1. Фарадей;

2. Максвелл;

3. Каммерленг-Оннес;

4. Лоренц.

103. Явление сверхпроводимости было объяснено на микроскопическом уровне в рамках теории:

1. классической электронной;

2. зонной;

3. БКШ;

4. другой.

104. В соответствии с теорией БКШ электроны в классических сверхпроводниках взаимодействуют между собой за счет:

1. электрон-электронного взаимодействия;

2. электрон-фононного взаимодействия;

3. не взаимодействуют;

4. Кулоновского взаимодействия.

105. Самая высокая температура перехода в сверхпроводящее состояние для классических сверхпроводников составляла величину порядка:

1. 1 К;

2. 10 К;

3. 25 К;

4. 100 К.

106. Классическая сверхпроводимость имеет место в:

1. металлах;

2. полупроводниках;

3. диэлектриках;

4. в любых веществах.

107. Высокотемпературная сверхпроводимость обнаружена в:

1. металлах;

2. полупроводниках;

3. диэлектриках;

4. в любых веществах.

108. Электроны, объединяющиеся в куперовские пары, должны иметь (укажите неправильный ответ):

1. противоположные спины;

2. противоположные импульсы теплового движения;

3. противоположные импульсы направленного движения.

109. Состояние сверхпроводимости можно разрушить (укажите неправильный ответ):

1. сильным магнитным полем;

2. нагреванием;

3. пропусканием по сверхпроводнику большого тока;

4. поднесением к сверхпроводнику другого сверхпроводника.

110. В сверхпроводнике внешнее стационарное магнитное поле:

1. ослабляется;

2. увеличивается;

3. оно не проникает в сверхпроводник;

4. порождает электрическое поле.

111. Токи Майснера протекают:

1. по поверхности сверхпроводника;

2. в его объеме;

3. и в объеме и на поверхности;

4. в сверхпроводнике никогда не возникают.

112. Макроскопический квантовый эффект, связанный со сверхпроводимостью, заключается в том, что:

1. в сверхпроводнике при включении магнитного поля индукция магнитного поля квантуется;

2. при выключении магнитного поля, в которое был помещен неодносвязный образец сверхпроводника, индукция оставшегося магнитного поля может меняться только дискретно;

3. ток Майснера может меняться только дискретно;

4. нагревание сверхпроводника происходит скачками.

113. Ток Майснера в сверхпроводнике можно создать:

1. только меняя магнитное поле, в котором находится сверхпроводник;

2. только переводя находящийся в магнитном поле образец в сверхпроводящее состояние;

3. любым из этих способов;

4. подключая к сверхпроводнику источник тока.

114. Направление токов Майснера можно определять в сверхпроводнике:

1. по правилу буравчика;

2. по правилу левой руки;

3. по правилу Ленца;

4. ни одно из этих правил не подходит.

115. Для носителей заряда в сверхпроводниках используют статистику:

1. Ферми-Дирака;

2. Больцмана;

3. Бозе-Эйнштейна;

4. другие статистики.

116. В высокотемпературных сверхпроводниках перенос заряда осуществляется:

1. одиночными ионами;

2. спаренными ионами;

3. одиночными электронами;

4. спаренными электронами.

117. Какая из вольтамперных характеристик относится к полупроводниковому диоду:

1) 2)

3) 4)

118. Какая из вольтамперных характеристик относится к вакуумному диоду:

1) 2)

3) 4)

119. Укажите, какое устройство из названных не является полупроводниковым прибором:

1. диод;

2. транзистор;

3. тиратрон;

4. тиристор.

120. Диоды (полупроводниковые, вакуумные) можно использовать для:

1. генерации колебаний;

2. выпрямления переменного тока;

3. усиления колебаний;

4. ни по одному из названных назначений.

121. При включении транзистора в схему усиления «с общей базой» устройством можно усиливать (укажите неправильный ответ):

1. только ток;

2. только мощность;

3. только напряжение;

4. мощность и напряжение.

122. Полупроводниковый диод обозначается на электрической схеме:

1) 2)

3) 4)

123. При протекании тока в прямом направлении через p-n переход:

1. дырки движутся из р в n область, электроны из р в n область;

2. дырки движутся из р в n область, электроны из n в p область;

3. дырки движутся из n в p область, электроны из р в n область;

4. дырки движутся из n в p область, электроны из n в p область.

