- •Лабораторная работа № 4 исследование биполярного транзистора в статическом режиме
- •Снятие и построение входных и выходных статических характеристик транзистора
- •Лабораторная работа № 5 исследование свойств схемы включения биполярного транзистора с общим эмиттером в динамическом режиме для усиления переменных напряжений
- •Задание режима работы биполярного транзистора по постоянному току
Лабораторная работа № 5 исследование свойств схемы включения биполярного транзистора с общим эмиттером в динамическом режиме для усиления переменных напряжений
Цель работы: исследование динамического режима работы биполярного транзистора КТ503Г в схеме с общим эмиттером. Расчёт параметров схемы.
Задание режима работы биполярного транзистора по постоянному току
На рис.1, с учётом рассчитанных сопротивлений в статическом режиме, представлена принципиальная схема для исследования динамического режима
Рис. 1. Принципиальная схема включения биполярного транзистора по схеме с ОЭ с источником переменного напряжения и сопротивлением нагрузки для анализа динамического режима работы
Проектируя участки между точками "а" и "б" на входных и выходных динамических характеристиках на оси напряжения и тока, получаем удвоенные размахи входных и выходных токов и напряжений, которые должны соответствовать реальным величинам при работе транзистора с включённым источником переменного напряжения во входную цепь транзистора. Рассчитайте коэффициенты усиления по напряжению, току и мощности, входную и выходную колебательные мощности, потребляемую транзистором мощность и КПД каскада, по формулам для рассчитанного в предыдущей работе сопротивления Rк:
; ; ; ; ; ;
В формулах входных и выходных колебательных мощностей в качестве токов и напряжений брать их удвоенные размахи по графикам в соответствующем масштабе.
Изменяя коллекторное сопротивление, рассчитанное в предыдущей лабораторной работе на ±200 Ом, измеряем входное и выходное напряжение и снова определяем коэффициенты усиления по току, напряжению, мощности, входную и выходную колебательные мощности, потребляемую транзистором мощность и КПД. Для чего записать экспериментальные данные в представленную таблицу.
Таблица 1
Экспериментальные данные
, Ом |
~UВХ, мВ |
~UВЫХ, В |
= = |
|
UВЫХ 1 = |
= +200 = |
UВЫХ 2 = |
|
= -200 = |
UВЫХ 3 = |
; ; ;
; ; ; ;
; ;
Рис. 2 Входные характеристики транзистора
PKmax(tmax)
Рис.3. Выходные характеристики транзистора
Результаты расчёта занести в табл. 2.
Таблица 2
Сравнительный анализ результатов расчёта при RК1
Параметр |
Расчетные значения |
|
по динамическим характеристикам |
по экспериментальное данным |
|
~Pвх |
|
|
~Pвых |
|
|
~KU |
|
|
~KI |
|
|
~KP |
|
|
P0 |
|
|
η |
|
|
Рассчитать параметры по экспериментальным данным для сопротивлений Rк + 200 Ом и Rк -200 Ом
По результатам исследования сделать выводы.