- •Материнская плата
- •2)Типы шин расширения пк
- •3)Взаимодействие устройств
- •4)Как цпу реагирует на прерывание
- •5)Выбор линии irq для устройств, которые взаимодействуют с цпу.
- •7)Каскадные irq.
- •8)Передача информации вслед за irq.
- •10)Обмен большими объемами данных с устройством.
- •11)Прямой доступ к памяти dma.
- •12)Автоматическая конфигурация устройства Plug- and –Play
- •13)Устранение конфликтов устройств
- •14)Использование диспетчера устройств для контроля или изменения используемых устройствами ресурсов.
- •16)Отображение информации о bios на экране
- •17)Примеры звуковых кодов bios
- •18)Эффективное использование cmos настроек
- •19)Доступ к настройкам cmos-памяти ,
- •20)Cmos –память
- •21)Настройка расширенных данных конфигурации системы escd
- •24)Параметры дисковода игнор ос.
- •25)Указание геометрических параметров жесткого диска
- •26)Включение функции параллельного порта
- •27)Уровни хранения информации
- •28)Динамическое озу dram
- •29)Статическое озу sram
- •30)Компоновка модулей ram
- •30)Банки памяти
- •31)Скоростные показатели работы микросхем памяти
- •32)Чередование адресов памяти
- •34) Ускоренный страничный обмен fpm
- •35)Синхронная динамическая озу sdram.
- •36)Память rambus
- •37) Видеопамять videoram
- •38)Типы памяти
- •39)Системный реестр windows
- •40)Редактор системного реестра RegEdit
- •41)Структура реестра
- •43)Поиск и изменение данных реестра
- •44)Просмотр драйверов устройств, установленных в ос
- •45)Проверка системных драйверов
- •46)Восстановление системного реестра из резервной копии
- •47)Периферийные устройства. Классификация. Назначение.
- •48)Критерии выбора периферийных устройств
- •49) Способы обмена данными между ву и эвм
- •50) Интерфейс периферийного устройства. Контроллер. Адаптер. Принципы функционирования.
- •51) Контроллер последовательной асинхронной передачи данных и приема.
- •52) Контроллер последовательной синхронной передачи данных и приема.
- •53)Контроллер параллельной передачи данных и приема.
- •54)Дистанционная связь. Виды. Структура. Характеристики
- •55) Цап. Ацп. Аналогово-цифровое преобразование сигнала.
- •56)Организация прерываний в эвм. Программные и аппаратные.
- •57)Прерывания. Программный опрос. Использование векторов прерываний.
- •58) Организация прямого доступа к памяти (пдп).
- •61)Клавиатура. Принцип работы и интерфейс.
- •64)Видеосистема. Принцип вывода изображения.
- •65) Графический режим отображения информации
- •66)Текстовый режим отображения
- •69)Управление клавиатурой
- •70)Доступ к отдельным клавишам
- •72)Управление выводом на терминал.
- •73)Режим управления курсором
- •75) Вывод точечной графики на дисплей.
- •76)Управляющие регистры принтера
- •78)Передача информации от манипулятора «мышь»
- •79)Обслуживание прерываний
- •80)Регистры управления параллельным портом.
- •81) Передача информации через параллельный порт
- •82)Доступ к последовательному порту.
- •Использование специальных устройств ввода-вывода.
- •85)Устройство, типы и работа манипулятора «мышь»
31)Скоростные показатели работы микросхем памяти
Название RAM означает, что ЦПУ может производить обращение к любой ячейке памяти, каждый раз затрачивая одинаковое время. В отличие от этого время доступа дискового накопителя к некоторым секторам зависит от расстояния, на которое необходимо переместить головку чтения/записи для обнаружения необходимых дорожек, а также время ожидания, пока сектор повернется к головке. Промежуток времени, необходимый для возврата значения модулем памяти , называется временем доступа (access time). Время доступа зависит от технологии изготовления МС памяти. Например, если доступ к МС DRAM обычно находится в диапазоне 60-70 нс., время доступа к SRAM < 10 нс. В последние годы появились новые технологии производства микросхем памяти. Обычно каждый разработчик преследует цель снижения времени доступа к памяти.
32)Чередование адресов памяти
В процессе обращения к памяти много времени затрачивается на вычисления, которые контроллер затрачивает для поиска значений в микросхемах памяти. Данные в микросхемах памяти организованы в виде строк и столбцов. Количество строк и столбцов зависит от компоновки микросхем. Чтобы определить местонахождение байта в микросхеме памяти, контроллер должен сначала узнать, в какой строке содержатся данные. После этого контроллер определяет начальный столбец данных. Чередование адресов памяти – давно разработанный прием с ускоренными операциями памяти. Значение байтов помещается в различные банки памяти. Пока контроллер первого банка ведет поиск строки и столбца первого байта, контроллер второго банка выполняет такие же операции, в результате чего оба байта становятся доступными одновременно.
33)Ускоренный страничный обмен FPM
Технология с FPM обеспечена новыми быстродействующими системами за счет того, что микросхемы памяти запоминают адрес строки для предыдущей операции. В результате снижается время доступа к памяти. Например, если первое обращение состоит 60 нс, из них 15 нс соответствует поиску строки, последующие обращения к соседним ячейкам памяти в той же строке будут продолжаться лишь 45нс. FPM предусматривает раздел памяти на страницы фиксированного размещения, в зависимости от конструктивного решения может составлять от 512 байт до 4кбт. Все ячейки одной страницы имеют один адрес строки. Отслеживая ссылки на страницы, контроллер может временного доступа для последовательности ссылок на ячейки памяти . ОЗУ с расширенными возможностями вывода EDO
34) Ускоренный страничный обмен fpm
В 1995 году Pentium реализовал возможности EDO вместо FPM. Mc EDO как и McFPM обеспечил снижение время доступа при последовательности ссылках на ячейки памяти .
Кроме того технология EPORAX характеризуется сокращением продолжительности цикла за счет устранения продолжительности времени для установления адреса столбца. Причина в том что операция поиска последующего столбца, выполняется пока МС даст вывод данных, обслуживания предыдущих запросов.
35)Синхронная динамическая озу sdram.
Несмотря на улучшение скорости показатели МС они по прежнему ограничивают быстроту системы т.к. такт частоты модуля памяти отличается от тактической частоты системной шины. В конце 90-х годов появляется МС SDRAM. Эффект производительности системы достигли за счет синхронной операционной МС памяти и системной шины. Поэтому скорость показателя МС SDRAM указывает в Гц. Чтобы определить продолжительность цикла модуля SDRAM достаточно единицу разделить на значения частоты в герцах. Например, если микросхема памяти работает с тактовой частотой 100 МГц, ее время доступа составляет 10 нс. Для дальнейшего увеличения оперативной памяти производители обеспечивают поддержку системной шины, работающей на частоте 200 МГц. С этой целью были выпущены микросхемы синхронизирующие динамическое ОЗУ с двойной скоростью передающие данные DDR SDRAM – double data rate synchronous dynamic RAM ), а так же усовершенствованы микросхемы SDRAM ( ESDRAM Enhaced SDRAM). Технология DDR повышает быстродействие операций за счет того , что данные передается дважды в течение одного такта. В микросхемах ЕSDRAM увеличение быстродействия достигается за счет использования собственного встроенного буфера ( КЭШ – память )