124. При повышении температуры полупроводниковые приборы перестают работать из-за:

1. увеличения числа неосновных носителей;

2. изменения типа примесной проводимости;

3. перехода к ионной проводимости;

4. спаривания электронов.

125. В вакуумных электронных лампах носители заряда появляются за счет:

1. автоэлектронной эмиссии;

2. вторичной эмиссии;

3. термоэлектронной эмиссии;

4. другого эффекта.

126. Вакуумная лампа с двумя электродами называется:

1. диод;

2. триод;

3. тетрод;

4. пентод.

127. Вакуумная лампа с тремя электродами называется:

1. диод;

2. триод;

3. тетрод;

4. пентод.

128. Вакуумная лампа с четырьмя электродами называется:

1. диод;

2. триод;

3. тетрод;

4. пентод.

129. Вакуумная лампа с пятью электродами называется:

1. диод;

2. триод;

3. тетрод;

4. пентод.

130. Газонаполненная лампа с двумя холодными электродами называется:

1. газотрон;

2. неоновая;

3. тиратрон;

4. диод.

131. Газонаполненная лампа с двумя электродами, один из которых подогревной, называется:

1. газотрон;

2. неоновая;

3. тиратрон;

4. диод.

132. Газонаполненная лампа с тремя электродами, один из которых подогревной, называется:

1. газотрон;

2. неоновая;

3. тиратрон;

4. диод.

133. В рабочем режиме в газонаполненных лампах носители заряда возникают за счет:

1. термоэлектронной эмиссии;

2. ударной ионизации;

3. вторичной эмиссии;

4. автоэлектронной эмиссии.

134. Не удается запереть электронную лампу подачей отрицательного напряжения на сетку:

1. в вакуумном триоде;

2. в тиратроне;

3. и в вакуумном триоде и в тиратроне;

4. ни в одной из этих ламп.

135. Частота электрического сигнала усиливаемого с помощью вакуумного триода ограничена:

1. дробовым эффектом;

2. электрическими флуктуациями;

3. вторичной эмиссией;

4. инерцией электронов.

136. Коэффициент усиления каскада усилителей на вакуумных лампах ограничен из-за (укажите не имеющий отношения к вопросу ответ):

1. дробовым эффектом;

2. электрическими флуктуациями;

3. шумами электронной лампы;

4. инерцией электронов.

137. Динатронный эффект в тетродах вызван:

1. дробовым эффектом;

2. инерцией электронов;

3. вторичной электронной эмиссией;

4. электрическими флуктуациями.

138. Вторичная электронная эмиссия используется:

1. в электронных вакуумных лампах;

2. в электронных умножителях;

3. в газонаполненных лампах;

4. в полупроводниковых приборах.

139. Вылет электронов из металлов при их нагревании:

1. автоэлектронная эмиссия;

2. термоэлектронная эмиссия;

3. вторичная эмиссия;

4. внешний фотоэффект.

140. Вылет электронов из металлов под действием сильного электрического поля:

1. автоэлектронная эмиссия;

2. термоэлектронная эмиссия;

3. вторичная эмиссия;

4. внешний фотоэффект.

141. Вылет электронов из металлов под действием их бомбардировки частицами:

1. автоэлектронная эмиссия;

2. термоэлектронная эмиссия;

3. вторичная эмиссия;

4. внешний фотоэффект.

142. Вольтамперная характеристика вакуумного диода нелинейна при малых анодных напряжениях, в основном, из-за:

1. насыщения;

2. наличия пространственного заряда;

3. нагрева катода;

4. вторичной эмиссии.

143. Вольтамперная характеристика вакуумного диода нелинейна при больших анодных напряжениях, в основном, из-за:

1. насыщения;

2. наличия пространственного заряда;

3. нагрева катода;

4. вторичной эмиссии.

144. К акое распределение потенциала имеет место в вакуумном диоде при подаче отрицательных потенциалов на анод:

1. 1;

2. 2;

3. 3;

4. 4.

145. Зависимость тока в вакуумном диоде от напряжения между анодом и катодом называется: