2. Построение вфх и зависимости толщины p-n перехода от напряжения.

Рис. 1. График ФВХ для варикапа на основе кремния.

Рис. 2. График зависимости толщины p-n перехода от напряжения для варикапа на основе кремния.

3. Построение вах.

Примем толщину базы W_б = 6 мкм (≈ 1,25 δ_p-n). База n-типа, тонкая.

Следовательно, неосновными носителями заряда являются заряды p-типа. Используем формулу для резкого перехода.

Рис. 3. График ВАХ для варикапа на основе кремния.

4. Построение графика добротности.

Рис. 4. График зависимости добротности от частоты для варикапа на основе кремния.

На графике приведены:

1) кривая добротности, посчитанная для низких частот

2) зависимость добротности, посчитанная для высоких частот

3) аппроксимационная линия, где наибольшее значение добротности получается при частоте, равной 23 МГц.

Заключение

В данной курсовой работе были исследованы основные параметры варикапа, такие как пробивное напряжение, контактная разность потенциалов, площадь p-n перехода, удельная емкость, а также построены графики АЧХ, ВФХ, зависимость толщины p-n перехода от напряжения и график зависимости добротности от частоты. Таким образом, мы имеем теоретическую модель варикапа, которую, с некоторыми условностями, можно применять в реальном производстве.

Список литературы

1. Расчет параметров активных элементов электронной техники: Методические указания по курсовому проектированию. (И.И. Зятьков, О.А. Изумрудов, Л.А. Марасина; Изд. СПБГЭТУ «ЛЭТИ», 2006 г.)

2. Энциклопедия «Википедия», статья «Кремний», https://ru.wikipedia.org/wiki/Кремний