- •1.Электрические сво-ва полупроводников.
- •2.Носители зарядов беспримесных металлов
- •3. Энергетическая диаграмма.
- •4. Носители зарядов примесных металлов
- •5. Время жизни носителей зарядов.
- •6.Дрейфовые и диффузионные движение зарядов.
- •7. Полупроводниковые диоды
- •8.Полная вах диодов
- •10.Принцип действия биполярного транзистора и его параметры.
- •11.Биполярный транзистор
- •12. Статический вах транзистора.
- •13.Выходные характеристики транзисторов с оэ
- •14. Входные характеристики транзисторов с об
- •15. Схема с оэ
- •1 6.Входные характеристики транзисторов с оэ
- •17.Моделирование работы биполярных транзисторов. Модель Этерса-Молла
- •18. Линейные малосигнальные модели
- •20 Полевой транзистор с р-n переходом
- •21. Вах полевых транзисторов с р-n переходом
- •23. Мдп транзисторы
- •24 Диодные выпрямители с умножением напряжения
- •27. Фильтрующие свойства стабилизаторов.
- •28. Основные показатели качества стабилизаторов.
- •31. Связь между переходн. Хар-кой и ачх усилителя.
- •32. Усилительн. Каскад с оэ.
- •32,1 Статич. Ражим работы каскадов, а,в,с,д
- •34. Коэф. Усиления по напряжению в схеме с оэ.
- •35. Статич. Передаточная хар-ка схемы с оэ.
- •41. Расчет Rб1 и Rб2 резистивного делителя.
- •50) Область высоких частот.
- •51) Амплитудная характеристика усилителя.
- •52) Фазочастотные искажения.
- •53) Усилители постоянного тока.
- •54) Нелинейное искажение.
- •5 5) Дифференциальные усилительные каскады.
- •56) Принцип действия каскада при наличии входящего сигнала.
- •57) Передаточная характеристика дифференциального каскада. Смещение нуля.
- •58) Режим баланса. Параметры ирт.
- •59) Коэффициент усиления дифференциального каскада по напряжению.
- •60. Особенности диф. Каскадов в интегральных оу (116-118)
- •61. Усиление синфазн. Сигнала диф. Каскада (114-116)
- •62. Схемотехника линейн. Устройств на базе иоу. Инвентир. Усилитель (119-121)
- •63. Входн. Сопр-е диф. Каскада (118)
- •64. Неинвертирующ. Усилитель (121-122)
- •65. Преобразователь тока в напряжение (123-124)
- •66. Интегрирование сигнала на базе иоу (124-126)
- •67. Инвертирующ. Сумматор (122-123)
- •68. Узкополосн. Фильтр на базе избирательн. Усилителя (128-129)
- •69. Дифференциаторы (126-127)
- •70. Lc резонанс. Усилители (129-130)
- •71. Низкочастотные узкополосные полосовые фильтры(rc).
- •72.Связь ачх избирательного усилителя с параметрами колебательного контура и элементами какскада.
- •73.Схема фильтра с двойным т-образным мостом.
- •74.Синтез фильтров по заданной частотной характеристике.
- •75.Генераторы синусоидальных колебаний
- •7 6.Маломощные генераторы
- •77.Условия самовозбуждения генератора
- •83. Виды обратных связей усилителей.
13.Выходные характеристики транзисторов с оэ
Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ показаны на рис.. По сравнению с выходными характеристиками транзистора в схеме с ОБ они имеют больший наклон. Это объясняется более сильной зависимостью коэффициента передачи тока базы от напряжения UK э. Кроме того, в схеме с ОЭ сильнее сказывается эффект умножения носителей заряда в коллекторном переходе. Возникающие в результате умножения электроны, проникая в базу, смещают эмиттерный переход в прямом направлении. Поэтому ток (а следовательно, ток /к) при постоянном токе базы возрастает с увеличением UK3. Последнее обстоятельство приводит к пробою коллекторного перехода транзистора при более низких напряжениях на коллекторе (UK3_ Проб < С^и. проб)-При больших токах базы характеристики заметно сгущаются. Начальные участки выходных характеристик транзистора в схеме с ОЭ сходятся в начало координат, так как при UKa = 0 разность потенциалов на коллекторном переходе практически равна нулю, а следовательно, равен нулю ток коллектора 1К.
Значительно более чувствительны к температуре наклон и форма выходных характеристик транзистора в схеме с ОЭ. При ченного в цепь коллектора. Однако при расчетах последний способ применяется реже.) Внутренняя обратная связь по напряжению вследствие модуляции толщины базы отражена включением генератора iaKUK в цепь эмиттера. Объемное сопротивление базы г'б включено между внутренней точкой базы Б' и внешним выводом базы Б. Емкости эмиттерного перехода обычно не учитываются (основную долю в емкости эмиттера составляет диффузионная емкость, а ее влияние учитывается автоматически через зависимость коэффициента передачи тока от частоты). Емкость коллектора Ск шунтирует сопротивление ги. В ряде случаев учитываются токи утечки коллектора.
Семейство выходных характеристик- зависимость тока коллектора, .
Область 2- нормальный активный режим (НАР), 3-область электрич пробоя,1-область насыщения, все ветви располагаются в 1 квадранте и выходят из нуля,про Ukэ=0, Ukб на коллекторе перехода=Uбэ. Этим колл переход открыт и инжектирует дырки в базу. Потоки дырок через кол перехода взаимно уравновеш при этом Iэ≠0, по мере возрастания Iкэ Uкб снижается, но инжекция падает и ток коллектора Ik возрастает. На линии насыщения транзистора работает в режиме двойной инжекции. На границе с областью 2 прямое напряжение на коллекторе перех становится обратным напряжением. В области 3 на переходе коллектор- база действуе обратное напряжение, выразим Iэ через ток базы:
, – коэффициет передачи базового тока ( статический). β- показатель связи между током базы и коллектора, если α=0,9…0,99, то β=9…99. Транзистор с оэ позволяет усиливать входной ток. Формулу можно записать проще если взять и
Схема оэ обладает меньшим диф сопротивлением коллекторного перехода и большим примерно в β раз значением тока Ik0 по сравнению с об. Р/м нулевой ток, U<0, при нулевом токе базы через базу протекает сквозной ток I=(1+β)Ik0. Область лежащая ниже Ib=0- область тсечки, область насыщ и облатсь отсечки – НАР