литература / Пухальский Проектирование микропроцессорных систем 2001
.pdf130 |
|
Глава 1. Микропроцессоры 8080 и 8085 |
|
|
|
|||||
|
|
|
Таблица 1.30. П араметры EDAC |
|
|
|
|
|||
ИС |
ICC lypi |
IСС тах> |
VoH midIОН, |
VoHtyp/IoH, |
VoLtyp/IoL, |
VoL nuJIoL1 |
1[>min> tp typ> |
1рml;:- |
||
мА |
мА |
В/мА |
В/мА |
В/мА |
В/мА |
НС |
НС |
НС |
||
|
||||||||||
‘616 |
110 |
170 |
2,4/-2,6 |
3,2/—2,6 |
0,25/12 |
0,4/12 |
10 |
— |
49 |
|
‘617 |
110 |
— |
Vc c - 2 1 - 0 А |
— |
0,25/12 |
0,4/12 |
— |
40 |
— |
|
‘630 * |
143 |
230 |
2,11-0,4 |
3,4/-0,4 |
0,35/8 |
0,5/8 |
— |
31 |
65 |
|
‘631 * |
113 |
180 |
2,7/-0,4 |
3,4/-0,4 |
0,35/8 |
0,5/8 |
— |
31 |
65 |
|
‘632В, ‘634 |
150 |
250 |
2,4/-2,6 |
Ъ,21-2,6 |
0,35/12 |
0,4/12 |
10 |
— |
48 |
|
‘633А, ‘635 |
150 |
250 |
Vc c -2 1 -0,4 |
— |
0,25/12 |
0,4/12 |
10 |
40 |
60 |
|
‘636 * |
100 |
160 |
2,7/—0,4 |
3,4/-0,4 |
0,35/8 |
0,5/8 • |
— |
31 |
45 |
|
‘637 * |
90 |
144 |
2,7/—0,4 |
3,4/—0,4 |
0,25/12 |
0,4/12 |
— |
38 |
55 |
|
П р и м е ч а н и е : * - - /,5-технология, остальные — Л^-технология.
|
|
|
Рис. 1.62. Структурная схема EDAC ‘636 |
|
|
|
|
|
|
Таблица 1.31. Управление работой ИС ‘636, ‘637, ‘630 и ‘631 |
|
|
|||
Цикл RAM |
Si |
So |
Выполняемая EDAC функция |
DBf |
CBj |
SEF DEF |
|
Запись |
0 |
0 |
Генерация проверочного слова СВ4_0 |
Вход |
Выход CW |
0 |
0 |
Чтение |
0 |
1 |
Чтение данных DB1 0 и проверочного |
Вход |
Вход CW |
0 |
0 |
|
|
|
слова СВ4_о из памяти |
|
|
|
|
Чтение |
1 |
1 |
Фиксация D Bt^ и СВа_{) в регистрах и |
Фиксация |
Фиксация |
0/1 |
0/1 |
|
|
|
установка флагов ошибок SEE и DEF |
|
CW |
|
|
Чтение |
1 |
0 |
Коррекция слова данных ОЙ7 ,, и |
Выход |
Выход |
0/1 |
0/1 |
|
|
|
генерация синдрома ошибки СВ4_0 |
|
синдрома |
|
|
1.П. Обнаружение и исправление ошибок в оперативных запоминающих устройствах 131
Разряды CBj 0 = 0, 1, ..., 4) 5-разрядного проверочного слова C W (Check Word) и синдрома ошибки CBj (Error Syndrome), используемого для обнаружения ошибок и исправления одно кратных ошибок в байте данных DB1_о, вычисляет узел Parity Generator (рис. 1.62) на основа нии соотношений:
СВ0 = DB4 ® D #3 ® DB] ® DB0© (СВmo v З Д ) ,
СВХ= DB6© DB5 © DB3 © DB2 © DB0© (CBM, v З Д ),
CB2= DB7 © DB5© DB, © DB2® D B X© (CBM2 v S,S0),
CB3 = DB-, © DB6© DB2 © DB, © DB0 © (С£Мз v З Д ) ,
CB4 = DB-, © DB6 © DBS© DB4 © DB3 © (CBM4 v 5,S0),
где S,S0 — сигнал управления, задающий вычис Таблица 1.32. Вычисление проверочных
ление проверочного слова (S {So = 1, D B ,— запи |
разрядов в ИС ‘636 и ‘637 |
|
|
|||||||||
сываемые в память разряды слова данных) и син |
|
Разряды байта данных DB7-0 |
||||||||||
дрома ошибки (SxS0 - |
0, |
DBj = D BM, и СВМ;— |
CBj |
|||||||||
разряды байта данных |
и |
проверочного слова, |
7 |
6 |
5 |
4 |
3 |
2 |
1 |
0 |
||
|
||||||||||||
прочитанных из памяти), а индекс М означает, |
|
|||||||||||
CBo |
|
|
|
+ |
+ |
|
+ |
+ |
||||
что разряд может быть прочитан из памяти с |
- |
- |
- |
- |
||||||||
ошибкой (0 вместо 1 или 1 |
вместо 0). |
CB, |
- |
+ |
+ |
- |
+ |
+ |
- |
|
||
Таким образом, проверочные разряды вы |
CB2 |
+ |
- |
+ |
+ |
- |
+ |
+ |
- |
|||
числяются по формулам (в табл. 1.32 знаком “+ ” |
CB3 |
+ |
+ |
- |
- |
- |
+ |
+ |
+ |
|||
отмечены разряды байта данных DB1A), исполь |
CB4 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
- |
- |
- |
|||
зуемые при вычислении проверочных разрядов): |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
СВ0 = DB4 © DB3 © DBi © DB0© 1, |
|
Таблица 1.33. Синдром ошибки |
||||||||||
Ошибка |
|
Код синдрома ошибки |
||||||||||
СВ, = DB6© DB5 © DB3 © DB2 © DB0© 1, |
|
|||||||||||
в разряде |
CB4 |
CB3 |
CB2 |
СВ, |
СВо |
|||||||
CB2 = DB-j © DBs © DB4 © DB2© DB, © 1, |
||||||||||||
|
DB0 |
|
1 |
0 |
1 |
|
0 |
0 |
||||
CB3 = DB7 © DB6© DB2 © DB, © DB0 © 1, |
|
|
|
|||||||||
|
DB, |
|
1 |
0 |
0 |
|
1 |
0 |
||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
CB4 = DB7 © DBf, © DB5 © DB4 © DB3 © 1, |
|
d b 2 |
|
1 |
0 |
0 |
|
0 |
1 |
|||
аразряды синдрома ошибки — по формулам: |
|
DB3 |
|
0 |
1 |
1 |
|
0 |
0 |
|||
|
d b 4 |
|
0 |
1 |
0 |
|
1 |
0 |
||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
СВо = DBm4 © DB[vi3 © DBmi © D BMo© СВмц, |
|
DBs |
|
0 |
1 |
0 |
|
0 |
1 |
|||
|
DB6 |
|
0 |
0 |
1 |
|
0 |
1 |
||||
СВi —DBm6 © DBm5 © DB\\ i © DBm2 © DBq © СВмь |
|
|
|
|||||||||
|
DB-, |
|
0 |
0 |
0 |
|
1 |
1 |
||||
CB2= DBmi © DBms © E)Bm4© DBm2 © DB 1 © CBm2, |
|
CBo |
|
1 |
1 |
1 |
|
1 |
0 |
|||
CB3= DBmi © DB^^ © DBm2 © DBmi © DBq © CBm3, |
|
CBi |
|
1 |
1 |
1 |
|
0 |
1 |
|||
|
CB2 |
|
1 |
1 |
0 |
|
1 |
1 |
||||
CB4 = DBmi © DBm6 © DBms © DBm4 © DB3 © CBm4. |
|
|
|
|||||||||
|
СВг |
|
1 |
0 |
1 |
|
1 |
1 |
||||
Разряды синдрома ошибки можно представить |
|
CB4 |
|
0 |
1 |
1 |
|
1 |
1 |
|||
|
— |
|
1 |
1 |
1 |
|
1 |
1 |
||||
в виде: |
|
|
|
|
|
|||||||
СВо = DBm4 © DBM3 © DBmi © DB^o© (DB4 © DB3 © DB, © DBq)m © T
CB, = DBM6© DBms © DBM3 © DBM2 © DB0© (DB6© DB5 © DB3 © DB2 © DB0)M © 1,
CB2 = DBmi © DBms © DBm4© DBm2© DBi © (DB7 © DBs © DB4© DB2© D B \)м © 1 ■ CB3 = DBmi © DBm6© DBm2 © DBmi © DBq © (DB7 © DBe © DB2 © DB, © DBo)m © T
CB4 = DBM7 © DBM6 © OBM5 © DBM4 © DB3 © (DB7 © DB6 © DB5 © DB4 © DB3)M© 1 ■
132 Глава 1. Микропроцессоры 8080 и 8085
Легко убедиться, что если при чтении памяти ошибки отсутствуют, т. е. все разряды
DBMi = DBj и СВщ = CBj, то все разряды синдрома ошибки CBj = 1 (для этого |
из последних |
|
формул |
следует просто исключить индекс М). Свойства синдрома ошибки |
представлены |
в табл. |
1.33. |
|
Могут использоваться и инверсные значения некоторых разрядов CBj, например:
СВ0 = DB4 0 DBS© DB, © DB0© (CBm v S,S0) © 1,
CB{ = DB6© DBS © DB3 © DB2 © DB0© (CBMl v 5,50) © 1,
что не влияет на значения разрядов синдрома ошибки, хотя и будут записываться в память ин версные значения проверочных разрядов СВ0 и СВ\.
