3.2 Постоянное запоминающее устройство к556рт5

Микросхемы ПЗУ по способупрограммирования, т. е. занесения в них информации, подразделяют на три группы: ПЗУ, однократно программируемые изготовителем по способу за­казного фотошаблона (маски), масочные ПЗУ (ПЗУМ,ROM); ПЗУ, однократно программируемые пользователем по способу пережигания плавких перемычек на кристалле (ППЗУ,PROM); ПЗУ, многократно программируемые пользователем, репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ,EPROM).

Общим свойством всех микросхем ПЗУ являются их много­разрядная (словарная) организация, режим считывания как основной режим работы и энергонезависимость. Вместе с тем у них есть и существенные различия в способе программиро­вания, режимах считывания, в обращении с ними при примене­нии.

Однократно программируемые постоянные запоминающие устройства

(ОПЗУ) - это наиболее дешевые, емкие и быстродействующие БИС. Существует три основных способа построения ОПЗУ:

- использование плавких перемычек;

- использование прожигаемых кремниевых перемычек ;

- программирование на одном из дополнительных (промежуточных) этапах изготовления (масочные ОПЗУ).

Микросхемы однократно программируемых ПЗУ по принципу пост­роения и функционирования аналогичны масочным ПЗУ, но имеют существенное отличие в том, что допускают программи­рование на месте своего применения пользователем. Операция программирования заключается в разрушении (пережигании) части плавких перемычек на поверхности кристалла импульсами тока амплитудой 30 ... 50 мА. Технические средства для выпол­нения этой операции достаточно просты и могут быть построены самим пользователем. Это обстоятельство в сочетании с низкой стоимостью и доступностью микросхем ППЗУ обусловило их широкое распространение в радиолюбительской практике.

Выпускаемые отечественной промышленностью микросхемы ППЗУ в большинстве своем изготовлены по ТТЛШ-технологии, и среди них преобладающее положение занимает серия К556. Функциональный состав серии включает микросхемы емкостью до 64К бит со словарной 4- и 8-разряд­ной организацией с временем выборки 45 ... 85 нс и уровнем по­требляемой мощности от 0,6 до 1 Вт.

ОПЗУ КР556РТ5 ТТL - типа с прожигаемыми кремниевыми перемычками содержит 512*8 ячеек программируемой памяти.

Таблица 2 - Характеристики ПЗУ серии КР556

Тип микросхемы	Емкость, бит	tв а, нс	Рпот, мВт	Тип выхода	Исходное состояние
КР556РТ5	512×8	80	1000	ТТЛ-ОК	1

Микросхема состоят из матриц накопителя, дешифраторов адресов, из матрицы шин, обеспечивающих прожигание перемычек и мощных ключей для коммутации прожигающего тока. Условно–графическое обозначение К556РТ5 показано на рисунке 10.

Uупр - вход сигнала управления;

U – вход напряжения питания;

OV - вход общей шины питания и сигналов;

A0 – A8 – девятиразрядная шина адреса;

D0 – D7 – восьмиразрядная шина данных;

Рисунок 10 – Условно – графическое обозначение микросхемы с однократной записью информации К556 РТ5

CS1 – CS4 – сигналы выбора кристалла.

На рисунке 11 представлено устройство ПЗУ К556 РТ5

Рисунок 11 – Устройство микросхемы К556 РТ5

Микросхемы ППЗУ потребляют боль­шую мощность от источника питания. Поэтому представляется целесообразным использовать их свойство работать в режиме импульсного питания, когда питание на микросхему подают только при обращении к ней для считывания информации.

Особенности применения микросхем ППЗУ в этом режиме состоят в следующем: во-первых, на управляющие входы должны быть поданы уровни, разрешающие доступ к микросхеме: если не­обходим 0, то данный вывод соединяют с общим выводом, если 1, то с шиной U_ссчерез резистор с сопротивлением 1 кОм; в этом случае функции сигнала выбора микросхемы выполняет им­пульс напряжения питанияU_сс; во-вторых, для обеспечения ре­жима импульсного питания применяют транзисторные ключи, на переходах которых падает часть напряжений, поэтому напря­жение, подаваемое к внешним ключам, должно быть выбрано с учетом требования иметь на выводе питания микросхемы номи­нальное напряжение 5 В; в-третьих, из-за инерционности процессов коммутации цепи питания время выборки адреса микро­схемы увеличивается в 2—3 раза.

При использовании импульсного режима питания среднее значение потребляемого тока и, следовательно, уровень потреб­ляемой мощности существенно уменьшаются.