лабораторная 8 / лабораторная 8(2)
.docxМИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «МАГНИТОГОРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Г.И. НОСОВА»
Институт – __Энергетики и автоматизированных систем_ Кафедра – _Электроники и микроэлектроники ___________________________________ Специальность – _Электроники и наноэлектроники__________ |
|
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №8
Студента Михайлицына Андрея Сергеевича
(фамилия имя отчество)
На тему: Исследование свойств биполярного транзистора
(полное наименование темы)
Руководитель Суспицын Евгений Сергеевич кандидат технических наук, доцент кафедры электроники и микроэлектроники ФГБОУ ВПО «Магнитогорский государственный технический университет им. Г.И. Носова»
(подпись, дата, должность, ученая степень, звание, Ф.И.О.)
Отметка _________________ /_______/ (подпись, дата) (ФИО) |
Студент ___________________ (подпись) «____» _____________ 2016 г. |
Цель работы.
В данной работе необходимо познакомиться со свойствами биполярных транзисторов и методикой определения их параметров и характеристик.
Порядок выполнения работы.
Задание 1. С помощью платформы NI ELVIS II снять полную ВАХ транзистора.
-
Собрать схему рисунок 1.
Рисунок 1 – Схема эксперимента
2. Изменяя напряжение база эмиттер в диапазоне от 0 до 12В при постоянном напряжение коллектор эмиттер, записать значения тока базы.
4. Изменяя напряжение коллектор эмиттер в диапазоне от 0 до 12В при постоянном токе базы, записать значения напряжения коллектор эмиттер и тока коллектора.
5. Результаты измерений занести в таблицу.
6. Построить графики зависимости тока базы от напряжения база эмиттер, тока коллектора от напряжения коллектор эмиттер.
Задание 2. С помощью платформы NI ELVIS II снять ВАХ транзистора при разных температурах.
1. Изменяя температуру.
2. Повторить пункты 1- 6 задания 1.
Заносим данные в таблицы 1,2,3 и 4 и строим графики для сравнения входных и выходных характеристик при различных температурах рисунки 1,2,3 и 4.
Таблица 1 – Входные характеристики транзистора при 25С°
при Uкэ=0В |
при Uкэ=5В |
|||
Iб, В |
Uбэ, В |
Iб, В |
Uбэ, В |
|
0 |
0 |
0 |
0 |
|
0,00004 |
0,5 |
0,00004 |
0,6 |
|
0,00005 |
0,59 |
0,00025 |
0,69 |
|
0,00021 |
0,69 |
0,00497 |
0,79 |
|
0,0049 |
0,79 |
0,0392 |
0,87 |
|
0,037 |
0,87 |
0,113 |
0,93 |
|
0,109 |
0,93 |
0,209 |
0,97 |
|
0,2 |
0,99 |
0,318 |
1,01 |
|
0,301 |
1,04 |
0,432 |
1,05 |
|
0,405 |
1,08 |
0,549 |
1,08 |
|
0,52 |
1,13 |
0,63 |
1,11 |
|
0,628 |
1,17 |
0,74 |
1,14 |
|
0,73 |
1,22 |
0,84 |
1,17 |
|
0,84 |
1,26 |
0,95 |
1,21 |
|
0,94 |
1,31 |
|
|
Таблица 2 – Выходные характеристики транзистора при 25С°
Uкэ, В |
Iк, мА |
||
при Iб=15мкА |
при Iб=14мкА |
при Iб=13мкА |
|
9,963831 |
0,20436 |
0,19423 |
0,18482 |
8,951208 |
0,19531 |
0,18824 |
0,18013 |
7,948195 |
0,19239 |
0,18451 |
0,17436 |
6,948386 |
0,18932 |
0,17993 |
0,17184 |
5,954673 |
0,18502 |
0,17429 |
0,16889 |
4,944432 |
0,17996 |
0,1724 |
0,164 |
3,94449 |
0,17733 |
0,16919 |
0,15924 |
2,951623 |
0,17342 |
0,16432 |
0,15595 |
1,962001 |
0,17029 |
0,16098 |
0,15293 |
0,998617 |
0,16356 |
0,15652 |
0,14811 |
0,005256 |
0,03297 |
0,03238 |
0,03291 |
Таблица 3 – Входные характеристики транзистора при 60С°
при Uкэ=0В |
при Uкэ=5В |
|||
Iб, В |
Uбэ, В |
Iб, В |
Uбэ, В |
|
0 |
0 |
|
0 |
|
0,00003 |
0,49 |
|
0,00004 |
|
0,0001 |
0,59 |
|
0,00012 |
|
0,00094 |
0,69 |
|
0,00117 |
|
0,00959 |
0,78 |
|
0,01 |
|
0,0477 |
0,86 |
|
0,044 |
|
0,0934 |
0,92 |
|
0,098 |
|
0,155 |
0,98 |
|
0,16 |
|
0,221 |
1,03 |
|
0,22 |
|
0,289 |
1,07 |
|
0,3 |
|
0,362 |
1,13 |
|
0,37 |
|
0,435 |
1,18 |
|
0,44 |
|
0,508 |
1,23 |
|
0,51 |
|
0,585 |
1,27 |
|
0,59 |
|
0,663 |
1,31 |
|
0,67 |
|
0,735 |
1,36 |
|
0,74 |
|
0,804 |
1,41 |
|
0,81 |
|
0,876 |
1,45 |
|
0,88 |
Таблица 2 – Выходные характеристики транзистора при 60С°
Uкэ, В |
Iк, мА |
||
при Iб=15мкА |
при Iб=14мкА |
при Iб=13мкА |
|
9,972031 |
0,09197 |
0,08199 |
0,07429 |
8,961151 |
0,09171 |
0,08128 |
0,0717 |
7,958332 |
0,08902 |
0,07956 |
0,06924 |
6,958258 |
0,08765 |
0,07856 |
0,07022 |
5,964077 |
0,0879 |
0,07778 |
0,06813 |
4,954705 |
0,08512 |
0,07704 |
0,06652 |
3,954073 |
0,08366 |
0,07563 |
0,06621 |
2,959963 |
0,08105 |
0,07261 |
0,06419 |
1,97062 |
0,07868 |
0,07124 |
0,06232 |
0,984973 |
0,0768 |
0,06923 |
0,06079 |
0,002741 |
0,00912 |
0,0183 |
0,01955 |
Рисунок 1 – График входных характеристик транзистора при 25С°
Рисунок 2 – График входных характеристик транзистора при 60С°
Рисунок 3 – График выходных характеристик транзистора при 25С°
Рисунок 4 – График выходных характеристик транзистора при 60С°
Вывод. В ходе лабораторной работе были измерены входные и выходные характеристики транзистора при 25С° и при 60С°. Были построены графики этих характеристик. Они показывают, что входные характеристики транзистора при 60С° смещены влево относительно входных характеристик транзистора при 25С°, а выходные характеристики транзистора при 60С° смещены вниз относительно выходных характеристик транзистора при 25С°.