- •Силовая электроника
- •Силовая электроника
- •На рисунке показано схемное изображение
- •На рисунке показано схемное изображение
- •На рисунке показано схемное изображение
- •На рисунке показано схемное изображение
- •На рисунке показано схемное изображение
- •На рисунке показано схемное изображение
- •На рисунке показано схемное изображение
- •На рисунке изображена структурная схема
- •На рисунке показано схемное изображение
- •На рисунке изображена структурная схема
- •На рисунке изображена структурная схема
- •На рисунке изображена структурная схема
- •На рисунке изображена структурная схема
- •На рисунке изображена структурная схема
- •На рисунке изображена структурная схема
- •На рисунке показано схемное изображение
-
На рисунке показано схемное изображение
-
Полевого транзистора с каналом p-типа
-
Полевого транзистора с каналом n-типа
-
Биполярного транзистора p-n-p типа
-
Биполярного транзистора n-p-n типа
-
На рисунке показано схемное изображение
-
Полевого транзистора с каналом p-типа
-
Полевого транзистора с каналом n-типа
-
Биполярного транзистора p-n-p типа
-
Биполярного транзистора n-p-n типа
-
В полевом транзисторе, электрод от которого начинают движение носители заряда, называется
-
эмиттер
-
исток
-
база
-
затвор
-
В полевом транзисторе, электрод к которому движутся носители заряда, называется
-
коллектор
-
база
-
затвор
-
сток
-
В полевом транзисторе, электрод которым регулируют движение носителей заряда, называется
-
затвор
-
база
-
коллектор
-
сток
-
Входной вольтамперной характеристикой полевого транзистора является зависимость
-
тока затвора от напряжения затвор-исток
-
тока затвора от напряжения сток-исток
-
тока истока от напряжения затвор-исток
-
тока истока от напряжения сток-исток
-
Выходной вольтамперной характеристикой полевого транзистора является зависимость
-
тока затвора от напряжения затвор-исток
-
тока затвора от напряжения сток-исток
-
тока истока от напряжения затвор-исток
-
тока истока от напряжения сток-исток
-
На рисунке показана структурная схема
-
биполярного транзистора
-
МДП-транзистора со встроенным каналом
-
полевого транзистора
-
МДП-транзистора с индуцированным каналом
-
На рисунке показано схемное изображение
-
МДП-транзистора с индуцированным каналом p-типа
-
Полевого транзистора с каналом n-типа
-
МДП-транзистора со встроенным каналом p-типа
-
МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа
-
На рисунке показано схемное изображение
-
МДП транзистора с индуцированным каналом p-типа
-
Полевого транзистора с каналом n-типа
-
МДП-транзистора со встроенным каналом p-типа
-
МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа
-
Входная вольтамперная характеристика полевого транзистора называется
-
истоковой характеристикой
-
стоковой характеристикой
-
затворной характеристикой
-
стоко-затворной характеристикой
-
Выходная вольтамперная характеристика полевого транзистора называется
-
истоковой характеристикой
-
стоковой характеристикой
-
затворной характеристикой
-
стоко-затворной характеристикой
-
Полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком, называется
-
диод
-
биполярный транзистор
-
тиристор
-
МДП-транзистор
-
Режим работы МДП-транзистора, при котором поле затвора оказывает отталкивающее действие на основные носители заряда в канале, называется
-
режим обогащения
-
режим инжекции
-
режим обеднения
-
режим экстракции
-
Режим работы МДП-транзистора, при котором поле затвора оказывает притягивающее действие на основные носители заряда в канале , называется
-
режим обогащения
-
режим инжекции
-
режим обеднения
-
режим экстракции