Дозволений тепловий режим транзисторів .

Температурний режим транзисторів не тільки здійснює вплив на значення параметрів , але і визначає надійність їх роботи .

Тому слід прагнути до лінійного виділення тепла , передбачати захист від теплових перевантажень і застосування ефективних методів відводу тепла від транзисторів .

Ці вимоги найбільш стосуються потужних транзисторів , які працюють при великих розсіюючи потужностях .

При конструюванні РА температурні зміни параметрів приладів , можуть бути досягненні шляхом їх ефективного охолодження і застостосування температурної стабілізації параметрів – радіоапаратури .

Особливістю застосування потужних биполярних транзисторів являється робота цих приладів в режимах , близьких до критичних по температурі переходу .Для забезпечення надійності роботи апаратури режими використання потужних транзисторів повинні вибиратися таким чином , щоб струм і напруга не виходили за межі “max” режимів .

Межа “max” режимів обмежена наступними факторами :

І меж 1. max .допустимим струмом колектора (пар. і імп.).

ІІмеж 2. max допустима розсіююча потужність (пар. і імп.).

ІІІмеж 3.вторинним пробієм .

IVмеж 4.граничною напругою .

Vмеж 5. max допустимою напругою колектор-емитер (пар. і імп.).

Тема 7. Інтегральні мікросхеми

1. Вступ

Мікроелектроніка – це науково-технічний напрямок електроніки, який за допомогою складного комплексу схемотехнічних, конструкторських, схемнологічних та інших методів і прийомів вирішує проблему створення високо надійних і економічних мікромініатюризованих електронних схем і пристроїв, дозволяє зменшити вагу і об’єм.

Головна задача мікроелектроніки – створення максимально надійних схем. Вирішується в першу чергу шляхом виключення ненадійних елементів і контактів, також шляхом зменшення розсіюваної потужності і полегшення режимів роботи елементів.

Найбільш легко підвищити надійність методом резервування, але в такому випадку різко збільшується об’єм, вага і вартість апаратури, тому намагаються підвищити надійність кожного елемента.

Існує ще один метод підвищення надійності – яка б не була складна функція, яка виконується р/а, її завжди можна розбити на елементарні функціональні вузли – підсилювачі, генератори, різного роду перетворювачі, які виконують найпростіші функції (до речі, аналіз різної радіоелектронної апаратури показує, що функціональні вузли складають 70-85% загальної кількості вузлів, які входять до схеми, а на допоміжні елементи – трансформатори, розв’язуючі фільтри, прохідні і блокуючи конденсатори припадає 15-30%)

Розрахунок, виготовлення і контроль параметрів кожної такої елементарної схеми можна виконати незалежно від інших схем. Застосування функціонально-вузлового методу дозволяє підвищити надійність за рахунок застосування вкрай відпрацьованих схем каскадів, підвищити експлуатаційні характеристики, так як повна ідентичність функціональних модулів одного типу дозволяє заміняти їх без додаткового налагодження, регулювання. Спрощується процес знаходження неполадки.

В процесі проведення випробувань і статистикою виявлено, що надійність модульної апаратури в 6 разів вища надійності сучасних електронних схем і в 60 разів вища надійності лампових схем.

Надійність високого ступеню збільшується за рахунок заливки і герметизації, це зумовлено тим, що окремі модулі і їх деталі можна піддавати контролю перед складанням, автоматизації складального процесу, зменшення кількості з’єднань.

Не менш важливою задачею мікроелектроніки є зниження вартості схем і пристроїв. Ця задача вирішується шляхом максимальної автоматизації проектування і виготовлення апаратури, також застосування групових методів виробництва. Механізація і автоматизація технологічних процесів виготовлення деталей і компонентів апаратури здійснюється порівняно легко. Але монтаж і складання майже не підлягають автоматизації через складність цих процесів. Упровадження у виробництво друкованого монтажу дозволило автоматизувати деякі складні операції складання і монтажу. Але дійсно широка автоматизація і механізація виробництва неможлива без уніфікації вузлів і деталей. А автоматизація процесів виробництва стала можлива завдяки переходу до виготовлення схем і вузлів за єдиний технологічний процес, виключенню окремої герметизації елементів і переходу до герметизації схем і вузлів і цілих блоків.

Мікромініатюризація забезпечує:

1. Підвищення швидкодії. Ускладнення р/а, збільшення кількості радіоелементів у зв’язку з розширенням виконуваних функцій викликає цим збільшення габаритів, а це в свою чергу веде до подовження з’єднань, що веде до збільшення затримки, яка вноситься цими з’єднаннями. Це обмежує швидкодію, так як час затримки стає порівняний з часом спрацьовування активних елементів.

2. Підвищення економічності.

3. Скорочення часу проектування і виготовлення.