2. Therefore, a silicon crystal chopped with boron creates a p-type semiconductor, whereas one doped with phosphorus result in n-type material.

   1. Таким образом, кристалл кремния, легируемый бором создает р-тип полупроводника, в то время, как он, легируемый фосфором, результирует в n-тип материала.

   2. Таким образом, в результате легирования бором кристалла кремния создается полупроводник р-типа, а он же, легируемый фосфором, создает материал n-типа.

   3. Таким образом, кристалл кремния, легируемый бором создает полупроводник р-типа, а он же, легируемый фосфором, создает материал n-типа.

3. It is useful to note that even degenerate levels of doping imply low concentrations of impurities with respect to the base semiconductor.

   1. Следует отметить, что даже высокие степени легирования подразумевают низкие концентрации примесей по отношению к основному полупроводнику.

   2. Следует отметить, что даже высокие степени легирования предполагали низкие концентрации примесей по отношению к основному полупроводнику.

   3. Следует отметить, что даже высокие уровни легирования предполагают низкие концентрации примесей по отношению к базовому полупроводнику.

V. Переведите письменно абзацы 1 – 3 текста.

1. Свойство полупроводников, которое делает их самыми полезными для построения электронных устройств, такое, что их проводимость может быть легко изменена, вводя примеси в их кристаллическую решетку. Процесс добавления контролируемых примесей в полупроводник известен как легирование. Количество примеси, или легирующей примеси, добавленной к собственному (чистому) полупроводнику, изменяет его уровень проводимости. Легированные полупроводники часто называют внешними. 

2. Материалы, выбранные в качестве подходящих легирующих примесей, зависят от атомных свойств легирующей примеси и материала, которого нужно легировать. В общем, легирующие примеси, которые производят желаемые контролируемые изменения, классифицируются как акцепторы электронов или доноров. Донорный атом, который активирует (то есть становится включен в кристаллической решетке), жертвует слабо связанные валентные электроны в материал, создавая избыток отрицательных носителей заряда. Полупроводники, легированные донорными примесями, называют N-типа, а легированные акцепторными примесями называют р-типа. 

3. Концентрация легирующей примеси, введенная собственному полупроводнику, определяет его концентрацию и косвенно влияет на многие его электрические свойства. Наиболее важным фактором, который непосредственно влияет на легирование, является концентрация носителей материала. В собственном полупроводнике при тепловом равновесии концентрации электронов и дырок эквивалентны. Внутренняя концентрация собственного проводника варьируется от материалов и зависит от температуры. Внутренняя концентрация кремния, например, составляет примерно 1 × 1010 см-3 при 300 градусах Кельвина (комнатной температуры).