- •Лабораторная работа №1. Изучение платформы ni elvis II и виртуальных приборов ni elviSmx
- •Задание 3. При помощи функционального генератора сигналов задать напряжение синусоидальной, треугольной и прямоугольной формы. При помощи осциллографа зафиксировать форму измеряемых напряжений.
- •1.5 Содержание отчета
- •Лабораторная работа №2. Исследование проводников, резисторов и резистивных материалов
- •Задание 2. Измерить ткс резистора
- •Задание 3. Определить удельное электрическое сопротивления образцов проволок
- •2.5 Содержание отчета
- •Лабораторная работа №3. Исследование переменных резисторов
- •Задание 3. Исследование переходных процессов вRc-цепи
- •4.5 Содержание отчета
- •Задание 2. Построить вольтамперную характеристику (вах) полупроводникового диода
- •5.5 Содержание отчета
Лабораторная работа №3. Исследование переменных резисторов
3.1 Цель работы
Познакомиться с общими сведениями, параметрами и характеристиками переменных резисторов, с методами определения параметров и снятия характеристик переменных резисторов в различных схемах включения, приобрести навыки работы с электроизмерительными приборами.
3.2 Описание лабораторного стенда
В состав лабораторного стенда входят:
1) персональный компьютер с программным обеспечением;
2) платформа для лабораторных измерений NI ELVIS II;
3) комплект монтажных проводов;
4) блок переменных резисторов;
5) комплект измерительных щупов;
3.3 Задание для домашней подготовки
Для выполнения и защиты лабораторной работы необходимо знать:
1) классификацию переменных резисторов;
2) требования к материалу резистивного материала переменных резисторов;
3) параметры и характеристики переменных резисторов;
4) условно-графические обозначения переменных резисторов;
5) схемы включения резисторов.
3.4 Порядок выполнения работы
Задание 1. Методом проверки по сопротивлению в отдельных точках, снять характеристики переменных резисторов.
1) Собрать схему, представленную на рисунке 3.1
2) Измерить характеристику для двух переменных резисторов, результаты измерений свести в таблицу.
3) Построить графики характеристик для двух переменных резисторов.
Рисунок 3.1 – Схема измерения сопротивления резистора
Задание 2. Методом проверки по напряжению в отдельных точках, снять характеристики переменных резисторов.
1) Собрать схему, представленную на рисунке 3.2
2) Измерить характеристику для двух переменных резисторов, результаты измерений свести в таблицу.
3) Построить графики характеристик для двух переменных резисторов.
Рисунок 3.2 – Потенциометрическое включение переменного резистора
Задание 3. Оценить влияния сопротивления нагрузки на вид характеристикипри потенциометрическом включении переменного резистора
1) Повторить пункты 1-3 задания 2 для одного переменного резистора при другом значении сопротивления нагрузки.
2) На одном графике показать характеристики при двух значениях сопротивления нагрузки.
Задание 4. Снять и построить характеристики
1) Собрать схему, представленную на рисунке 3.3
2) Измерить характеристику для двух переменных резисторов, результаты измерений свести в таблицу.
3) Построить графики характеристик для двух переменных резисторов.
Рисунок 3.3 – Реостатное включение переменного резистора
Задание 5. Снять и построить характеристики) для переменного резистора, включенного по дифференциальной схеме
1) Собрать схему, представленную на рисунке 3.4
Рисунок 3.4 – Дифференциальное включение переменного резистора
2) Измерить характеристику , результаты измерений свести в таблицу.
3) Построить график характеристики .
3.5 Содержание отчета
Отчет по лабораторной работе должен быть оформлен в соответствии с СМК-О-СМГТУ-32.06 и содержать:
1) титульный лист, оформленный по стандарту МГТУ;
2) основную часть, включающую цель работы, порядок выполнения работы, результаты выполнения заданий (схемы, таблицы, графики).
Лабораторная работа №4. Исследование диэлектрических материалов
4.1 Цель работы
Ознакомится со свойствами диэлектрических материалов на примере диэлектриков, применяемых в конденсаторах.
4.2 Описание лабораторного стенда
В состав лабораторного стенда входят:
1) персональный компьютер с программным обеспечением;
2) платформа для лабораторных измерений NI ELVIS II;
3) комплект монтажных проводов;
4) два конденсатора;
5) комплект измерительных щупов;
6) два резистора;
4.3 Задание для домашней подготовки
1) Перед выполнением работы необходимо ознакомиться с основными свойствами конденсаторов, повторить основные соотношения теории электрических цепей применительно к конденсаторам.
2) Изучить назначение и функциональные возможности ВП ImpedanceAnalyzerиз палитры приборовNIELVISmx(материалы представлены в файле «NIELVISII. Учебный курс.pdf»).
3) Ознакомиться с методикой проведения лабораторной работы.
4.4 Порядок выполнения работы
Задание 1. Измерить емкость двух коденсаторов
1) Собрать схему, представленную на рисунке 1.
Рисунок 4.1 – Схема измерения емкости конденсатора
2) При помощи виртуального прибора (ВП) DMMиз палитры приборовNIELVISmxизмерить емкость двух конденсаторов С1 и С2.
3) Записать в таблицу маркировку конденсаторов и результаты измерений.
Задание 2. Расчет и измерение электрических параметров конденсаторов
1) При помощи ВП ImpedanceAnalyzerпровести измерения полного сопротивления конденсатора, активной составляющей сопротивления, реактивной составляющейи фазы вектора полного сопротивлениядля двух конденсаторов С1 и С2 при различных частотах входного сигнала (см. таблицу 1).
2) Для каждого измерения из п.п. 1 произвести расчет значений тангенса угла диэлектрических потерь и емкости конденсатора.
3) Результаты измерений свести в таблицу 1.
Таблица 1 – Результаты измерений
, мкФ* |
, мкФ** |
, Гц |
, кОм |
, град |
, Ом |
, Ом |
, мкФ*** | |
|
|
50 |
|
|
|
|
|
|
100 |
|
|
|
|
|
| ||
200 |
|
|
|
|
|
| ||
300 |
|
|
|
|
|
| ||
500 |
|
|
|
|
|
| ||
700 |
|
|
|
|
|
| ||
1000 |
|
|
|
|
|
| ||
3000 |
|
|
|
|
|
| ||
5000 |
|
|
|
|
|
| ||
|
|
50 |
|
|
|
|
|
|
… | ||||||||
5000 |
|
|
|
|
|
|
*- номинальное значение емкости. **- измеренное значение емкости. ***- расчетное значение емкости.
4) По данным таблицы 1 построить графики зависимости:
и;
и;
и;
и.
На графиках оси частот изобразить в логарифмическом масштабе.