2.Измерение тангенса угла диэлектрических потерь на высоких частотах (резонансный метод)

Рис.5. Принципиальная схема измерителя добротности

Рис.6. Зависимость тангенса угла диэлектрических потерь от частоты

При резонансе и ,

где С_к – емкость контура; U_р – напряжение резонанса; Q_к =1/tg - добротность контура; R_к – активное сопротивление контура.

Емкость образца определяется по формуле: С_х=С₁ – С₂, где С₁ – значение емкости прибора при настройке контура в резонанс без подключения образца, пФ; С₂ – значение емкости прибора при настройке контура в резонанс с подключенным образцом, пФ.

Тангенс угла диэлектрических потерь образца ,

где Q₁ и Q₂ – добротности контура, измеренные при резонансе в отсутствии емкости образца и при ее подключении соответственно.

Таблица 4. Результаты измерений и расчетов

Наименование образца	Частота МГц	Q1	C1, пФ	Q2	C2, пФ		Cx, пФ	tg

10