Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

лабораторная 8 / лабораторная 8(2)

.docx
Скачиваний:
7
Добавлен:
06.06.2017
Размер:
46.8 Кб
Скачать

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «МАГНИТОГОРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Г.И. НОСОВА»

Институт – __Энергетики и автоматизированных систем_

Кафедра – _Электроники и микроэлектроники

___________________________________

Специальность – _Электроники и наноэлектроники__________

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №8

Студента Михайлицына Андрея Сергеевича  

(фамилия имя отчество)

На тему: Исследование свойств биполярного транзистора  

(полное наименование темы)

Руководитель Суспицын Евгений Сергеевич кандидат технических наук, доцент кафедры электроники и микроэлектроники ФГБОУ ВПО «Магнитогорский государственный технический университет им. Г.И. Носова»

(подпись, дата, должность, ученая степень, звание, Ф.И.О.)

Отметка

_________________ /_______/

(подпись, дата) (ФИО)

Студент ___________________

(подпись)

«____» _____________ 2016 г.

Цель работы.

В данной работе необходимо познакомиться со свойствами биполярных транзисторов и методикой определения их параметров и характеристик.

Порядок выполнения работы.

Задание 1. С помощью платформы NI ELVIS II снять полную ВАХ транзистора.

  1. Собрать схему рисунок 1.

Рисунок 1 – Схема эксперимента

2. Изменяя напряжение база эмиттер в диапазоне от 0 до 12В при постоянном напряжение коллектор эмиттер, записать значения тока базы.

4. Изменяя напряжение коллектор эмиттер в диапазоне от 0 до 12В при постоянном токе базы, записать значения напряжения коллектор эмиттер и тока коллектора.

5. Результаты измерений занести в таблицу.

6. Построить графики зависимости тока базы от напряжения база эмиттер, тока коллектора от напряжения коллектор эмиттер.

Задание 2. С помощью платформы NI ELVIS II снять ВАХ транзистора при разных температурах.

1. Изменяя температуру.

2. Повторить пункты 1- 6 задания 1.

Заносим данные в таблицы 1,2,3 и 4 и строим графики для сравнения входных и выходных характеристик при различных температурах рисунки 1,2,3 и 4.

Таблица 1 – Входные характеристики транзистора при 25С°

при Uкэ=0В

при Uкэ=5В

Iб, В

Uбэ, В

Iб, В

Uбэ, В

0

0

0

0

0,00004

0,5

0,00004

0,6

0,00005

0,59

0,00025

0,69

0,00021

0,69

0,00497

0,79

0,0049

0,79

0,0392

0,87

0,037

0,87

0,113

0,93

0,109

0,93

0,209

0,97

0,2

0,99

0,318

1,01

0,301

1,04

0,432

1,05

0,405

1,08

0,549

1,08

0,52

1,13

0,63

1,11

0,628

1,17

0,74

1,14

0,73

1,22

0,84

1,17

0,84

1,26

0,95

1,21

0,94

1,31

Таблица 2 – Выходные характеристики транзистора при 25С°

Uкэ, В

Iк, мА

при Iб=15мкА

при Iб=14мкА

при Iб=13мкА

9,963831

0,20436

0,19423

0,18482

8,951208

0,19531

0,18824

0,18013

7,948195

0,19239

0,18451

0,17436

6,948386

0,18932

0,17993

0,17184

5,954673

0,18502

0,17429

0,16889

4,944432

0,17996

0,1724

0,164

3,94449

0,17733

0,16919

0,15924

2,951623

0,17342

0,16432

0,15595

1,962001

0,17029

0,16098

0,15293

0,998617

0,16356

0,15652

0,14811

0,005256

0,03297

0,03238

0,03291

Таблица 3 – Входные характеристики транзистора при 60С°

при Uкэ=0В

при Uкэ=5В

Iб, В

Uбэ, В

Iб, В

Uбэ, В

0

0

0

0,00003

0,49

0,00004

0,0001

0,59

0,00012

0,00094

0,69

0,00117

0,00959

0,78

0,01

0,0477

0,86

0,044

0,0934

0,92

0,098

0,155

0,98

0,16

0,221

1,03

0,22

0,289

1,07

0,3

0,362

1,13

0,37

0,435

1,18

0,44

0,508

1,23

0,51

0,585

1,27

0,59

0,663

1,31

0,67

0,735

1,36

0,74

0,804

1,41

0,81

0,876

1,45

0,88

Таблица 2 – Выходные характеристики транзистора при 60С°

Uкэ, В

Iк, мА

при Iб=15мкА

при Iб=14мкА

при Iб=13мкА

9,972031

0,09197

0,08199

0,07429

8,961151

0,09171

0,08128

0,0717

7,958332

0,08902

0,07956

0,06924

6,958258

0,08765

0,07856

0,07022

5,964077

0,0879

0,07778

0,06813

4,954705

0,08512

0,07704

0,06652

3,954073

0,08366

0,07563

0,06621

2,959963

0,08105

0,07261

0,06419

1,97062

0,07868

0,07124

0,06232

0,984973

0,0768

0,06923

0,06079

0,002741

0,00912

0,0183

0,01955

Рисунок 1 – График входных характеристик транзистора при 25С°

Рисунок 2 – График входных характеристик транзистора при 60С°

Рисунок 3 – График выходных характеристик транзистора при 25С°

Рисунок 4 – График выходных характеристик транзистора при 60С°

Вывод. В ходе лабораторной работе были измерены входные и выходные характеристики транзистора при 25С° и при 60С°. Были построены графики этих характеристик. Они показывают, что входные характеристики транзистора при 60С° смещены влево относительно входных характеристик транзистора при 25С°, а выходные характеристики транзистора при 60С° смещены вниз относительно выходных характеристик транзистора при 25С°.

Соседние файлы в папке лабораторная 8