13.02.07

Электроснабжение (по отраслям)

Раздел 2. Электроника

Тема 2.1. Полупроводниковые приборы.

1. Собственная и примесная проводимости полупроводнико­вых материалов. Основные и неосновные носители, донорные и акцепторные примеси, полупроводники n-типа и p-типа.

2. Р-п переход и его свойства. Емкость p-n перехода, виды пробоя p-n перехода.

3. Контакт металл-полупроводник, свойства, применение.

4. Контакт между полупроводниками с одним типом проводимости, свойства, область применения.

5. Полупроводниковые выпрямительные диоды, их устройство и принцип действия. Основные характеристики и параметры, условное графическое обозначение на схемах, маркировка (бук­венно-цифровое обозначение), область применения.

6. Лавинные диоды, их устройство и принцип действия. Основные характеристики и параметры, условное графическое обозначение на схемах, маркировка (бук­венно-цифровое обозначение), область применения.

7. Стабилитроны, их устройство и принцип действия. Основные характеристики и параметры, условное графическое обозначение на схемах, маркировка (бук­венно-цифровое обозначение), область применения.

8. Диоды Шоттки, их устройство и принцип действия. Основные характеристики и параметры, условное графическое обозначение на схемах, маркировка (бук­венно-цифровое обозначение), область применения.

9. Биполярные транзисторы; их устройство и принцип действия, усилительные свойства, условное обозначение на схемах.

10. Схема включения транзисторов с общей базой (ОБ), входная и выходная характеристики, коэффициент усиления, область применения.

11. Схема включения транзисторов с общим эмиттером (ОЭ), входная и выходная характеристики, коэффициент усиления, область применения.

12. Схема включения транзисторов с общим коллектором (ОК), входная и выходная характеристики, коэффициент усиления, область применения.

13. Полевые (униполярные) транзисторы; их устройство и принцип действия, основные характеристики и параметры, условное графическое обозначение на схемах, маркировка (буквенно-цифровое обозна­чение), область применения.

14. МДП (МОП) транзисторы; их устройство и принцип действия, основные характеристики и параметры, условное графическое обозначение на схемах, маркировка (буквенно-цифровое обозна­чение), область применения.

15. Динисторы; их устройство и принцип действия, основные характеристики и параметры, условное графическое обозначение на схеме, маркировка (буквенно-цифровое обозначение), область применения.

16. Тринисторы; их устройство и принцип действия, основные характеристики и параметры, условное графическое обозначение на схеме, маркировка (буквенно-цифровое обозначение), область применения.

17. Симисторы; их устройство и принцип действия, основные характеристики и параметры, условное графическое обозначение на схеме, маркировка (буквенно-цифровое обозначение), область применения.

18. Фоторезисторы; их устройство и прин­цип действия, условное графическое обозначение на схеме, маркировка (бук­венно-цифровое обозначение), область применения.

19. Фотодиоды; их устройство и прин­цип действия, условное графическое обозначение на схеме, маркировка (бук­венно-цифровое обозначение), область применения.

20. Светодиоды; их устройство и прин­цип действия, условное графическое обозначение на схеме, маркировка (бук­венно-цифровое обозначение), область применения.

21. Оптроны; их устройство и прин­цип действия, условное графическое обозначение на схеме, маркировка (бук­венно-цифровое обозначение), область применения.

22. Принцип действия, условное графическое обозначение на схеме, маркировка (буквенно-цифровое обозначение) и область применения термисторов.

23. Устройство, принцип действия и применение устройств отображения ин­формации на жидких кристаллах (ЖКИ).

24. Устройство, принцип действия и применение устройств отображения ин­формации на светодиодах.