- •Полупроводниковые приборы
- •Содержание
- •Введение
- •1. Исследование выпрямительных диодов и степени их соответствия техническим условиям
- •Справочные данные на диоды
- •2Д213а, 2д213б, 2д213в, 2д213г, кд213а, кд213б, кд213в, кд213г
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •Д311, д311а, д311б
- •Предельные эксплуатационные данные
- •2. Исследование характеристик кремниевого стабилитрона и их анализ
- •Справочные данные на стабилитроны д814а, д814б, д814в, д814г, д814д
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •3. Исследование биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •Справочные данные транзисторов кт315 и кт361 кт315а, кт315б, кт315в, кт315г, кт315д, кт315е, кт315к, кт315и
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •Транзисторы кт361а, кт361б, кт361в, кт361г, ктз61е
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •4. Исследование биполярного транзистора в схеме с общей базой
- •5. Определение малосигнальных и физических параметров биполярных транзисторов и составление эквивалентных схем замещения.
- •6. Исследование полевого транзистора с управляющимp-n-переходом
- •2Пзоза, 2пзозб, 2пзозв, 2пзозг, 2пз03д, 2пзозе, 2пзози, кпзоза, кпзозб, кпзозв, кпзозг, кпзозд, кпзозе, кпзозж, кпзози
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •7. Исследование полевого транзистора с изолированным затвором.
- •8. Исследование импульсных свойств p-n-перехода
- •81. Цель работы
- •8.2. Программа работы
- •8.3. Динамические процессы в р-n-переходе
- •8.4. Описание лабораторной установки
- •8.5. Указания к выполнению работы
- •8.6. Содержание отчета
- •8.7. Вопросы для самоконтроля
- •8.8. Рекомендованная литература
- •9.4. Описание лабораторной установки
- •9.5. Указания к выполнению работы
- •9.6. Содержание отчета
- •9.7. Вопросы для самоконтроля
- •9.8. Рекомендованная литература
- •10. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых оптопар
- •10.1. Цель работы
- •10.2. Программа работы
- •10.3. Краткие теоретические сведения
- •10.4. Описание лабораторной установки
- •4.5. Указания к выполнению работы
- •4.6. Содержание отчета
- •4.7. Вопросы для самоконтроля
- •4.8. Рекомендованная литература
- •Приложение 1. Описание лабораторного стенда 87л-01 «Луч»
- •Приложение 2. Рекомендации по работе с измерительными приборами
Транзисторы кт361а, кт361б, кт361в, кт361г, ктз61е
Транзисторы кремниевые эпитаксиально - планарные p-n-p усилительные высокочастотные.
Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб =10 В, Iэ = 1 мА:
при Т =298 К:
КТ361А, КТ361Д 20 - 90
КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е . 50 - 350
КТ361В 40 - 160
при Т =373 К:
КТ361А, КТ361Д 20 - 250
КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е 50 - 500
КТ361В 20 - 300
при Т=213 К:
КТ361А, КТ361Д 10 - 90
КТ361Б, КТ361Г, KT361E 15-350
КТ361B 10-160
Модуль коэффициента передачи тока при f=100 МГц, Uкб = 10 В, Iэ = 5 мА,
не менее 2,5
Постоянная времени цепи обратной связи при f= 5 МГц, Uкб = 10 В, Iэ = 5 мА не более:
КТ361А, КТ361Б, КТ361Г , 500 пс
КТ361В, KT361E 1000 пс
КТ361Д 250 пс
Емкость коллекторного перехода при UКБ = 10 В, f = МГц не более:
КТ36IA, КТ361Б 9 пФ
КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е 7 пФ
Обратный ток коллектора при Uкб =10 В не более
при Т=298 К и Т=213 К 1 мкА
при Т = 373 К 25 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при Rбэ = 10 кОм, Uкэ = Uкэ.макс, не более 1 кА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянные напряжения коллектор-база, коллектор-эмиттер при Rбэ = 10 кОм:
при Т= 213 … 308 К:
КТ361А 25 В
КТ361Б 20 В
КТ361В, КТ361Д 40 В
КТ361Г, КТ361Е 35 В
при Т=373 К:
КТ361А 20 В
КТ361Б 15 В
КТ361В, КТ361Д 35 В
КТ361Г, КТ361Е 30 В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Т = 213 … 373 Кт 4В
Постоянный ток коллектора при Т= 213 … 373 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т =213-=- 308 К 150 мВт
при Т=373 К 30 мВт
Температура перехода 393 К
Температура окружающей среды От 213 до 373 К
Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т =308 … 373 К определятся по формуле
Рк.макс = (393 - Т) / 0,67.
Допускается производить пайку на расстоянии не менее 2 мм корпуса транзистора. Допускается трехкратный изгиб выводов на расстоянии не менее 2 мм от корпуса при радиусе изгиба 1,5 — 2 мм. Категорически запрещается кручение выводов вокруг оси.
Входные характеристики |
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера
|
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры |
Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера
|
Зависимость граничной частоты от тока эмиттера |
Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от температуры |
ЛИТЕРАТУРА
1 Электронные приборы: Учебник для вузов/ В.Н. Дулин, Н.А.Аваев, В.П. Демин и др. - М.: Энергоатомиздат, 1989. - С.12-82, с.97-113.
2 Жеребцов И.П. Основы электроники. - Л.: Энергоатомиздат, 1989. - С.19-50.
3 Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы. - М.: Высшая школа, 1986. - С.8-48.
4 Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник. П/р Н. Н. Горюнова. М:, Энергоиздат 1982 г.