Устанавливаемые в ИС ‘636 и ‘637 значения флагов ошибок представлены в табл. 1.34 — при обнаружении двукратной ошибки (катастрофической) флаг DEF используется для подачи на МП сигнала запроса прерывания, вызывающего подпрограмму обработки катастрофическо го отказа ОЗУ. Однократные же ошибки исправляются без каких-либо последствий для МП-системы. Р табл. 1.35 приведена связь между кодом синдрома ошибки и типом ошибки (DBj — однократная ошибка, 2 — двукратная ошибка, ML — многократная ошибка).
На рис. 1.63, а изображена структурная схема МП-системы с 8-разрядной шиной данных, в которой используется ОЗУ с обнаружением двукратных и исправлением однократных оши бок. Узел Control Logic формирует сигналы управления So и S\ для EDAC ‘636 из системных сигналов управления чтением MEMR и записью MEMW данных £>7-0 в ОЗУ (рис. 1.63, б).
При записи значением сигнала MEMW = 0 байта данных DB1^) в память значения разрядов DB7_о сразу же появляются на выходах “прозрачного” регистра памяти RG, (см. рис. 1.62). Ге нератор паритета (Parity Generator) при записи данных в память (S’, ■SQ= 1) выполняет функ цию генератора проверочного слова CB4 (h которое проходит через открытый буфер (Buffer 1) и записывается значением сигнала MEMW = 0 в дополнительное 5-разрядное ОЗУ (см. табл. 1.31).
Таблица 1.34. Ф лаги ошибок ИС ‘636 и ‘637 |
|
||||||||
Число ошибок |
Флаг ошибки |
Примечание |
|
||||||
DBi |
CBj |
SEF |
DEF |
|
|||||
|
|
|
|
||||||
0 |
|
0 |
0 |
|
0 |
Ошибок нет |
|
||
1 |
|
0 |
1 |
|
0 |
Коррекция данных |
|||
0 |
|
1 |
1 |
|
0 |
Коррекция данных |
|||
1 |
|
1 |
1 |
|
1 |
Запрос прерывания |
|||
2 |
|
0 |
1 |
|
1 |
Запрос прерывания |
|||
0 |
|
2 |
1 |
|
1 |
Запрос прерывания |
|||
|
Таблица 1.35. Типы ошибок ИС ‘636 и ‘637 |
|
|||||||
CW |
|
|
( В ; С'В, СЬ 2 |
|
|
||||
СВ, |
СВо |
ООО |
001 |
010 |
Oil |
100 |
101 |
110 |
111 |
0 |
0 |
ML |
2 |
2 |
Ш 3 |
2 |
DB0 |
2 |
2 |
0 |
1 |
2 |
DB6 d b 5 |
2 |
d b 2 |
2 |
2 |
с в { |
|
1 |
0 |
2 |
2 |
d b 4 |
2 |
DBi |
2 |
2 |
СВ0 |
1 |
1 |
DB-, |
2 |
2 |
СВ, |
2 |
CB3 |
св2 |
0 |
1.11. Обнаружение и исправление ошибок в оперативных запоминающих устройствах 133
Рис. 1.63. Структурная схема МП-системы с EDAC
При чтении значением сигнала MEMR = 0 байта данных из памяти в регистры памяти R G X и RG2 поступают и фиксируются в них значения DB10 и СД4 0 соответственно. Эти значения поступают на входы генератора паритета (Parity Generator), выполняющего при чтении данных из памяти функцию генератора синдрома ошибки СВ4 0 (5, • S0 = 0). Синдром ошибки исполь зуется для установки флагов ошибок SEF и DEF (узел Error Detector), а также для исправления байта данных DB7_0, принимаемого МП, при однократной ошибке (узлы Error Decoder, Error Corrector и Buffer 2). При этом буфер Buffer 1 выдает на выходы C #M| значение синдрома ошибки для указания разрядов, вызвавших ошибку (см. табл. 1.31).
