3.2 Описание микросхемы кр556рт6

МС серии КР556 представляют собой биполярные схемы, выполненные по ТТЛ - технологии с использованием диодов Шоттки. МС КР556РТ6 является программируемой ПЗУ емкостью 16 346 бит.

В МС данной серии используются нихромовые перемычки. Для исключения возможности самовосстановления пережженных перемычек необходима электротермотренировка. С целью снижения потребляемой мощности в БИС допускается использование импульсного питания.

Условное обозначение и назначение выводов БИС КР556РТ6 приведены на рисунке 9 и в таблице 4. Основные электрические и временные параметры БИС КР556РТ6 в диапазоне температур от -10 до 70 ⁰С при U_CC = (5,0±0,25) В.

Емкость, бит 2Кх8.

t_А(А), нс 80.

Р_сс, мВт 920.

Ток потребления I_CC, мА более 185.

Выходное напряжение низкого уровня U_OL, В менее 0,5.

Ток утечки высокого уровня I_OLH, мкА менее 100.

Входное напряжение низкого уровня U_IL, В менее 0,5.

Входное напряжение высокого уровня U_IH, В более 2,4.

Время выборки адреса t_AA, нс более 100.

Время выборки разрешения кристалла t_CS. нс более 50.

Входная емкость С_1, пФ менее 10.

Выходная емкость С₀, пФ менее 15.

Емкость нагрузки С_L, пФ менее 200.

Коэффициент программируемости К, 0,65 более.

Исходное состояние 0.

Напряжение питания, В 5.

Мощность потребления на 1 бит, Вт/мВт 0,9.

Рисунок 9 - Цоколевка микросхемы КР556РТ6

Таблица 4 - Назначение выводов микросхемы КР556РТ6

Номера контактов	Обозначение	Назначение	Тип сигнала	Состояние
1-8	А0 - А7	Порты адреса	вх	1, 0, z
9 - 11,13 - 17	D0 - D7	Входы-выходы порта D	вх/вых	1, 0, z
12	0V	"Земля" (Общий вывод И.П.)
20	CS1	Сигнал выбора микросхемы 1	вх	0
18-19	CS2 - CS3	Сигнал выбора микросхемы 2-3	вх	1
21-23	A8 – A10	Порты адреса	вх	1, 0, z
24	5 V	Питание + 5В

Выход ТТЛ—ОК требует подключения к МС внешних резисторов и источ­ника напряжения питания для формирования выходного сигнала.

В исходном состоянии перед программированием накопитель содержит од­нородный массив легкоплавких проводящих перемычек, соединяющих эмиттеры (истоки) транзисторов с шинами столбцов.

В процессе программирования пережигание перемычек производят в тех точках накопителя, в которых необходимо изменить логическое состояние, на­пример, программирование микросхемы с заполнением нулями состоит в пере­жигании перемычек в точках, куда следует записать единицу. Обычно входы для сигналов выбора используют в качестве дополнитель­ных адресных входов при управлении ими в составе модуля ПЗУ.

МС имеет два основных режима считывания информации и программирования.

Программирование МС вклю­чает запись информации и контроль элек­трических параметров БИС с записанной информацией.