Заключение

В ходе данной курсовой работы был проведен анализ процесса выращивания монокристаллов (или эпитаксиальных слоев) соединения HgTe

n-типа электропроводности из газообразных компонентов.

Была выбрана рабочая температура – 660 K, рассчитаны константы равновесия для основного процесса (K_p=8,7 для рабочей температуры) и построена зависимость константы равновесия от температуры. Был проведен анализ процессов сублимации и испарения Hg и Te. Рассчитаны парциальные давления паров компонентов Hg и Te, обеспечивающих протекание основного процесса. На основе этих парциальных давлений были определены температуры дополнительных источников T_Te=434,7 K и T_Hg=1800K, необходимые для протекания основного процесса в прямом направлении при рабочей температуре.

Список используемых источников

1. Луцкая О.Ф., Чеснокова Д.Б., Максимов А.И. Химические и фазовые равновесия в технологии материалов электронной техники: Учеб. пособие. СПБ.: Изд-во СПБГЭТУ «ЛЭТИ», 2005. 84 с.

2. К.П. Мищенко, А.А. Равдель, Л. Краткий справочник физико-химических величин: Химия, 1974 г. 200 стр.

3. Методические указания к практическим занятиям по дисциплине «Физико-химические основы технологии материалов и изделий микроэлектроники»: Сост.: А.А. Барыбин, С.Ф. Карманенко, А.А. Семенов; СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, 2004.