Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Задача №4 Основы радиоэлектроники и схемотехники

.docx
Скачиваний:
48
Добавлен:
01.04.2014
Размер:
221 Кб
Скачать

Контрольная работа №1.

Задача №4: Определить h-параметры транзистора КТ3127 по статическим характеристикам.

Расчёт.

1. По справочнику устанавливаем максимально-допустимые параметры транзистора КТ3127 и сводим их в таблицу 1.

Таблица 1

Максимальный по­стоянный ток коллектора Iк max, мА

30

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ max, В

20

Максимальная мощ­ность, рассеиваемая коллектором транзистора Pк max, Вт

0,1

2. Зададимся положением рабочей точки и, пользуясь характеристиками, рассчитаем для нее значения h-параметров БТ. Для определения дифференциальных парамет­ров h11э и h12э в заданной рабочей точке А (UБЭ0, IБ0, UKЭ0) на линейном участке семейства входных характеристик необходимо выполнить построения, как показано на рис. 1.

Рис 1. – Входные характеристики транзистора КТ3127

Найденные приращения токов и напряжений позво­ляют определить искомые параметры:

(1)

Рис 2. – Выходные характеристики транзистора КТ3127

(2)

3. Параметры h21э и h22э определяем по семейству выходных характери­стик. В окрестности точки А' (IK0, UКЭ0, IБЭ0), соответствующей точке А на семействе входных характеристик, выполним построения как показано на рис. 2. Найденные приращения токов и напряжений позволяют определить искомые параметры:

(3)

(4)

4. На основании полученных числовых значений параметров рассчитываем параметры Т-образной эквивалентной схемы транзистора (рис. 3).

Рис. 3

5. Вычисляем дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода:

(5)

6. Вычисляем дифференциальное сопротивление коллекторного перехода:

(6)

7. Находим коэффициент усиления по току:

(7)

6. Вычисляем дифференциальное сопротивление базового перехода:

(8)