- •Раздел 1. Резисторы.
- •Тема 1.1 Резисторы.
- •Классификация:
- •По характеру изменения сопротивления:
- •3. По материалу резистивного элемента:
- •4. По конструктивному исполнению:
- •Конструкция резисторов
- •Система условных обозначений и маркировка.
- •Обозначения на схемах электрических принципиальных:
- •Тема 1.2 Схема замещения резисторов постоянного и переменного сопротивления.
- •Основные параметры резисторов.
- •Температурный коэффициент сопротивления(ткс).
- •Тема:1.3 Резисторы переменного сопротивления и наборы резисторов.
- •Характеристики наборов резисторов.
- •Типы намоток проволочных резисторов
- •Виды пленочных резисторов
- •Особенности применения резисторов в эвм
- •Указание по выбору и правильному применению резисторов.
Раздел 1. Резисторы.
Тема 1.1 Резисторы.
Резистором называют пассивный элемент РЭА, которые могут применяться как дискретные компоненты или как составные части интегральных микросхем. Они предназначены для перераспределения и регулирования электрической энергии между элементами схемы. Принцип действия резисторов основан на использовании свойства материалов оказывать сопротивление протекающему через них электрическому току.
Особенностью резисторов является то, что электрическая энергия в них превращается в тепло, которое рассеивается в окружающую среду.
Классификация:
По характеру изменения сопротивления:
1.1 постоянные;
1.2 переменные (подстрочные, регулировочные);
1.3. специальные (варисторы, терморезисторы, фоторезисторы, магниторезисторы).
по назначению:
2.1 общего назначения: используется в качестве нагрузок, делителей в цепях питания, элементов, фильтров, шунтов и т.д. Диапазон номинального сопротивления этих резисторов от 0,1 Ом до 20 Мом; номинальных мощностей рассеивания от 0,05 до 500 Вт; допустимое отклонение от номинального значения сопротивления ±2% и более;
2.2 специального назначения:
а) прецизионные и сверх прецизионные: отличаются высокой стабильностью параметров и точностью изготовления, применяются они в измерительных приборах, делителях напряжения повышенной точности. Диапазон номинального сопротивления шире, чем резисторов общего назначения, зато мощности рассеивания не превышают 2Вт;
б) высокочастотные имеют малые значения паразитных емкости и индуктивности, поэтому их используют в высокочастотных цепях, в качестве согласующих нагрузок для логических вентилей;
в) высоковольтные рассчитаны на работу при больших напряжениях (от 1 до 10 кВт). Применяются они в качестве делителей напряжения, поглотителей и т.п.;
г) высокомегоомные имеют диапазон номинального сопротивления от 10 Мом и выше и рассчитаны на рабочее напряжение до 400 Вт. Применяются в электрических цепях с малыми токами, в приборах ночного видения.
3. По материалу резистивного элемента:
3.1 проволочные (с резистивным элементом из литой проволоки с высоким удельным сопротивлением);
3.2 металлофольговые (с резистентным элементом из фольги на изолированном основании);
3.3 непроволочные:
а) тонкопленочные: - металлодиэлектрические, металлоокисные, металлизированные (резистентные элемент представляет слой из диэлектрика и металла, либо тонкой окиси металла, либо сплава металла);
б) углеродистые и бороуглеродистые: - лакосажевые, керметные, на основе проводящих пластмасс.
4. По конструктивному исполнению:
4.1 неизолированные (не допускают касания своим корпусом шасси аппаратуры);
4.2 изолированные (имеют изоляционное покрытие лаком, пластмассой и т.п.);
4.3 герметизированные (корпус имеет герметичную конструкцию. Герметизация осуществляется опресовкой специальным компаундом);
4.4 вакуумные (резистивный элемент помещен в стеклянную вакуумную колбу).
5. по эксплуатационным характеристикам дискретные резисторы делятся:
5.1 термостойкие,
5.2 влагостойкие,
5.3 вибро- и ударопрочные,
5.4 высоконадежные и т.д.
Резисторы гибридных ИМС изготавливаются в виде резистивных пленок, наносимых на поверхность подложки. Эти резисторы могут быть тонкопленочными (толщина пленки порядка 1 мкм) и толстопленочными (толщина пленки порядка 20 мкм).
Резисторы полупроводниковых ИМС представляют собой тонкую (толщиной 2-3 мкм) локальную область полупроводника, изолированную от подложки и защищенную слоем SiO2.