Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
08 / курсачмойййй.doc
Скачиваний:
56
Добавлен:
27.12.2016
Размер:
3.94 Mб
Скачать

4.2 Расчет выходного каскада

Рассмотрим контур:

+Uun → R6 → база-эмиттер VT3 → R8 → Rн → общая шина

Рисунок 4.2

Сопротивление резистора R6 выбираем из условия обеспечения напряжения на выходе Uвых= 10 В, при максимальном токе нагрузки Iн=1,2 А, и минимальном статическом коэффициенте передачи по току транзистора VT3 в схеме с общим коллектором β=100/

В этом режиме через транзистор VT1 течет минимальный ток Iэ1=2мА (меньше нельзя,

поскольку при меньшем токе ухудшаются усилительные свойства этого транзистора).

При этом через транзистор VT3 течет максимальный ток:

По первому закону Кирхгофа:

По второму закону Кирхгофа:

Задаемся:

1. Напряжением база-эмиттер транзистора VT3:

Uбэ=0,8 B

2. Напряжением на резисторе R8:

UR8=0,2 B

Тогда:

Определим R8:

Аналогичным образом определяются R7 и R9.

Из условия обеспечения напряжения: Uвых= -10 B, при максимальном токе нагрузки

Iн= -1,2 A

Если минимальный статический коэффициент передачи по току транзистора VT4 в

схеме с общим коллектором β=100, то получаем:

R7=R6=333Ω

R9=R8=0,17Ω

4.3Максимальные мощности, рассеиваемые на элементах вк

Мощность рассеяния на коллекторе транзистора , где – это ток коллектора, – напряжение коллектор-эмиттер.

Транзисторы VT3, VT4 нужно устанавливать на теплоотвод, поскольку допустимая мощность рассеяния на транзисторе без теплоотвода, как правило, не превышает 2-4 Вт

Транзисторы VT1, VT2 можно использовать без теплоотвода.

Определим максимальную мощность на резисторе при

При этом:

Тогда:

Заключение

В ходе выполнения курсового проекта была спроектирована схема высококачественного усилителя переменного тока, состоящего из двух усилительных подсхем:

  1. входная подсхема реализуется на неинвертирующем РУ, что позволяет получить большое входное сопротивление;

  1. выходная подсхема реализуется на основе инвертирующего РУ - для получения высокого коэффициента усиления всего усилителя.

Усилитель, основанный на двух усилительных подсхемах, позволяет получить высокую верхнюю граничную частоту, при выборе примерно одинаковых по модулю коэффициентов усиления инвертирующего и неинвертирующего РУ.

В данной работе теоретические знания были подтверждены экспериментально и с помощью моделирования (на станции NI ELVIS и в системе MULTISIM соответственно).

Соседние файлы в папке 08
  • #
    27.12.201639.15 Кб34z16VT08.png
  • #
    27.12.201657.02 Кб73zad_gde_linza1111.cdw
  • #
    27.12.201674.95 Кб109zzOSN_08.cdw
  • #
    27.12.201662.03 Кб100zДеталь.m3d
  • #
    27.12.201657.03 Кб90зад где линза.cdw
  • #
  • #
    27.12.201645.71 Кб37опора.png
  • #
    27.12.201672.38 Кб100Основа.m3d
  • #
    27.12.201661.23 Кб72Пластинчатый раиатор _ ПМИГ 252.000.008.cdw