Для исследования синдрома ошибки его можно зафиксировать сигналом L = S', = 1 в реги стре памяти RG (рис. 1.63, а) и затем командой IN CSRG ввести в аккумулятор МП (обычно этого делать не требуется).
Моделирование ИС ‘636. Для более детального ознакомлением с принципом построения EDAC было произведено моделирование EDAC ‘636 с помощью модифицированного про граммного пакета Micro-Logic II (этот пакет в упакованном виде был размещен на одной диске те и вместе с книгой [5] поступил в продажу в 1997 г.).
На рис. 1.64 изображена разработанная принципиальная схема EDAC ‘636, которая может несколько отличаться от фирменной схемы (неизвестной). Лабораторная работа для исследова ния EDAC с помощью пакета Micro-Logic II (файл u_edac.dwg) приведена на рис. 1.65 — ОЗУ моделируется двумя регистрами типа SN1AALS992 [5], а ошибки вводятся с помощью приемо передатчиков TRN2 (Noise — помехи).
134 |
Глава 1. Микропроцессоры 8080 и 8085 |
Рис. 1.64. Принципиальная схема EDAC ‘636
1.11. Обнаружение и исправление ошибок в оперативных запоминающих устройствах 135
ка/от CPU
Рис. 1.65. Лабораторная работа из пакета Micro-Logic II
Исправление однократной ошибки
U1+R2’
50
51
OEM’
DB0
DB1
DB2
DB3
DB4
DB5
DB6
DB7
SEF
DEF
CB0
СВ1 СВ2 СВЗ СВ4
Запись байта |
Чтение байта ■ |
Коррекция |
данных |
данных |
байта данных |
Рис. 1.66. Временные диаграммы работы EDAC для ошибок в одном и двух разрядах данных (см. также с. 136)
1.11. Обнаружение и исправление ошибок в оперативных запоминающих устройствах 137
где S\S(, — сигнал управления, задающий вычисление проверочного слова (S\S0 = 1, DB, — за писываемые в память разряды слова данных) и синдрома ошибки (S tSo = О, DB, = DBM, и СВщ— разряды слова данных и проверочного слова, прочитанных из памяти), а индекс М оз начает, что разряд может быть прочитан из памяти с ошибкой (0 вместо 1 или 1 вместо 0).
Таблица 1.36. Вычисление проверочных разрядов в И С ‘630 и ‘631
Разряды |
|
|
|
|
|
Разряды слова данных |
|
|
|
|
|
|||||
проверочного слова |
15 |
14 |
13 |
12 |
11 |
10 |
9 |
8 |
7 |
6 |
5 |
4 |
3 |
2 |
1 |
0 |
СВо |
- |
- |
+ |
- |
- |
+ |
+ |
+ |
- |
- |
- |
+ |
+ |
- |
+ |
+ |
СВ, |
- |
+ |
- |
- |
+ |
- |
- |
+ |
- |
+ |
+ |
- |
+ |
+ |
- |
+ |
св2 |
+ |
- |
- |
+ |
- |
- |
+ |
- |
+ |
- |
+ |
+ |
- |
+ |
+ |
- |
СВ3 |
- |
- |
- |
+ |
+ |
+ |
- |
- |
+ |
+ |
- |
- |
- |
+ |
+ |
+ |
св4 |
+ + + |
|
|
|
|
|
+ + + + + - |
- |
- |
|||||||
св5 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
|
|
|
|
|
|
|
Таким образом, проверочные разряды вычисляются по формулам (табл. 1.36): |
|
|
||||||||||||||
СВ0 = D B !; 0 D B l() © DB,) © D B8 © DB4 © DB3 © DB, © DB0, |
|
|
|
|
||||||||||||
CBi = D Bn © D B ,, © D B8 © DB6© DB5 © DB3 © DB2 © DB„, |
|
|
|
|
||||||||||||
CB2 = DBis © D B 12 © DB9 © DB7 © DBS © D B, © D B2 © DB, © 1, |
|
|
|
|||||||||||||
CB3 = D B I2 © D B,, © DB,o © DB7 © D B6© D B2 © DB, © D B0 © 1, |
|
|
|
|||||||||||||
CB4 = DB,s © D B I4 © D B,3 © DB7 © D B6 © DB5 © DB4 © DB3 © 1, |
|
|
|
|||||||||||||
CB5 = DB,s © D B m © D B ,3 © D B,2 © D B ,, © D B 10 © DB9 © D B8 © 1, |
