3.3.2 Измерение обратного тока коллектора
На схеме рис.1. изменить номинал источника ЭДС ЕБ до 0В. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора для данных значений тока базы и напряжения коллектор-эмиттер.
3.3.3 Получение выходной характеристики транзистора в схеме с оэ
а) В схеме рис.1. провести измерения тока коллектора IК для каждого значения ЕК и ЕБ и заполнить таблицу 1
По данным таблицы построить график зависимости IК от ЕК.
Таблица 1
|
ЕК(В) |
||||||
ЕБ(В) |
IБ (мкА) |
0.1 |
0.5 |
1 |
5 |
10 |
20 |
1.66 |
|
|
|
|
|
|
|
2.68 |
|
|
|
|
|
|
|
3.68 |
|
|
|
|
|
|
|
4.68 |
|
|
|
|
|
|
|
5.7 |
|
|
|
|
|
|
|
б) Собрать схему, изображенную на рис.2. Включить схему. Зарисовать осциллограмму входной характеристики, соблюдая масштаб. Повторить измерения для каждого значения ЕБ из таблицы 1. осциллограммы выходных характеристик для разных токов базы зарисовать на одном графике.
рис. 2
в) По выходной характеристике найти коэффициент передачи тока АС при измерении базового тока с 10А до 30А, ЕК =10В. записать результат.
3.3.4 Получение входной характеристики транзистора в схеме с оэ
а) Собрать схему (рис.1.). Установить значение напряжения источника ЕК равным 10В и провести измерения тока базы IБ , напряжения база-эмиттер UБЭ, тока эмиттера IЭ для различных значений напряжения источника ЕБ в соответствии с таблицей 2. Обратить внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.
Таблица 2
ЕБ (В) |
IБ (мкА) |
UБЭ (мВ) |
IК (мА) |
1.66 |
|
|
|
2.68 |
|
|
|
3.68 |
|
|
|
4.68 |
|
|
|
5.7 |
|
|
|
б) По данным таблицы 2 построить график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.
в) Собрать схему, изображенную на рис. 3 . Включить схему. Зарисовать входную характеристику транзистора, соблюдая масштаб.
Рис.3
г) По входной характеристике найти сопротивление rВХ при изменении базового тока с 10 А до 30 А. Записать результат.