Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА транзистор статич. и динам....doc
Скачиваний:
19
Добавлен:
24.08.2019
Размер:
544.77 Кб
Скачать

Лабораторная работа № 5 исследование свойств схемы включения биполярного транзистора с общим эмиттером в динамическом режиме для усиления переменных напряжений

Цель работы: исследование динамического режима работы биполярного транзистора КТ503Г в схеме с общим эмиттером. Расчёт параметров схемы.

Задание режима работы биполярного транзистора по постоянному току

  1. На рис.1, с учётом рассчитанных сопротивлений в статическом режиме, представлена принципиальная схема для исследования динамического режима

Рис. 1. Принципиальная схема включения биполярного транзистора по схеме с ОЭ с источником переменного напряжения и сопротивлением нагрузки для анализа динамического режима работы

  1. Проектируя участки между точками "а" и "б" на входных и выходных динамических характеристиках на оси напряжения и тока, получаем удвоенные размахи входных и выходных токов и напряжений, которые должны соответствовать реальным величинам при работе транзистора с включённым источником переменного напряжения во входную цепь транзистора. Рассчитайте коэффициенты усиления по напряжению, току и мощности, входную и выходную колебательные мощности, потребляемую транзистором мощность и КПД каскада, по формулам для рассчитанного в предыдущей работе сопротивления Rк:

; ; ; ; ; ;

В формулах входных и выходных колебательных мощностей в качестве токов и напряжений брать их удвоенные размахи по графикам в соответствующем масштабе.

  1. Изменяя коллекторное сопротивление, рассчитанное в предыдущей лабораторной работе на ±200 Ом, измеряем входное и выходное напряжение и снова определяем коэффициенты усиления по току, напряжению, мощности, входную и выходную колебательные мощности, потребляемую транзистором мощность и КПД. Для чего записать экспериментальные данные в представленную таблицу.

Таблица 1

Экспериментальные данные

, Ом

~UВХ, мВ

~UВЫХ, В

= =

UВЫХ 1 =

= +200 =

UВЫХ 2 =

= -200 =

UВЫХ 3 =

; ; ;

; ; ; ;

; ;

Рис. 2 Входные характеристики транзистора

PKmax(tmax)

Рис.3. Выходные характеристики транзистора

Результаты расчёта занести в табл. 2.

Таблица 2

Сравнительный анализ результатов расчёта при RК1

Параметр

Расчетные значения

по динамическим характеристикам

по экспериментальное данным

~Pвх

~Pвых

~KU

~KI

~KP

P0

η

Рассчитать параметры по экспериментальным данным для сопротивлений Rк + 200 Ом и Rк -200 Ом

  1. По результатам исследования сделать выводы.

7