|
|
|
|||||||||||||
а разряды синдрома ошибки — по формулам: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
CBq—D BM|з © DBmiu © DBy[c> © DBms© DB\w © I)В ^; © DBm, © DB\!:i© ( 'В |
|
© 1, |
|
|||||||||||||
CB, —D Bm14 © DBm,, © DBms © DBm6 © D BM5 © DBm3 © DBm2 © DB^io © ^^mi © |
|
|||||||||||||||
CB2 = D BMi5 © D BM,2 © |
|
© D/>\,v © I)B\]~. © DBm4 © DB\y2 © DBmi © C'B^^. |
|
|
||||||||||||
CB3 = D BM12 © D BM,, © DBm 10 © DB^n © DBm6 © D B^i © DBy^ © DBmo © CByi3, |
|
|||||||||||||||
CB4 = DBm 15 © D/>\][4 © DBm13 © DB^y © DBm6 © DBms © DBm4 © DBm3 © ^ |
\1:- |
|
||||||||||||||
CBf = |
|
|
Ф |
1 |
Х |
|
Y |
|
|
|
|
222?ш & £2?MS. |
|
|||
Разряды синдрома ошибки можно представить в виде: |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
СВ0 = DBmi3 © D Bм1 о © DBM<) © DBms © D Bм4 © DBm3 © DBm, © DBmo © СВмо © |
|
|||||||||||||||
© (D B ,3 © D B |0 © DBy © DBg © DB4 © D B t © DB, © DBq)m © 1, |
|
|
|
|||||||||||||
CB, = DBm,4 © DBmu © DBms© OBM6© DBm5 © DBm3© D B ^2 © DBmo© CBM, © |
|
|||||||||||||||
© (D BM© D B ,, © D BS © DB6© OB5 © DB3 © D B2 © D B0)m © 1, |
|
|
|
|||||||||||||
CB2—D B M15© D/?m12 © DBm9 © DBm7 © DBm*,© DBm4© DBm2 © DB^i\ © ^ ^\i_ © |
|
|||||||||||||||
© (D B,5 © D B ,2 © DB9 © D Bj © DB5 ® |
D B 4 ® D B2® |
D B,)m © 1, |
|
|
|
|||||||||||
CB3= D BM,2 © DBm, 1 © DBm10 © DB^y ® |
D BM6© DBm2 © DBm, © DBmo © CBM3 © |
|
||||||||||||||
© (D B 12© D B,, © D B ,0 © D B7 © DB6© DB2 © DB, © D B0)M© 1, |
|
|
|
|||||||||||||
138 |
|
|
Глава I. Микропроцессоры 8080 и 8085 |
|
|
|
|
||||||
|
Таблица 1.37. Синдром ошибки (ИС 74LS630 и 74LS631) |
|
|
||||||||||
Ошибка |
|
Код синдрома ошибки |
|
Ошибка |
Код синдрома ошибки |
|
|||||||
в разряде |
CB, |
CB, |
CB} CB2 |
CB1 |
CBo |
в разряде св5 СВ4 |
св3 св2 Cfli |
СВо |
|||||
DB0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
DB, 2 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
D B 1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
DB 13 |
0 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
d b 2 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
DB 14 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
DB3 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
DB и |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
d b 4 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
CB0 |
|
|
|
|
1 |
|
. d b , |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
||
DBb |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
CB, |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
DB-j |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
CB, |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
DB% |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
CB3 |
1 |
1 |
|
1 |
»1 |
1 |
DB9 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
CB, |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
DB, 0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
CB5 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
D B U |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
