4. Обозначение диодов

В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код - X X X X X X (например,

КД243А)

1-ый элемент (буква или цифра) обозначает исходный материал:

Г (1) - германий;

К (2) - кремний;

А (3) - соединения галлия.

Если стоит не буква, а цифра, то это означает, что прибор может работать при повышенных температурах (германиевый прибор при 70 С; кремниевый при 120°С).

2-ой элемент (буква) указывает на тип полупроводникового диода:

Д - выпрямительные, универсальные, импульсные;

А - сверхвысокочастотные;

С - стабилитроны и стабисторы;

И - туннельные и обращенные;

В - варикапы и т.д.

3-ий элемент (цифра) - число, определяющее назначение и качественные свой­ства диодов.

1 - выпрямительные диоды малой мощности (1пр_ср ^< 0,3А);

2 - выпрямительные диоды средней мощности (0,3А< 1прср < 10А);

……

4 - импульсные диоды с временем восстановления меньше 500нс.

……

У стабилитронов 3-ий элемент обозначения определяет индекс мощности. Например:

Р_тах < 0,3Вт: 1 - Ucmaб < 10в

2 - 10B < U_cma6 < 99B;

3 -100В < U_стаб < 199В.

0.3Bт <P_max < 5Вт: 4- Ucmaб <10В;

……..

4-ый и 5-ый элем. (цифры) - порядковый номер разработки (от 0 до 99).

У стабилитронов - это обозначение напряжения стабилизации.

Пример: КД243А – диод полупроводниковый, выпрямительный, кремниевый, среднеймощности ( 0,3А<Iпр <10A), номер разработки 43, группа А (Uобр.max =50В)

Пример: КС156А- кремниевый стабилитрон с напряжением стабилизации 5,6В

6-ой элемент (буквенный) определяет разновидность прибора по технологиче­ским признакам, а у стабилитронов и стабисторов - указывает на последователь­ность разработки.

Пример: ГД412А - диод полупроводниковый, германиевый, универсальный, германиевый, номер раз­работки 12, группа А.

5. Обозначение транзисторов

В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код – ХХХХХХ (например,

КТ315А)

1. 1-ый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор. Используются буквы или цифры:

Г или 1 - для германия или его соединений;

К или 2 - для кремния или его соединений;

А или 3 - для соединений галлия;

И или 4 - для соединений индия.

2. 2-ый элемент - буква, определяющая подкласс (или группу) транзистора:

Т - для биполярных транзисторов;

П - для полевых.

3. 3-ый элемент - цифра, определяющая функциональные возможности транзистора.

Для транзисторов малой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт):

1 - низкой частоты, с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной

рабочей частотой (граничной частотой) не более 3 МГц;

2 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

3 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц; для транзисторов

средней мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 0,3 Вт, но не более 1,5

Вт):

4 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;

5 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

6 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц; для транзисторов

большой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт):

7 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;

8 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

9 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

4,5,(6)-ый элементы - числа, обозначающее, порядковый номер разработки транзистора.

* последний - буква, условно определяющая классификацию транзисторов

по параметрам.

Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через

дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию

конструктивного исполнения;

1-е гибкими выводами без кристаллодержателя (поддожки);

2-е гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);

3-е жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);

4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);

5 - с контактными площадками без клисталлодержателя (подложки) и без выводов;

6 - с контактными площадками на клисталлодержателе (подложке) и без выводов;]