует его функцией «НЕ».

Самой распространённой микросхемой ТТЛ, выполняющей функцию «2ИЛИ-НЕ», является ИМС К155ЛЕ1, а микросхемами КМОП – К561ЛЕ5 и К176ЛЕ5, внутри которых имеется четыре элемента «2ИЛИ-НЕ».

33) Логический элемент исключающее или

«сложение по модулю 2»

Этот логический элемент имеет необычный смысл работы: на выходе появится логический уровень в том случае, если только на одном из входов будет присутствовать логическая единица. Если на оба входа (или на все) подать одинаковые уровни, тогда на выходе уровень не изменится.

«Исключающее ИЛИ» (XOR) - функция неравенства двух входов (если на обоих входах элемента одинаковые сигналы, то на выходе – ноль, в противном случае на выходе всегда будет единица). Операция, которую он выполняет, часто называют «сложение по модулю 2».

Самой распространённой микросхемой ТТЛ, выполняющей функцию «Исключающее ИЛИ», является ИМС К155ЛП5, а микросхемами КМОП – К561ЛП2 и К176ЛП2, внутри которых имеется четыре элемента «Исключающее ИЛИ».

37) Сведениями о параметрах и характеристиках транзисторов.

транзистор — это полупроводниковый прибор с двумя или более р-п переходами и тремя или более выводами, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.

  Наиболее широкое применение в радиолюбительских конструкциях находят биполярные и полевые транзисторы. У полевых транзисторов управление выходным током производится с помощью электрического поля, отсюда и название, полевые. Эти транзисторы имеют три электрода: исток, затвор и сток. Электроды полевого транзистора в определенной степени соответствуют электродам биполярного транзистора — эмит- теру, базе и коллектору. Достоинством полевого транзистора является то, что ток входного электрода (затвора) очень мал. Это определяет высокое входное сопротивление каскадов на этих транзисторах и тем самым устраняет влияние последующих каскадов схемы на предыдущие.

   Основная классификация транзисторов

   Основная классификация транзисторов ведется по исходному материалу, на основе которого они сделаны, максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе и частотным свойствам. Эти параметры определяют их основные области применения. По мощности транзисторы делят на транзисторы малой, средней и большой мощности, а по частоте — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и сверхвысокочастотные. По исходному полупроводниковому материалу — германиевые и кремниевые.

   Основными параметрами биполярных транзисторов являются:

   -    статический коэффициент усиления по току а в схеме с общей базой;

   -    статический коэффициент усиления по току |3 в схеме с общим эмиттером. Параметры аир связаны зависимостями вида в = а/(1 — а) или

а = в/(1 + в);

   -    обратный ток коллектора Іко;

   -    граничная fгр и предельная fh21 частоты коэффициента передачи тока.

   Основными параметрами полевых транзисторов являются:

   -    напряжение отсечки U0 — приложенное к затвору напряжение, при котором перекрывается сечение канала;

   -    максимальный ток стока Іс. макс;

   -    напряжения: между затвором и стоком Uзс, между стоком и истоком Uси и между затвором и истоком Uзи;

   -    входная Свх, проходная Спр и выходная Свых емкости.