- •1. Элементы конструкции имс.
- •2. Конструктивно-технологические типы имс.
- •3.1 Подложки плёночных и гибридных имс.
- •3.2 Подложки плёночных и гибридных имс.
- •4. Толстоплёночные имс.
- •5.1 Нанесение толстых плёнок: пасты и трафареты.
- •5.2 Нанесение толстых плёнок: пасты и трафареты.
- •6.1 Расчёт и проектирование плёночных резисторов.
- •6.2 Расчёт и проектирование плёночных резисторов.
- •7.1 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
- •7.2 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
- •7.3 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
- •8. Расчёт и проектирование плёночных проводников и контактных площадок.
- •9.1 Нанесение тонких плёнок в вакууме.
- •9.2 Нанесение тонких плёнок в вакууме.
- •10. Термическое вакуумное напыление.
- •11.1 Катодное распыление.
- •11.2 Катодное распыление.
- •12.1 Ионно-плазменное напыление.
- •12.2 Ионно-плазменное напыление.
- •13.1 Магнетронное распыление.
- •13.2 Магнетронное распыление.
- •14.1 Электролитическое осаждение.
- •14.2 Электролитическое осаждение.
- •15. Химическое осаждение.
- •16. 1Анодное окисление.
- •16. 2Анодное окисление.
- •17. 1Получение различных конфигураций тонкоплёночных структур.
- •17. 2Получение различных конфигураций тонкоплёночных структур.
- •17. 3Получение различных конфигураций тонкоплёночных структур.
- •18.1 Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •18.2Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •18.3 Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •18. 4Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •20.1 Проектирование бип. Транзисторов полупроводниковых имс.
- •20.2 Проектирование бип. Транзисторов полупроводниковых имс.
- •20.3 Проектирование бип. Транзисторов полупроводниковых имс.
- •21.1 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •21.2 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •21.3 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •21.4 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •22.1 Расчет и проектирование п/п конденсаторов.
- •22.2 Расчет и проектирование п/п конденсаторов.
- •23.1 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •23.2 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •23.3 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •23.4 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •24.1 Металлизация п/п структур.
- •24.2 Металлизация п/п структур.
- •24.3 Металлизация п/п структур.
- •25.1 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.2 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.3 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.4 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.5 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •26.1 Изготовление биполярных имс с диэлектрической изоляцией.
- •27.1 Изготовление биполярных имс с комбинированной изоляцией.
- •28. Изготовление мдп-имс.
- •30.1 Ограничения и проблемы при изготовлении бис.
- •30.2 Ограничения и проблемы при изготовлении бис.
- •30.3 Ограничения и проблемы при изготовлении бис.
- •31. Основные этапы расчёта и проектирования бис.
- •32. Методы и автоматизация проектирования бис.
- •33.1 Корпуса для имс.
- •33.2 Корпуса для имс.
- •34. Основные направления функциональной микроэлектроники.
- •35.1 Оптоэлектроника.
- •35.2 Оптоэлектроника.
- •36.1 Акустоэлектроника.
- •36.2 Акустоэлектроника.
- •36.2 Акустоэлектроника.
- •37.1 Магнетоэлектроника.
- •37.2 Магнетоэлектроника.
- •38.1 Проборы на эффекте Ганна.
- •38.2 Проборы на эффекте Ганна.
- •39.1 Диэлектрическая электроника.
- •39.2 Диэлектрическая электроника.
- •40.1 Криогенная электроника.
- •41.1 Молекулярная электроника и биоэлектроника.
- •4 1.2 Молекулярная электроника и биоэлектроника.
1. Элементы конструкции имс.
В полупроводниковых интегральных микросхемах преимущественно используются транзисторные элементы. В зависимости от типа интегральных элементов различают биполярные, униполярные (МДП) и интегральные микросхемы на основе барьера Шоттки. В первом случае основными элементами являются преимущественно биполярные транзисторы. Резисторы получают путем спадания высокоомных слоев внутри монокристаллического кремния, в качестве конденсаторов используют емкость р-n переходов. Основными элементами униполярных интегральных микросхем являются МДП-транзисторы, которые наряду с активными функциями выполняют роль резисторов и конденсаторов. Термин МДП происходит от структуры таких элементов металл — диэлектрик — полупроводник. Для интегральных микросхем третьего типа характерно применение элементов с барьером Шоттки (диодов Шоттки, транзисторов с барьером Шоттки, полевых транзисторов с барьером Шоттки).
2. Конструктивно-технологические типы имс.
3.1 Подложки плёночных и гибридных имс.
Подложки в технологии изготовления и конструировании пленочных и гибридных ИМС в микросборках играют очень важную роль. Подложки являются основанием для группового формирования на них ИМС, главным элементом конструкции ИМС и микросборок, выполняющим роль механической опоры, обеспечивают телоотвод и электрическую изоляцию элементов.
Подложка — заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИМС, межэлементных и (или) меж-компонентных соединений, а также контактных площадок.
Материал, геометрические размеры и состояние поверхности подложек во многом определяют качество формируемых элементов и надежность функционирования ИМС и микросборок.
Материал подложки должен обладать:
- высоким удельным электрическим сопротивлением изоляции, низкой диэлектрической проницаемостью и малым тангенсом угла диэлектрических потерь, высокой электрической прочностью ;
- высокой механической прочностью при малой толщине;
- высоким коэффициентом теплопроводности;
-высокой химической инертностью к осаждаемым материалам;
-высокой физической и химической стойкостью к воздействию высокой температуры в процессе нанесения тонких пленок, термообработки паст при формировании толстых пленок и сборки ИМС;
Структура материала подложки и состояние ее поверхности оказывают существенное влияние на структуру наносимых пленок и параметры пленочных элементов
Для изготовления подложек используют в основном стекло, керамику, ситалл и фотоситалл.
3.2 Подложки плёночных и гибридных имс.
Геометрические размеры подложек стандартизированы. Подложки из
стекла имеют размеры 50.50, 48.60, 60.96, 100.100 и 96.120 мм, из ситалла
48.60, 60.96 и 96.120 мм. Толщина подложек составляет 0,6 и 1,6 мм, непараллельность плоскостей не превышает 0,05 мм.
Обычно на стандартной подложке групповыми методами изготовляют не-
сколько пленочных ИМС. Безотходное деление подложек с ИМС на части,
кратные двум и трем, дает нормализованный ряд типоразмеров плат.
Плата — часть подложки гибридной (пленочной) ИМС, на поверхности которой нанесены пленочные элементы микросхемы, межэлементные и межкомпонентные соединения, а также контактные площадки.