- •Минобрнауки россии
- •Техническое задание
- •1. Выбор схемы усилителя переменного тока.
- •1.1Построение усилителя на основе инвертирующего решающего усилителя.
- •1.2 Схемная реализация усилителя на базе неинвертирующего ру.
- •1.3 Построение усилителя на основе двух усилительных подсхем
- •2.2Усилитель с двумя усилительными подсхемами
- •3.Экспериментальное исследование усилителя переменного тока с использование учебной лабораторной станции виртуальных приборов ni elvis
- •3.1Усилитель на одном не инвертирующем ру
- •3.2Усилитель на не инвертирующем и инвертирующем ру
- •4. Проектирование мощного выходного каскада усилителя
- •4.1 Назначение и функционирование вк
- •4.2 Расчет выходного каскада
- •4.3Максимальные мощности, рассеиваемые на элементах вк
- •Заключение
- •Список литературы
4.2 Расчет выходного каскада
Рассмотрим контур:
+Uun → R6 → база-эмиттер VT3 → R8 → Rн → общая шина
Рисунок 4.2
Сопротивление резистора R6 выбираем из условия обеспечения напряжения на выходе Uвых= 10 В, при максимальном токе нагрузки Iн=1,2 А, и минимальном статическом коэффициенте передачи по току транзистора VT3 в схеме с общим коллектором β=100/
В этом режиме через транзистор VT1 течет минимальный ток Iэ1=2мА (меньше нельзя,
поскольку при меньшем токе ухудшаются усилительные свойства этого транзистора).
При этом через транзистор VT3 течет максимальный ток:
По первому закону Кирхгофа:
По второму закону Кирхгофа:
Задаемся: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1. Напряжением база-эмиттер транзистора VT3: |
Uбэ=0,8 B | ||||||||||
2. Напряжением на резисторе R8: |
|
|
|
|
UR8=0,2 B | ||||||
Тогда: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Определим R8:
Аналогичным образом определяются R7 и R9.
Из условия обеспечения напряжения: Uвых= -10 B, при максимальном токе нагрузки
Iн= -1,2 A
Если минимальный статический коэффициент передачи по току транзистора VT4 в
схеме с общим коллектором β=100, то получаем:
R7=R6=333Ω
R9=R8=0,17Ω
4.3Максимальные мощности, рассеиваемые на элементах вк
Мощность рассеяния на коллекторе транзистора , где – это ток коллектора, – напряжение коллектор-эмиттер.
Транзисторы VT3, VT4 нужно устанавливать на теплоотвод, поскольку допустимая мощность рассеяния на транзисторе без теплоотвода, как правило, не превышает 2-4 Вт
Транзисторы VT1, VT2 можно использовать без теплоотвода.
Определим максимальную мощность на резисторе при
При этом:
Тогда:
Заключение
В ходе выполнения курсового проекта была спроектирована схема высококачественного усилителя переменного тока, состоящего из двух усилительных подсхем:
входная подсхема реализуется на неинвертирующем РУ, что позволяет получить большое входное сопротивление;
выходная подсхема реализуется на основе инвертирующего РУ - для получения высокого коэффициента усиления всего усилителя.
Усилитель, основанный на двух усилительных подсхемах, позволяет получить высокую верхнюю граничную частоту, при выборе примерно одинаковых по модулю коэффициентов усиления инвертирующего и неинвертирующего РУ.
В данной работе теоретические знания были подтверждены экспериментально и с помощью моделирования (на станции NI ELVIS и в системе MULTISIM соответственно).