Задача №4 Основы радиоэлектроники и схемотехники
.docxКонтрольная работа №1.
Задача №4: Определить h-параметры транзистора КТ3127 по статическим характеристикам.
Расчёт.
1. По справочнику устанавливаем максимально-допустимые параметры транзистора КТ3127 и сводим их в таблицу 1.
Таблица 1
Максимальный постоянный ток коллектора Iк max, мА |
30 |
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ max, В |
20 |
Максимальная мощность, рассеиваемая коллектором транзистора Pк max, Вт |
0,1 |
2. Зададимся положением рабочей точки и, пользуясь характеристиками, рассчитаем для нее значения h-параметров БТ. Для определения дифференциальных параметров h11э и h12э в заданной рабочей точке А (UБЭ0, IБ0, UKЭ0) на линейном участке семейства входных характеристик необходимо выполнить построения, как показано на рис. 1.
Рис 1. – Входные характеристики транзистора КТ3127
Найденные приращения токов и напряжений позволяют определить искомые параметры:
(1)
Рис 2. – Выходные характеристики транзистора КТ3127
(2)
3. Параметры h21э и h22э определяем по семейству выходных характеристик. В окрестности точки А' (IK0, UКЭ0, IБЭ0), соответствующей точке А на семействе входных характеристик, выполним построения как показано на рис. 2. Найденные приращения токов и напряжений позволяют определить искомые параметры:
(3)
(4)
4. На основании полученных числовых значений параметров рассчитываем параметры Т-образной эквивалентной схемы транзистора (рис. 3).
Рис. 3
5. Вычисляем дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода:
(5)
6. Вычисляем дифференциальное сопротивление коллекторного перехода:
(6)
7. Находим коэффициент усиления по току:
(7)
6. Вычисляем дифференциальное сопротивление базового перехода:
(8)