2.3. Оптимизация выбранной схемы

2.3.1. Введение упрощающих связей

Требуется минимизировать время формирования сигналов P и S. В нашем случае только транзистор входит в некритическую подсхему, т.к. его затвор управляется предустановленным сигналом X. Таким образом получаем:

2.4.2. Постановка задачи оптимизации

Постановку задачи оптимизации начнём с определения переменных оптимизации X = (x1, x2,…,xm), являющихся переназначенными значениями независимых ширин каналов транзисторов схемы:

x1 = , x2 = , x3 = , x4 = , x5 = , x6 =

x7 = , x8 = , x9 = , x10 = , x11 =

Задача оптимизации формулируется так: найти значения переменных оптимизации X, минимизирующих целевую функцию T(X)= max {} при условиях:

Xj

102 мкм

2.4.3. Решение задачи оптимизации

Задача оптимизации была решена в программе MS Excel 2016 с использованием Поиска решения.

Таблица 5.1 Результаты оптимизации в Excel 2016. Ширины каналов.

20,67937	9,305525	6	6	6	6	6,936106	6	6,342893	9,505337	19,23077

Значения ширин каналов транзисторов схемы 3, полученные в результате оптимизации в MS Excel 2013, являются дробными (табл. 5.1). А т.к. технология позволяет реализовать ширину канала транзистора с точностью до микрона, значения ширин каналов необходимо округлить до целых значений, но не до ближайшего целого, а эвристически скорректировав величины, полученные в результате оптимизации. Необходимо добиться полного использования данной площади (102 мкм).

Результаты эвристической корректировки результатов оптимизации представлены в табл. 5.2

Таблица 5.2 Результаты оптимизации в Excel 2016. Ширины каналов.

21	9	6	6	6	6	7	6	7	9	19

Времена задержек после оптимизации:

max {} = 13, что на 0.3 нс меньше чем предыдущий результат полученный в ходе экспресс анализа = нс.

S = 102 мкм