Патентный поиск
Название |
№ патента, дата публикации |
Описание патента |
Уровень новизны (+/-) |
Многокаскадный транзисторный усилитель |
Номер документа – 2183380; Дата приоритета заявки: 10.06.2002 |
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для построения усилителей на транзисторах, не искажающих усиливаемый сигнал. Многокаскадный транзисторный усилитель содержит каскады, построенные из рnр- и nрn-транзисторов, соединенных эмиттерами через резистор R. |
+ |
Балансный транзисторный усилитель мощности |
Номер документа – 93028664; Дата приоритета заявки:20.12.1995 |
Балансный транзисторный усилитель мощности содержит первый квадратный делитель мощности, первый вывод которого соединен с входом СВЧ-сигнала, а его второй и третий выводы соединены соответственно с базой третьего и четвертого транзисторов. |
+ |
Ламповый усилитель с непосредственной связью между каскадами |
Номер документа – 2258299; Дата приоритета заявки: 10.08.2005 |
Изобретение относится к области высококачественного звуковоспроизведения. Технический результат заключается в уменьшении искажений усиленного сигнала. |
+ |
Гибридный дифференциальный усилитель |
Номер документа – 2519373; Дата приоритета заявки: 13.12.2012 |
уменьшение систематической составляющей напряжения смещения нуля, а также его температурного и радиационного дрейфа. |
+ |
Мощный биполярный СВЧ транзистор |
Номер документа – 2251175; Дата приоритета заявки: 27.04.2005 |
Dозможность создания трехвыводного усилительного СВЧ-транзистора с малой внутренней обратной связью без теплопроводящего керамического кристаллодержателя из дорогостоящей бериллиевой керамики |
- |
Структура биполярного транзистора |
Номер документа – 2234162; Дата приоритета заявки: 27.04.2005 |
в пластине кремния, включающей области коллектора, области базы и эмиттера, контакты к областям коллектора, базы и эмиттера, изолирующий полевой окисел вокруг области базы транзистора и между областями базы |
+ |
Способ изготовления автомасштабируемого биполярного транзистора |
Номер документа –2210838; Дата приоритета заявки: 20.08.2003 |
способ изготовления биполярного транзистора включает нанесение на подложку кремния первого слоя диэлектрика, формирование в нем травлением методом РИТ окон под базу |
+ |
Широкополосный усилитель мощности |
Номер документа – 2527202; Дата приоритета заявки:16.04.2013 |
Уменьшение уровня нелинейных искажений и шумов различного происхождения в цепи нагрузки ШНУ с неинвертирующим выходным каскадом. |
+ |
Двухтактный усилитель класса АВ |
Номер документа – 2527185; Дата приоритета заявки:23.05.2013 |
Снижение искажений в широком диапазоне токов сигнала при сохранении высокой температурной стабильности и стабильности при возможном разбросе или дрейфе параметров транзисторов. |
- |
Управляемый усилитель и аналоговый смеситель сигналов |
Номер документа 2530299; Дата приоритета заявки 10.10.2014 |
Получение на выходе не только амплитудных изменений выходного сигнала под действием управляющего напряжения, но и его фазы, что позволяет подавить основные гармоники. |
+ |
Биполярный ключевой каскад |
Номер документа – 2524679; Дата приоритета заявки: 10.08.2014 |
увеличение скорости коммутации вбиполярном ключевом каскаде и снижение мощности, рассеиваемой на биполярном ключевом транзисторе. |
+ |
Ортогональный магнитотранзисторный преобразователь |
Номер документа – 2515377; Дата приоритета заявки: 10.05.2014 |
содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов к базе, к диффузионному карману, к подложке |
+ |
Устройство управления амплитудой мощных периодических сигналов |
Номер документа – 2487461; Дата приоритета заявки: 10.07.2013 |
расширение динамического диапазона сигналов на выходе до значений, во много раз превышающих предельно допустимые напряжения база-эмиттер современных биполярных транзисторов |
+ |
Управляемый избирательный усилитель |
Номер документа – 2510418; Дата приоритета заявки: 13.09.2012 |
Повышение добротности АЧХ и его коэффициента усиления по напряжению на частоте квазирезонанса. |
+ |
Устройство электронного гистерезиса |
Номер документа – 2486670; Дата приоритета заявки: 27.06.2013 |
Устройство содержит три биполярных транзистора n-p-n типа, p-канальпый МОП транзистор, стабилитрон, резисторы. |
+ |
Вторичные источники информации
Предмет поиска (объект исследования, его составные части |
Наименование источника информации, год и место издания. |
Название и сущность технического решения, в научно технической документации. |
Транзисторы, конденсаторы, диоды |
Полуянович Н.К. Силовая электроника: Учебное пособие. Таганрог.: Изд-во ТРТУ, 2005.204 с. |
Введение многокаскадной схемы устройства |
http://ibm.ru – Модернизация усилителей, 2008 (Россия,Тольятти) |
Использование транзисторов с более высокими рабочими на пряжениями | |
Афанасьев В.В. Издательство: Л.: Энерго-атомиздат. ,1989, 416 с: |
Внедрение конденсаторов повышенной емкости | |
А.И. Вольдек, В.В. Попов., Издательство Питер.: 2008 , 320 с |
В книге сравниваются различные технологии изготовления усилителей, плюсы и минусы | |
Усилители. Справочная книга/Под ред. С. Д. Лизунова, А. К. Лоханина. М.: Энергоиздат, 2004. |
В книге показана применимость тех или иных усилителей, использование их в определенных условиях |