- •Содержание
- •I Определение параметров модели в программе Micro-Сap 9 …………………………….....4
- •Получение прямой ветви вах……………………………………………………………….22
- •Определение параметров модели в программе Micro-Сap 9
- •Получение прямой ветви вах.
- •Получение обратной ветви вах.
- •Получение вфх
- •Построение вфх в программе MathCad.
- •Обработка прямой ветви вах в MathCad.
- •Построение модели диода по экспериментальным данным.
- •Сравнение исходной и полученной моделей диодов.
- •II. Определение параметров модели в программе MultiSim 11
- •Построение прямой ветви вах в Multisim
- •Построение обратной ветви вах в Multisim
- •Построение схемы для получения вфх в Multisim
- •Получение вах диода с помощью специальных встроенных средств
- •Построение вфх в программе MathCad.
- •Бработка прямой ветви вах в MathCad.
- •7. Построение модели диода по экспериментальным данным.
- •8.Сравнение исходной и полученной моделей диодов.
7. Построение модели диода по экспериментальным данным.
С помощью программы Model в Micro-CAP построим модель диода по полученным в ходе исследования данным. Присвоим диоду имя MY_1N3890A. Ниже преведы графики и даные модели после инициализации и оптимизации.
Прямая ветвь ВАХ
А налогично построим обратную ветвь ВАХ по табличным данным.
Строим ВФХ по табличным данным, полученным в MathCAD.
Программа построила модель диода по введенным характеристикам. Полученную модель можем сохранить в формате SPICE.
Для этого выбираем пункт меню File -> Create SPICE model.
Запишем эту модель в файл “ MY_1N3890A.LIB”, а сам файл модели сохраним с помощью пункта меню File ->Save As в файл “MY_1N3890A .MDL”.
8.Сравнение исходной и полученной моделей диодов.
При построении схемы для получения прямой ветви ВАХ в Multisim воспользуемся такими компонентами как Ground (Заземление), Resistor (Сопротивление), Diode (Диод), Battery (Батарейка).
Характеристики диода, выбранного согласно условиям задания:
.MODEL D1N3890A D (
+ IS = 2.073e-09
+ RS = 0.00376
+ CJO = 1.441e-10
+ VJ = 0.75
+ TT = 3.699e-07
+ M = 0.216
+ BV = 100
+ N = 1.6
+ EG = 1.11
+ XTI = 3
+ KF = 0
+ AF = 1
+ FC = 0.5
+ IBV = 0.0001
+ TNOM = 27
+ )
Характеристики полученного диода:
*****
* MY_1N3890A.LIB
*****
.MODEL MY_1N3890A D (BV=500 CJO=144.1p IS=1E-35 M=216m N=5 RL=1G
+ RS=11.523786884908m TT=5u VJ=750m)
Проведение анализа по постоянному току. (DC Sweep)
В качестве варьируемого параметра выбираем напряжение источника V1. Т.к. схема имеет базу, то варьируется напряжение и на диоде.
В качестве диапазона изменений выбираем промежуток 0…1,1 В с шагом 0.01В.
Задаем линейный вид шкалы по оси абсцисс и ординат.
Для обоих графиков по оси Х задаем выражение V1 – напряжение на диоде, а по оси Y для одной характеристики задаем выражение I(D1[ID]) – ток через исходный диод, для другой – I(DU1[ID]) – ток через полученный диод .
Запускаем на анализ (Run) и получаем два графика зависимости тока через диод от напряжения, что и является Вольт-Амперной характеристикой (ВАХ).