— |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
|
|
Таблица 1.38. Типы ошибок (ИС 74LS630 и 74LS631) |
|
|
|
||||||||
|
CW |
|
|
|
|
св5 св4 св3 |
|
|
|
|
|
||
св2 СВ, СВо |
ООО |
001 |
010 |
011 |
100 |
101 |
110 |
111 |
|
|
|||
0 |
|
0 |
0 |
2 |
ML |
ML |
2 |
ML |
2 |
2 |
ML |
|
|
0 |
|
0 |
1 |
ML |
2 |
2 |
ML |
2 |
DB 5 |
DB, |
2 |
|
|
0 |
|
1 |
0 |
ML |
2 |
2 |
DB9 |
2 |
d b 4 |
DB, |
2 |
|
|
0 |
|
1 |
1 |
2 |
D B „ |
DB, 2 |
2 |
DB-, • |
2 |
2 |
CBZ |
|
|
1 |
|
0 |
0 |
ML |
2 |
2 |
D B g |
2 |
DB3 |
DBo |
2 |
|
|
1 |
|
0 |
1 |
2 |
DB ,4 |
DB,, |
2 |
DB6 |
2 |
2 |
CB, |
|
|
1 |
|
1 |
0 |
2 |
D B ,3 |
DB Ю 2 |
ML |
2 |
2 |
CBo |
|
|
|
1 |
|
1 |
1 |
ML |
2 |
2 |
C'B5 |
2 |
CB4 |
CB3 |
0 |
|
|
СВ4 —DB^[\5© DBmi4 © »Bmi3 © DBmi © DBmь © DBm, © DBmл © DBm?, © СВм4 © © (DBl5 © D B © D Bl3 © DBj © DB6 © DBS © DR, © DB3)M© 1,
CB, = DBfrii5 © DBmи © DBm\i © DBm,2 © DBmi1 © DBm10 © DBm9 © DBm&© CBm5 ©
© (DS15 © D B ,4 © DB,3© DB\2 © DB\ \ © DB\q © DBi) © DB$)м © 1.
Свойства синдрома ошибки представлены в табл. 1.37. Устанавливаемые в ИС ‘630 и ‘631 значения флагов ошибок такие же, что и для ИС ‘636 и ‘637 (табл. 1.34). В табл. 1.38 приведена связь между кодом синдрома ошибки и типом ошибки (DB, — однократная ошибка, 2 — дву кратная ошибка, ML — многократная ошибка). Однократные ошибки исправляются без какихлибо последствий.
EDAC 74LS616 и 74LS617. Структурная схема EDAC ‘616 изображена на рис. 1.68 (EDAC ‘617 описывается такой же структурной схемой, но буферы Buffer 1, 2 и 3 имеют откры тые коллекторные выходы):
DB |5_о (Data Bite) — разряды шины данных МП; CB5_q (Check Bite) — разряды проверочного слова;
Si, S0— сигналы управления внутренними операциями EDAC (табл. 1.39);
ERR (Single-bit Errors Flag) — флаг обнаружения и исправления однократных ошибок;
MERR (Dual-bit Errors Flag) — флаг обнаружения двукратных ошибок (Multi-Error)-,
1.11. Обнаружение и исправление ошибок в оперативных запоминающих устройствах 139
ОЕСВ (Output Enable Check Bite) — сигнал разрешения выхода проверочного слова; LEDBO (Data Bite Output Latch Enable) — сигнал разрешения фиксации в регистре ис
правленного слова;
ОЕВ0 — (Output Enable Byte 0) — сигнал разрешения выхода младшего байта данных; ОЕВ\ — (Output Enable Byte 1) — сигнал разрешения выхода старшего байта данных.
Рис. 1.68. Структурная схема EDAC ‘616
Таблица 1.39. Управление работой ИС ‘616 и ‘617
Цикл |
З Д |
Функция EDAC |
DB, |
ОЕВцОЕВ, LEDBO |
CBj |
ОЕСВ ERR MERR |
|||||
RAM |
|||||||||||
Запись |
0 0 |
Генерация СВ5_0 |
Вход |
1 |
1 |
х |
Выход |
0 |
1 |
1 |
|
Чтение |
1 |
0 |
Чтение D BX5A)w СВ$ (1 |
Вход |
1 |
1 |
х |
Вход |
1 |
1/0 |
1/0 |
|
|
|
из памяти и установка |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
флагов ошибок |
|
|
|
|
|
|
|
|
Чтение |
1 |
1 |
Фиксация в регистрах |
Фиксация |
|
|
Фиксация |
1 |
1/0 |
1/0 |
|
|
|
|
DB i5_o и СВ5 о |
DB, |
|
|
|
CBj |
|
|
|
Чтение |
1 |
1 |
Коррекция D SI5^) и |
Выход |
0 |
0 |
х |
Выход |
0 |
1/0 |
1/0 |
|
|
|
генерация синдрома |
|
|
|
синдрома |
|
|
|
|
|
|
|
ошибки СВ5А) |
|
|
|
|
|
|
|
|