- •Ответы на билеты по фоэ
- •Составитель-Автор-Издатель: Анатолий
- •Процессы в p – n переходе.
- •Вольтамперная характеристика перехода.
- •10) Статическая вах силовых диодов и тиристоров. Характеризующие параметры, условные обозначения.
- •( Просто тайминги включения тиристора)
- •14) Параметр (dU/dt). Повышение стойкости тиристоров к этому динамическому показателю.
- •15) Параметр (dI/dt). Повышение стойкости тиристоров к этому динамическому показателю.
- •16) Групповое соединение полупроводниковых приборов. Способы выравнивания нагрузки между приборами.
- •Параллельное соединение полупроводниковых приборов
- •Последовательное соединение полупроводниковых приборов
- •Параллельно-последовательное соединение полупроводниковых приборов
- •17) Интегральные микросхемы. Типы микросхем, их особенности.
- •Особенности полупроводниковых имс:
- •Особенности гибридных имс:
- •18) Варисторы. Устройство, принцип действия, вах, условное обозначение.
- •19) Транзисторные усилители. Передаточная характеристика каскада усиления с оэ, режимы (классы) работы усилителя.
- •Классы усиления.
- •20) Работа каскада с оэ в классе а. Стабилизация рабочей точки. (смотреть 19 билет для информативности)
- •21) Расчёт усилительных параметров каскада с оэ. ( в 5 билете тоже есть, смотреть оба)
- •22) Ключевой режим работы транзистора. (почитать в 19)
- •23) Нелинейный режим работы оу. Компараторы и триггер Шмитта на оу.
- •24) Дифференциальный каскад усиления. Принцип действия, усилительные параметры.
- •25) Каскад усиления с ок. Усилительные параметры.
- •26) Генераторы линейно – изменяющегося напряжения на оу.
- •27) Операционный усилитель, структура, свойства, параметры. Инвертирующий оу с оос.
- •28) Источники тока. Устройство, принцип действия, применение.
- •29) Избирательные усилители на оу.
- •30) Операционный усилитель, структура, свойства, параметры. Неинвертирующий оу с оос.
- •31) Источники напряжения. Устройство, принцип действия, применение.
- •32) Типы логических микросхем. Устройство, принцип действия, временные диаграммы работы.
- •(Может спросить про 0 и 1)
- •33) Инвертирующий сумматор. Интегратор на оу. Повышение стабильности работы интегратора.
- •34) Мультивибраторы. Определение, мультивибраторы на оу.
- •35) Логические комбинационные устройства. Шифратор – дешифратор.
- •36) Асинхронные триггеры типов r – s, d. Устройство, работа, временные диаграммы.
- •37) Синхронные триггеры типов r – s, d. Устройство, работа, временные диаграммы.
- •39) Регистры хранения и сдвига. Устройство, принцип действия.
- •Регистр хранения
- •Регистр сдвига
- •40) Двоичные счётчики импульсов. Устройство, работа. Двоичный счетчик
- •41) Счётчики с произвольным коэффициентом пересчёта. Устройство, работа.
10) Статическая вах силовых диодов и тиристоров. Характеризующие параметры, условные обозначения.
Диод
Если к полупроводниковому диоду приложить внешнее напряжение так, чтобы его положительный потенциал присоединен к p-слою, то дырки и электроны будут как бы отталкиваются источником внешнего напряжения в сторону р-n перехода. Потенциальный барьер уменьшается, переход основных носителей зарядов через границу (электронов из n-слоя и дырок из p-слоя) и их взаимная компенсация возрастают, следовательно, через диод будет протекать ток. Источник будет поставлять в n-слой новые электроны, а в p-слое создавать новые дырки.
При обратном знаке напряжения электроны притягиваются к положительному потенциалу источника, а дырки - к отрицательному, потенциальный барьер в области p-n перехода увеличивается, переход зарядов через границу почти прекращается, ток через диод очень мал. Этот ток обусловлен тепловым разрушением ковалентных связей в обоих слоях и образованием пар электрон-дырка. Неосновные носители (электроны в p-слое и дырки в n-слое) имеют такой знак заряда, который способствует их прохождению через переход.
При обратном включении диода через него протекает незначительный обратный ток.
Свойства диода определяются его вольт-амперной характеристикой (ВАХ).
Приближенно она может быть описана уравнением:
I=IO(e U/mjт –1), (1)
где IO – ток насыщения обратносмещенного перехода (обратный тепловой ток); U – напряжение на p-n переходе; jт = kT/q – тепловой потенциал, равный контактной разности потенциалов jк на границе p-n перехода при отсутсвии внешнего напряжения; k =1,38×10-23 Дж/К– постоянная Больцмана; Т – абсолютная температура; q =1,6×10-19кулон – заряд электрона; m - поправочный коэффициент, учитывающий отклонение от теории.
На ВАХ различают две ветви: прямая ветвь, которая находится в первом квадрате и обратная ветвь в третьем квадрате. Уравнение (1) хорошо описывает характеристику реального диода в прямом направлении и для небольших токов, В соответствии с (1) сопротивление диода является нелинейным. В случае линейного сопротивления ВАХ была бы прямая ли-ния.
На прямой ветви реальной ВАХ имеется резкий загиб, который характеризуется напряжением включения. Для германиевых диодов напряжение включения равно примерно 0,3В, для кремниевых – примерно 0,6В.
Значение обратного тока на обратной ветви примерно постоянно в широком диапазоне напряжения. При превышении определенного значения обратного напряжения, называемого напряжением пробоя Uпроб, начинается лавинообразный процесс нарастания обратного тока, соответствующий электрическому пробою p-n перехода. Если в этот момент ток не ограничить, то электрический пробой перейдет в тепловой. Тепловой пробой обусловлен ростом числа носителей в p-n переходе. При этом мощность, выделяющаяся в диоде Uобр х Iобр, не успевает отводиться от перехода, его температура растет, растет обратный ток и, следовательно, продолжает расти мощность. Тепловой пробой необратим, т.к. разрушает p-n переход.
Электрический пробой, в свою очередь, делится на лавинный и туннельный.
Лавинный пробой – электрический пробой p-n-перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля. Он обусловлен ударной ионизацией атомов быстро движущимися неосновными носителями заряда.
Туннельный пробой – это электрический пробой p-n-перехода, вызванный туннельным эффектом. Он происходит в результате непосредственного отрыва валентных электронов от атомов кристаллической решетки полупроводника сильным электрическим полем.
У любого диода оговаривается несколько основных параметров:
* номинальный прямой ток;
* максимальное обратное напряжение;
* прямое падение напряжения;
* постоянный обратный ток;
* максимальный прямой ток
Тиристор
(почитать про тиристоры можно в предыдущем билете)
Характеристики цепи управления тиристора.
Характеристики цепи управления тиристором приведены на рис
Uудоп, Iудоп, Рудоп – допустимые напряжения, ток и мощность цепиуправления, значения которых нельзя превышать.
Uymin, Iymin – минимальные значения напряжения и тока управления, при которых гарантируется отпирание тиристора.
Воль-амперные характеристики цепи управления лежат в некоторой зоне. Управлении должно формитоваться так, чтоточки бы пересечение ВАХ цепи управления и ВАХ тиристора не попадали в запретную зону.
(Тк чето мало получилось дублирую ответ на билет на всякий)
Процесс включения тиристора. Факторы, влияющие на процесс включения.