- •Глава 1. Основные теории электрических цепей и сигналов.
- •§1. Основные понятия теории электрических цепей.
- •§ 2. Элементы электрических цепей и их уравнения. Классификация цепей по признаку линейности.
- •§ 3. Зависимые (управляемые) источники.
- •§ 4.Топологические параметры. Электрическая цепь и уравнение соединений.
- •Глава 2. Электрические цепи при гармоническом воздействии.
- •§1. Основные понятия линейных цепей. Среднее и действующее значение синусоидального тока.
- •§2. Гармонические колебания. Изображение синусоидальных токов векторами и комплексными числами.
- •§3. Комплексная форма уравнений элементов.
- •§3.1. Цепь переменного тока с резистором, активная мощность.
- •§3.2. Цепь переменного тока с индуктивностью, реактивная мощность.
- •§3.3. Цепь переменного тока с емкостью.
- •§3.4. Расчет цепи с реальной индуктивностью.
- •§3.5. Расчет активно-емкостной цепи, треугольники напряжений, сопротивлений; мощность.
- •§4. Колебательные контуры и их частотные характеристики.
- •§4.1. Последовательный колебательный контур.
- •§4.2. Резонанс напряжения.
- •§4.3. Свободные колебания в реальном lc - контуре.
- •§4.4. Уравнение резонансной кривой последовательного контура.
- •§4.5. Вынужденные колебания в параллельном колебательном контуре. Резонанс токов.
- •§4.6. Связанные контуры как полосовой фильтр.
- •Глава 5. Электронные приборы.
- •§1. Классификация электронных приборов.
- •В газоразрядных (или ионных) приборах движение электронов происходит в атмосфере инертных газов. Электрические процессы в них представляют собой разряд в газе.
- •§2. Полупроводниковые приборы.
- •§2.1. Собственная электропроводность.
- •§2.2. Примесные полупроводники.
- •§2.3. Электронно-дырочный переход.
- •§3. Полупроводниковые диоды, их свойства и назначение.
- •§3.1. Применение полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
- •§3.2. Полупроводниковые стабилитроны.
- •§3.3. Варикапы.
- •§3.4. Тиристор.
- •§3.5. Оптоэлектронные устройства.
- •§3.6. Фотодиоды.
- •§4. Полевые транзисторы.
- •§4.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом.
- •§4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •§4.3. Дифференциальные параметры полевых транзисторов.
- •§ 5. Биполярные транзисторы.
- •§ 5.1. Статические характеристики. Дифференциальные параметры транзистора.
- •§ 5.2. Определение н-параметров транзисторов по характеристикам.
- •Глава 6. Усилители.
- •§1. Основные показатели.
- •§2. Резисторный усилитель напряжения.
- •Из последней формулы следует, что для расширения полосы пропускания усилителя в сторону верхних частот необходимо уменьшать с0Rэ.
- •§3. Дифференциальный усилитель.
- •§4. Операционные усилители.
- •§5. Основные схемы включения операционных усилителей.
- •§6. Обратная связь в усилительных устройствах.
- •Коэффициент передачи усилителя с обратной связью:
- •§7. Диаграмма Найквиста
- •§8. Повышение стабильности усиления и расширение полосы
- •§9. Частотно-зависимая обратная связь
- •При малых относительных расстройках .
§8. Повышение стабильности усиления и расширение полосы
Коэффициент передачи может изменяться вследствие температурного изменения параметров, их замены, изменения э.д.с. питания и т.д.
Усилитель с глубокой ООС имеет высокую стабильность.
При :
.
Т.о., при глубокой ООС не зависит от и не изменяется при изменении . Коэффициент обратной связи определяется делителем, состоящим из пассивных элементов, поэтому он стабилен.
Если изменяется, то тоже изменяется.
Учитывая, что , после дифференцирования получаем
,
откуда:
,
следовательно, относительное изменение коэффициента усиления усилителя, охваченного обратной связью, в раз меньше, чем неохваченного.
Введение в усилитель ООС позволяет расширить его полосу пропускания. У резисторного УНЧ без ООС наблюдается завал в областях НЧ и ВЧ относительно средней частоты. Если относительное уменьшение усиления при этом равно , то при наличии ООС при том же отклонении частоты в усилителе относительное уменьшение усиления в раз меньше, что приводит к увеличению полосы пропускания усилителя. При этом однокаскадный резисторный усилитель, охваченный ООС, имеет следующие граничные частоты:
;
,
где – коэффициент передачи напряжения в области средних частот для усилителя без обратной связи.
Для разных частот ООС влияет на коэффициент передачи неодинаково. В области СЧ, где , ООС снижает его в раз. В области НЧ и ВЧ, где усиление снижается и без ОС, напряжение ОС будет уменьшаться, и ООС становится слабее, следовательно, коэффициент усиления на этих частотах уменьшается в меньшее число раз, что приводит к сглаживанию амплитудно-частотной характеристики усилителя.
§9. Частотно-зависимая обратная связь
Для изменения АЧХ усилителя применяют частотно зависимую отрицательную обратную связь. Одним из примеров является избирательный усилитель с ООС с помощью двойного Т-образного моста (рис. 24). Двойной Т-образный мост (рис. 25) имеет коэффициент передачи напряжения:
, ,
при и , .
При малых относительных расстройках .
Чтобы при получить ООС, необходимо, чтобы коэффициент передачи основного усилителя был отрицателен ( ). Полагая коэффициент передачи усилителя с двойным Т-образным мостом
.
Амплитудно- и фазочастотные характеристики 2Т–моста и избирательного усилителя с 2Т–мостом приведены на рис. 26 и 27.
Для резонансной кривой колебательного контура:
.
Сравнение показывает, что избирательный усилитель обладает эквивалентной добротностью: . Отсюда .